Ємнісний вимірювальний перетворювач

Ємнісний вимірювальний перетворювач, який містить транзистор, вимірювальну ємність, індуктивність коливального контуру та джерело живлення, який відрізняється тим, що в нього введені підстроєчна ємність зворотного зв'язку, розділь 40225 твором та стоком транзистора, і зміни значення створюваного від'ємного опору. На кресленні зображена схема запропонованого ємнісного вимірювального перетворювача. Між витоком і затвором польового канального транзистора 1 ввімкнена вимірювальна ємність 2, між витоком та стоком транзистора ввімкнена підстроєчна ємність зворотного зв'язку 3, індуктивність коливального контуру 4 та перший резистор зміщення 5 включені між затвором та стоком транзистора, який з'єднаний із загальною шиною, а другий та третій резистори зміщення 6, 7 включені між джерелом живлення та витоком і затвором транзистора 1, який через роздільну ємність 8 з'єднаний із виходом. Робота ємнісного вимірювального пepeтворювача здійснюється таким чином. Вимірювальний перетворювач являє собою коливальний контур, утворений еквівалентною ємністю, яка виникає між затвором польового транзистора 1 і загальною шиною, та індуктивністю 4. Еквівалентна ємність та від'ємний опір виникають при включенні вимірювальної ємності 2 між затвором та витоком транзистора 1 і підстроєчної ємності зворотного зв'язку 3 між стоком та витоком. При зміні зовнішнього впливу, наприклад зменшенні діелектричної проникності, що діє на чутливий елемент, зменшується його ємність. При цьому перерозподіляється напруга між затвором та витоком польового транзистора, на які подається напруга зміщення за постійним струмом через резис тори 6, 7. Перерозподіл напруги призводить до зменшення струму витоку та зменшення еквівалентної ємності, а отже, до зсуву часто ти генерації в бік високих частот. При зменшенні вимірювальної ємності зменшується від'ємний опір, який утворюється між затвором та стоком транзистора і компенсує втрати резонансного контуру, внаслідок чого зменшується добротність контур у. Підбором першого, другого та третього резисторів зміщення можна налагодити режим роботи транзистора. Фіг. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2