Інтерференційний фільтр

Інтерференційний фільтр, що включає два інтерференційні дзеркала, у вигляді плівкової структури та розділювального діелектричного шару, який відрізняється тим, що інтерференційні дзеркала виготовлені з двох діелектричних шарів відповідно з високим і низьким показниками заломлення, а як розділювальний шар, який одночасно є підкладкою, вибраний діелектрик з високим показником заломлення. (19) (21) u200705597 (22) 21.05.2007 (24) 10.10.2007 (72) ЯРЕМЧУК ІРИНА ЯРОСЛАВІВНА, UA, ФІТЬО ВОЛОДИМИР МИХАЙЛОВИЧ, UA, БОБИЦЬКИЙ ЯРОСЛАВ ВАСИЛЬОВИЧ, UA (73) НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА", UA (56) 3 діелектричні шари, з високим показником заломлення; 2 - діелектричні шари, з низьким показником заломлення; 3 - діелектричний шар з високим показником заломлення. Інтерференційний фільтр включає в себе п'ять тонкоплівкових шарів, це діелектричний шар 1 з високим показником заломлення і діелектричний шар 2 з низьким показником заломлення оптична товщина яких рівна четверті довжини хвилі області максимального пропускання та шар діелектрика 3 з високим показником заломлення, що в даному випадку служить ще і підкладкою товщина якого набагато більша довжини хвилі максимального пропускання. На діелектричний шар 3 напилено з двох сторін діелектричні шари 2, на поверхню кожного діелектричного шару 2 напилений діелектричний шар 1. В результаті отримуємо структуру зображену на Фіг. 1. В якості матеріалу з високим показником заломлення можна використовувати германій Ge (n=4,2), телурид свинцю РbТе (n=5,6), селенід свинцю PbSe (n=4,85), телурид стануму SnTe (n=7,2) та багато інших, матеріалу з низьким показником заломлення можна використовувати фтористий стронцій SrF2 (n=1,44), фтористий магній MgF1 (n=1,38), фтористий натрій NaF (n=1,32) та інші. На Фіг. 2 зображений спектр пропускання інтерференційного фільтра змодельованого для матеріалів Ge і SrF2. На Фіг. 3 зображений спектр пропускання інтерференційного фільтра змодельованого для матеріалів SnTe і NaF. Дані діелектрики відносяться до числа найбільш використовуваних матеріалів для виготовлення фільтрів практично всіх типів і особливо тих, які призначені для роботи в жорстких експлуатаційних умовах. Виконання інтерференційного фільтра за допомогою лише п'яти діелектричних шарів дає перевагу у синтезі і контролі товщини окремих шарів внаслідок спрощення технології. Виконання розділюючого шару З порівняно великої товщини і використання його одночасно як підкладки має перевагу порівняно з аналогами оскільки спрощує вибір матеріалу підкладки, і його характеристики. 26850 4