Спосіб імплантації електродів для реєстрації біоелектричної активності базальних скроневих відділів головного мозку

Спосіб імплантації електродів для реєстрації біоелектричної активності базальних скроневих відділів головного мозку, що включає хірургічне втр учання малоінвазивним стереотаксичним транскутанно-інтрабукальним способом до ділянки овального отвору атравматичною голкоютроакаром, який відрізняється тим, що безпосередньо до овального отвору проводиться імплантація електродів з краплеподібним ізолюючим ла/ ковим покриттям голкою-троакаром O 1,5 мм. (19) (21) u200706153 (22) 04.06.2007 (24) 25.01.2008 (72) ПИХТІН ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, U A, ЧЕРНЕНКОВ ВАЛЕРІЙ Г АВРИЛОВИЧ, U A, ПОСОХОВ МИКОЛА ФЕДОРОВИЧ, UA, МАКАРОВ ВАЛЕРІЙ МИКОЛАЙОВИЧ, U A, ДУКАРТ ОЛЕКС АНДР РАФАІЛОВІЧ, UA (73) ІНСТИТУТ НЕВРОЛОГІЇ, ПСИХІАТРІЇ ТА НАРКОЛОГІЇ АМН УКРАЇНИ, U A 3 29611 Хворим, після спеціальної розмітки на м'яких тканинах лицьового черепа, у нижнього краю другого верхнього маляра, транскутанно інтрабукально за допомогою атравматичної голки-троакара Ø 1,5 мм проводиться малоінвазивний стереотаксичний доступ до області овальних отворів. Після видалення мандрену з голки-троакара, по ходу його внутрішнього діаметра проводиться введення електродів 1 з каплеподібним ізолюючим лаковим покриттям 2 (Фіг. 1) в область овального отвору. Поступально обертальними рухами голка-троакар видаляється. При цьому гнучкі електроди 1 Ø 0,4 мм з каплеподібним ізолюючим лаковим покриттям 2 досить стійко знаходяться в м'яких тканинах лицьової та базальної поверхні черепа. Електроди фіксуються до шкіри щоки мікрохірургічним атравматичним шовним матеріалом 4/0 та накладаються асептичні пов'язки. В післяопераційному періоді, при застосуванні даного способу установки електродів немає будьяких температурних реакцій, відсутні інфекційні ускладнення, дискомфорт при жуванні і харчуванні, немає внутрішньотканьового скупчення сукровичної або тканинної рідини, неможливе самовитягання електроду. Приклад. Хворий А., 1975 р.н.. Діагноз: Скронева епілепсія. Для передопераційної діагностики вогнища епілептичної активності медіобазальних відділів скроневих часток проведена діагностична операція - "стереотаксична імплантація електродів в область овального отвору". За даними рентгенологічного дослідження, МРТ-сканування головного мозку проведена оцінка топографо-анатомічних взаємовідносин кістко Комп’ютерна в ерстка Д. Шев ерун 4 вих і паренхіматозних структур головного мозку. Проведена оцінка анатомічних утворень лицьового черепа. Визначається кут хір ургічної дії, відстані до заданої структури, її розмір. В рентгенопераційній в положенні хворого на спині із спеціальним укладанням і з можливістю закидання голови назад, під рентгенологічним контролем (рентгенографія черепа в аксіальній, передньозадній і бічної проекції) атравматичною голкою-троакаром діаметром 0 1,5 мм, після відповідної обробки операційного поля, під внутрішньовенною і місцевою анестезією Sol. Lidocaini 1 % - 7.0, проведен пункційний доступ до області овального отвору з 2-х сторін. По голці-провіднику з 2-х сторін до овальних отворів підведені електроди, що імплантуються. Проведен рентгенологічний контроль. Положення електродів вірне. Голкитроакари поступально-обертальними рухами видалені. Рентгенологічний контроль положення електродів. Електроди фіксовані до шкіри пацієнта одиночними вузловими швами за допомогою атравматичних голок 4/0. Йод, накладені асептичні пов'язки. Ускладнень під час операції - немає. Крововтрати під час операції - немає. Післяопераційний період гладкий, без особливостей. Не спостерігалось яких-небудь температурних реакцій, внутрішньотканинного скупчення сукровичної або тканинної рідини, не було якихнебудь інфекційних ускладнень зв'язаних із застосуванням даного способу імплантації електродів. Даний спосіб імплантації базальних електродів в область овального отвору реалізований у 5 хворих, з добрим клінічним результатом. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601