Мікроелектронний пристрій для виміру тиску

Мікроелектронний пристрій для виміру тиску, що містить джерело постійної напруги і тензочутливий міст із чотирьох однотипних тензорезисторів, який відрізняється тим, що додатково введені біполярний та польовий транзистори, пасивна індуктивність, ємність і чотири резистори, причому перший вивід першого тензорезистора з'єднаний з першими виводами першого і другого резисторів, пасивної індуктивності, ємності, першою клемою джерела постійної напруги і першим виводом дру 3 17154 третього тензорезистора, другий вивід якого разом з першими виводами четвертого тензорезистора і четвертого резистора, стоком польового транзистора, другим виводом ємності і другою клемою джерела постійної напруги утворюють загальну шину, до якої підключена перша вихідна клема пристрою, при цьому другий вивід четвертого тензорезистора з'єднаний з другими виводами третього і четвертого резисторів і другим виводом першого тензорезистора, емітер біполярного і виток польового транзисторів з'єднані між собою, колектор біполярного транзистора з'єднаний з другими виводами пасивної індуктивності та другого резистора, затвором польового транзистора та другою вихідною клемою пристрою. На фігурі наведено схему мікроелектронного пристрою для виміру тиску. Пристрій містить чотири тензорезистори 1-4, що утворюють тензочутливий міст, резистори 5-7, 10. Паралельно колектору біполярного 8 та стоку польового 9 транзисторів підключене послідовне коло з пасивної індуктивності 11, ємності 12, джерело постійної напруги 13. Вихід пристрою утворений колектором біполярного транзистора 8 і загальною шиною. Мікроелектронний пристрій для виміру тиску працює таким чином. В початковий момент часу тиск не діє на перший 1, другий 2, третій 3 і четвертий 4 тензорезистори, що утворюють тензочутли Комп’ютерна верстка А. Рябко 4 вий міст. Підвищення напруги джерела постійної напруги 13 до величини, коли на електродах колектор-стік біполярного 8 та польового 9 транзисторів виникає від'ємний опір, приводить до виникнення електричних коливань в контурі, які утворюються послідовним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах колектор-стік біполярного 8 і польового 9 транзисторів та індуктивним опором пасивної індуктивності 11. Ємність 12 запобігає проходженню змінного струму через джерело постійної напруги 13. При наступній дії тиску на тензочутливий міст на його виході з'являється сигнал, що призводить до збільшення базової напруги біполярного транзистора 8, і відповідної зміни ємнісної складової повного опору на електродах колектор-стік біполярного 8 та польового 9 транзисторів, а це викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Використання запропонованого пристрою для виміру тиску суттєво підвищує діапазон виміру інформативного параметру за рахунок виконання ємнісного елемента коливального контуру у вигляді біполярних транзисторів, в якому зміна опорів тензорезисторів під дією тиску перетворюється в ефективну зміну резонансної частоти, при цьому можлива лінеаризація функції перетворення шляхом вибору величини напруги живлення. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601