Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Мікроелектронний пристрій для виміру тиску, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені тензочутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом тензочутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід тензочутливого тунельно-резонансного діода з'єднаний з першим виводом пасивної індуктивності, до якого підключена перша вихідна клема, при цьому другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з другим полюсом джерела постійної напруги, другим виводом конденсатора і другим виводом резистора, які утворюють загальну шину, до якої підключена вихідна клема.

Текст

Мікроелектронний пристрій для виміру тиску, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені тензочутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктив 40237 На кресленні (фіг.) надано схему мікроелектронного пристрою для виміру тиску. Пристрій містить джерело постійної напруги 1, яке здійснює живлення через резистор 2 і конденсатор 3 тензочутливого тунельно-резонансного діода 4. Пасивна індуктивність 5 підключена послідовно з джерелом постійної напруги 1. Вихід пристрою утворений виводом тензочутливого тунельно-резонансного діода 4 і загальною шиною. Мікроелектронний пристрій для виміру тиску працює таким чином. В початковий момент часу тиск не діє на тензочутливий тунельно-резонансний діод 4. Підвищенням напруги джерела 1 до величини, коли на електродах тензочутливого тунельно-резонансного діода 4 виникає від'ємний опір, який призводить до виникнення електричних коливань в контурі, утвореним послідовним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах тензочутливого тунельно-резонансного діода 4 та індуктивним опором пасивної індуктивності 5. Резистор 2 і конденсатор 3 стабілізують режим живлення і запобігають проходженню змінного струму через джерело напруги 1. При наступній дії тиску на тензочутливий тунельно-резонансний діод 4 змінюється його повний опір, що призводить до зміни ємнісної складової повного опору на електродах тензочутливого тунельно-резонансного діода 4, а це викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Фіг. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Microelectronic unit for pressure measurement

Автори англійською

Osadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych

Назва патенту російською

Микроэлектронное устройство для измерения давления

Автори російською

Осадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович

МПК / Мітки

МПК: G01L 9/04, H04R 19/00

Мітки: пристрій, виміру, тиску, мікроелектронний

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-40237-mikroelektronnijj-pristrijj-dlya-vimiru-tisku.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Мікроелектронний пристрій для виміру тиску</a>

Подібні патенти