Вимірювальний перетворювач

Вимірювальний перетворювач, який містить транзистор, ємність коливального контуру, індуктивність, ємність зворотного зв'язку, резистивний чутливий елемент з додатковим резистором та джерело живлення, який відрізняється тим, що в нього введені роздільна ємність та перший і дру 40226 виходом та через другий резистор зміщення з джерелом живлення. При зміні зовнішнього впливу, наприклад температури навколишньої середи, що впливає на резистивний чутливий елемент, підключений разом з додатковим резистором між затвором транзистора та джерелом живлення, збільшується опір чутливого елементу, а, отже, збільшується і напруга на затворі транзистора. Це призводить до збільшення струму витоку транзистора та збільшення еквівалентної індуктивності, що виникає між витоком та стоком транзистора, і збільшення абсолютного значення створюваного від'ємного опору. На кресленні зображена схема запропонованого вимірювального перетворювача. Між затвором польового канального транзистора 1 і джерелом живлення ввімкнений резистивний чутливий елемент 2 з додатковим резистором 3, між витоком та стоком транзистора ввімкнена ємність зворотного зв'язку 4, стік через індуктивність 5 з'єднаний із загальною шиною, затвор через перший резистор зміщення 6 з'єднаний із загальною шиною, а також, ємність коливального контуру 7 включена між загальною шиною та витоком, який через роздільну ємність 8 з'єднаний із виходом та через другий резистор зміщення 9 з джерелом живлення. Робота вимірювального перетворювача здійснюється таким чином. Вимірювальний перетворювач являє собою коливальний контур, утворений еквівалентною індуктивністю, яка виникає між витоком польового транзистора 1 і загальною шиною, та ємністю 7. Еквівалентна індуктивність та від'ємний опір виникають при включенні ємності зворотного зв'язку 4 між стоком та витоком транзистора і індуктивності 5 між стоком та землею. Підбором додаткового резистора 3 регулюється напруга, яка подається на затвор транзистора. При зміні зовнішнього впливу, наприклад зменшенні температури, що діє на чутливий елемент, зменшується його опір. При цьому перерозподіляється напруга на дільнику, утвореному резисторами 3 і 6, та збільшується напруга на затворі транзистора і збільшується струм витоку Збільшення струму витоку призводить до збільшення еквівалентної індуктивності, а отже, до зсуву частоти генерації в бік низьких частот. Від'ємний опір компенсує втрати резонансного контуру. Підбором першого та другого резисторів зміщення можна налагодити режим роботи транзистора. Фіг. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2