Спосіб одержання комбінованого матеріалу

1. Спосіб одержання комбінованого матеріалу поверхневим модифікуванням виробів у вакуумі, що включає обробку їх в ємкісному високочастотному розряді з питомою потужністю 5-15 кВт/м 3 та нанесення на поверхні виробів, шляхом плазмохі 3 36872 4 ру газоподібними інгредієнтами фторспирта, оти др. Совершенствование технологи модефицириманими нагрівом і дозованим поданням їх в зону рования поверхностей резинотехнических изделий розряду, при цьому матеріалом виробу є метал двигателей и энергетических установок. // НТЖ або металевий сплав, а саму обробку проводять з Авиационно-космическая техника и технология: тиском 1,33×10-3... 1,33×10 -2Па та іонізацією зони ХАИ, 2006, с.41-44]. ПХР був модернізований для розряду. В якості матеріалу виробу використовузабезпечення тиску 1,33×10-3... 1,33×10-2Па, та ють сталь або бронзу, а іонізацію зони розряду напуску інертного газу без порушення вакууму. здійснюють сумішшю, яка складається з 99% аргоБула виконана модифікація наступних виробів: ну та 1% метану. 1. Сталевих прес-форм для вулканізації гумоТехнічний результат від застосування запротехнічних виробів (ГТВ). понованого способу полягає в тому, що суттєво 2. Бронзових корпусів сорочок регуляторів назмінюється механізм процесу модифікування. гнітачів для перекачування глінозйому. Проведення модифікування з більш глибоким Запропонований спосіб здійснювався в такої вакуумом (порядку 1,33×10-3... 1,33×10-2Па замість послідовності. Після дегазації виробів у ПХР до 0,133-13,3Па) дає можливість здійснити «прищепостатнього тиску 1,33×10-3... 1,33×10-2Па, виконулення» мономерного шару до металевої поверхні валась іонізація міжелектродного простору сумішвиробу. Іонізація зони розряду дозволяє забезпешю газів, яка складалась з 99% аргону та 1% мечити стабільність процесу модифікування. тану. При наявності ємнісного високочастотного Крім того виключається необхідність в поперозряду включався механізм переміщення виробів редньому введені в матеріал виробу та рівномірта нагріваючий елемент, випарюючий робочий ного розподілу в ньому фторспирту, що спрощує агент (фторспирт). У результаті здійснювалось процес та скорочує його термін. «прищеплення» мономерного шару до поверхні Завдяки сукупності вказаних ознак, запроповиробів, товщина якого досягала 10-3-10-2мм. нований спосіб забезпечує «прищеплення» моноДля порівнювання результатів експериментів у мерного фторвміщуючого шар у товщиною 10-3-10ПХР була виконана модифікація таких самих ви2 мм до металевої основи, спрощує процес модиробів в вакуумі 1,33... 13,3Па, при цьому на метафікації та підвищує експлуатаційні якості металелевих поверхнях мономерний шар був відсутній. вих виробів. Результати обробки виробів в ПХР та зрівнюДля підтвердження можливості здійснення завальних випробувань виробів з мономерним шапропонованого способу одержання комбінованого ром та без нього в експлуатаційних умовах надані матеріалу використовується плазмохімічний реакв таблиці: тор (ПХР), опис якого приведено в [Соловьев С.Н. Таблиця Матеріал виробу Сталь, бронза Режими модифікування Час модифі- Товщина моно- Вплив модифікації на якість виТиск робочого Іонізація мерного шару, робів при експлуатації агенту в розряді, (суміш газів) кування хв. мм Па 0,133...13,3 60 10-3-10-2мм Кількість опесовок ГТВ з заліпаннями зменшилась в 3...4 рази Ресурс роботи корпусів сорочек регуляторів нагнітача збільшився в 2...3 рази Сталь 1,33×10-3...1,33×10 Аргон 99% та метан 1% 20...40 Бронза Використання запропонованого способу отримання комбінованого матеріалу забезпечує у порівнянні із існуючим наступні переваги: - дає можливість нанесення на металеву основу виробу мономерного фторвміщуючого шару, глибиною 10-3-10-2мм; Комп’ютерна в ерстка В. Мацело - підвищує експлуатаційні якості металевих виробів, маючих робочі поверхні у вигляді комбінованих матеріалів «мономер-метал». Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601