Патенти з міткою «оптики»
Спосіб одержання високочистого цинку сульфіду для інтерференційної оптики
Номер патенту: 62653
Опубліковано: 12.09.2011
Автори: Магунов Ігор Робертович, Садковська Людмила Василівна, Зінченко Віктор Федосійович
МПК: C01G 9/08
Мітки: оптики, сульфіду, інтерференційної, спосіб, одержання, цинку, високочистого
Формула / Реферат:
Спосіб одержання цинку сульфіду шляхом взаємодії оксиду цинку із сульфурвмісною речовиною, що включає приготування суміші, її термообробку та відокремлення цільового продукту, який відрізняється тим, що як сульфурвмісну речовину використовують стибій (III) сульфід, суміш готують шляхом змішування цинку оксиду та стибію (III) сульфіду у масовому співвідношенні: ZnO - 41,82 % мас, Sb2S3 - 58,18 % мас, а термообробку здійснюють в інертній...
Спосіб визначення структури магнітного поля фокусуючої системи іонної оптики і пристрій для здійснення цього способу
Номер патенту: 89209
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Пономарьов Олександр Георгийович, Ребров Володимир Анатолійович, Сайко Микола Олександрович, Колінько Сергій Володимирович
МПК: G01R 33/02, G01R 33/06
Мітки: способу, поля, пристрій, здійснення, структури, спосіб, цього, визначення, системі, фокусуючої, іонної, оптики, магнітного
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення структури магнітного поля фокусуючої системи іонної оптики, що включає сканування магнітного поля шляхом визначення магнітної індукції у робочому зазорі фокусуючої системи вздовж її осі з наступним обчислюванням мультипольних компонент, який відрізняється тим, що при скануванні визначають тільки радіальну складову вектора магнітної індукції у дискретних точках, далі по цих точках обчислюють положення фізичної осі...
Спосіб просвітлення та захисту елементів інфрачервоної оптики на основі йодиду цезію
Номер патенту: 49434
Опубліковано: 16.09.2002
Автори: Гудь Ірина Зиновіївна, Дідик Роман Іванович
МПК: G02B 1/10, G03C 1/015, G01D 3/02 ...
Мітки: просвітлення, основі, оптики, захисту, інфрачервоної, йодиду, елементів, цезію, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб просвітлення та захисту елементів інфрачервоної оптики на основі йодиду цезію, що включає нанесення у вакуумі плівки фториду металу термічним напиленням на нагріту поверхню елементу, який відрізняється тим, що на нагріту до 180-200°С поверхню з швидкістю 0,20-0,25 мкм/хв наносять плівку фтористого натрію.
Спосіб виготовлення дифракційних елементів та елементів пристроїв інтегральної оптики
Номер патенту: 17250
Опубліковано: 01.04.1997
Автори: Сизов Федір Федорович, Олексенко Павло Феофанович, Овсянніков Евген Юрійович, Камуз Олександр Михайлович
Мітки: оптики, спосіб, пристроїв, дифракційних, елементів, інтегральної, виготовлення
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления дифракционных элементов и элементов устройств интегральной оптики, таких как дифракционные решетки активные элементы канального волновода и направленного ответвителя, включающий воздействие активирующего излучения на исходный образец через фотошаблон, и отличающийся тем, что в качестве исходного образца используются монокристаллы полупроводникового соединения III - V, причем монокристалл помещают в высокополярную...
Спосіб одержання диоксиду кремнію для волоконної оптики
Номер патенту: 8734
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Чурик Дмитро Прокопович, Куркін Вячеслав Павлович, Кондратьєв Юрій Миколайович, Станчак Ігор Ілліч, Фещенко Ілларіон Аврамович, Занозіна Валентина Федорівна, Паздерський Юрій Антонович, Циновой Юрій Наумович, Зорін Аркадій Данилович, Орлова Тетяна Володимирівна, Костенич Інна Фрідріховна, Ємельянов Олексій Олександрович, Саприкін Юрій Олександрович, Молянов Олександр Миколайович
МПК: C01B 33/18
Мітки: діоксиду, кремнію, одержання, волоконної, оптики, спосіб
Формула / Реферат:
Способ получения диоксида кремния для волоконной оптики, включающий гидролиз тстрах-лорида кремния и термообработку полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью увеличения чистоты и насыпной плотности целевого продукта, исходные компоненты подают в аэрозольном состоянии при массовом соотношении тет-рахлорида кремния и воды, равном (1,6-4,7):1, а гидролиз ведут при 20-50°С.