Спосіб одержання діоксиду кремнія

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 16783

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Стрєлко Володимир Васильович, Колотій Лариса Павлівна, Садиков Віль Габдулович, Двернякова Ада Арсеніївна

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Способ получения диоксида кремния, включающий гидролиз тетрахлорида кремния в кислоте, последующую фильтрацию осадка, промывку и прокаливание, отличающийся тем, что, с целью повышения химической чистоты продукта, гидролиз ведут в 15-20%-ной соляной кислоте при мольном отношении SiCl4:HCL=1:(2-2,5) в присутствии кремниевых зародышей SiO2×X H2O , где Х=0,3-0,5, взятых в количестве 1-2% по отношению к SiO2 в растворе.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что прокаливание продукта осуществляют при 1000-1200°C.

Текст

Изобретение относится к н е о р г а Изобретение относится к н е о р г а н и ческой химии, в частности к способам получения диоксида кремния высокой степени ч и с т о т ы . Цель изобретения - повышение хими ческой чистоты продукта. П р и м е р 1. В 300 мл д и с т и л лированной воды при перемешивании • • вводят 150 мл S i C l ^ с такой с к о р о стью, чтобы температура в зоне р е а к ции не превышала 60°С. Подачу SiCl^. ведут до т е х пор» пока раствор не превратится в гелеобразную м а с с у , в р е з у л ь т а т е получают устойчивый г е л ь , который не ф и л ь т р у е т с я . Гель подсушивают при 150°С для отгонки НС1, получают порошок с о с т а в а S i O 2 ' X Н^О, где X = 0 , 5 , и затем прокаливают при 1000°С. После прокалки получают 60 г SiOg, выход 76%. П р и м е р 2. В 300 мл 10%-ной НС1 постепенно вводят 170 мл SiCl^. (мольное соотношение SiCl^. : НС1 в = 1 : 1 , 6 ) , подачу ведут до т е х п о р , 13-91 ' , * _ і нической химии и позволяет получить диоксид кремния повышенной химической чистоты. Тетрахлорид кремния р а створяют в 15-20%-ной соляной к и с лоте при мольном • «отношении S i C l 4 ;' : НС1 = 1 : ( 2 - 2 , 5 ) в присутствии кремниевых зародышей SiO 2 • X Н 2 0 , где X к = 0 , 3 - 0 , 5 , взятых в количестве 1-2% по отношению к SiO^ в растворе» Полу- чениый г е л ь фильтруют, осадок промы-^ вагот и прокаливают при 1000-1200 а С, J з . п. щ-лы. Ї та6л. 1 пока возможно перемешивание о с а д к а . Получают г е л ь , который со временем о т с т а и в а е т с я , его фильтруют, осадок подсушивают при 150°С (SiOg-X H 2 0 , где X = 0 , 4 ) , затем прокаливают при ЮОО^С. Получают 80 г продукта, выход 90%. П р и м е р 3. В 300 мл 20%-ной НС1 вводят при перемешивании в к а честве зародышей 1 г SiOg

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Process for silicon dioxide preparation

Автори англійською

Dverniakova Ada Arseniivna, Kolotii Larysa Pavlivna, Strelko Volodymyr Vasyliovych, Sadykov Vil Habdulovych

Назва патенту російською

Способ получения диоксида кремния

Автори російською

Двернякова Ада Арсеньевна, Колотий Лариса Павловна, Стрелко Владимир Васильевич, Садиков Виль Габдулович

МПК / Мітки

МПК: C01B 33/12

Мітки: одержання, діоксиду, спосіб, кремнія

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-16783-sposib-oderzhannya-dioksidu-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб одержання діоксиду кремнія</a>

Подібні патенти