Спосіб видалення підвивихнутого кришталика з наступною імплантацією штучного кришталика

Номер патенту: 40313

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Сергієнко Микола Маркович, Жмурик Дмитро Васильович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб видалення підвивихнутого кришталика з наступною імплантацією штучного кришталика, що включає розтин передньої капсули з наступним введенням в екватор капсульного мішка кільця-імплантата, який відрізняється тим, що додатково вводять 1-4 дугоподібних імплантати, які фіксують нитками за допомогою голки через капсулу кришталика до плоскої частини циліарного тіла, потім здійснюють фіксацію на склері, причому фіксацію кришталикового мішка виконують до видалення ядра кришталика і кришталикових мас.

Текст

Спосіб видалення підвивихнутого кришталика з наступною імплантацією штучного кришталика, 40313 сулу в область екватора вводять дугоподібний імплантат (гаптична частина штучного кришталика) довжиною 2/5 кола капсульного мішка. Попередньо до імплантата підшивають мононитку на голці. Імплантацію підтримуючих елементів здійснюють в місці, протилежному ділянці кріплення підтримувача кришталика. Фіксацію кришталика виконують в циліарній борозні. Після виконання гідродиссекції ядро кришталика виводять в передню камеру та видаляють з ока за допомогою петлі. Далі здійснюють вимивання кришталикових мас. Операцію завершують імплантацією задньокамерного штучного кришталика, при необхідності задньою закритою субтотальною вітректомією з наступною герметизацією операційної рани. Для підтвердження можливості виконання запропонованого способу хірургічного лікування наводиться приклад оперативного втручання на трупному оці. Після фіксації очного яблука, виконували колове видалення рогівки з захватом 2 мм склери для кращої візуалізації ходу операції. Шпателем здійснювали діаліз циннових зв'язок з 9 до 3 годин. На 6 годинах в 4 мм від лімбу здійснювали склеротомічний розтин довжиною 2 мм. У виконаний розтин вводили і фіксували до його країв підтримувач кришталика. Після повернення дислокованого кришталика в його природне положення капсулярним пінцетом виконували коловий капсулорексис. Під передню капсулу в область екватора вводили 2 дугоподібних імплантати, до яких були підшиті мононитки на голках. Мононитки проводили через плоску частину циліарного тіла на 10 і 2 годинах і фіксували на склері. Далі виконували гідродиссекцію та видалення ядра кришталика. Після вимивання кришталикових мас здійснювали імплантацію задньокамерного штучного кришталика. Склеротомічний розтин зашивали Х-подібним стіжком. Таким чином, експериментально-клінічна апробація способу була здійснена на базі кафедри офтальмології Київської медичної академії післядипломної освіти імені П.Л. Шупика більш, ніж в 15 випадках. Більшу частину відробки операції виконували на трупних очах. За результатами апробації встановлено, що запропонований спосіб дозволяє зберігати капсульний мішок не тільки при дислокаціях кришталика 1 та 2-го ступеню, але й 3-го ступеню. Збереження капсульного мішка дозволяє зменшити ризик появи відшарування сітківки та запобігти розвиткові дистрофічних змін в сітківці. Збережена задня капсула забезпечує можливість імплантації задньокамерного штучного кришталика, а не іридо-кришталикову фіксацію чи підшивання в циліарній борозні, що знижує ризик ротації та появу кришталикового астигматизму. Особливістю способу є також те, що дугоподібні імплантати вводяться перед видаленням ядра кришталика і кришталикових мас. В деяких випадках це дозволяє уникнути попадання кришталикових мас в склоподібне тіло. Важливою перевагою запропонованого способу над прототипами є те, що виконується фіксація капсульного мішка, причому при необхідності вона можлива в 2-х і більше меридіанах. Відомо, що дислокований в склоподібне тіло кришталик окутаний проліферативними волокнами і без попередньої вітректомії видалення кришталика може спричинити тракцію на сітківку з наступним її відшаруванням. Запропонований спосіб робить в таких випадках вітректомію можливою як до, так і після видалення кришталика. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for removal of dislocated lens followed by implantation of artificial lens

Автори англійською

Zhmuryk Dmytro Vasyliovych, Sergiienko Mykola Markovych

Назва патенту російською

Способ удаления подвывихнутого хрусталика с последующей имплантацией искусственного хрусталика

Автори російською

Жмурик Дмитрий Васильевич, Сергиенко Николай Маркович

МПК / Мітки

МПК: A61F 9/007, A61F 9/00

Мітки: наступною, кришталика, підвивихнутого, імплантацією, спосіб, видалення, штучного

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-40313-sposib-vidalennya-pidvivikhnutogo-krishtalika-z-nastupnoyu-implantaciehyu-shtuchnogo-krishtalika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб видалення підвивихнутого кришталика з наступною імплантацією штучного кришталика</a>

Подібні патенти