Спосіб видалення підвивихнутого кришталика з наступною імплантацією штучного кришталика
Номер патенту: 40313
Опубліковано: 16.07.2001
Формула / Реферат
Спосіб видалення підвивихнутого кришталика з наступною імплантацією штучного кришталика, що включає розтин передньої капсули з наступним введенням в екватор капсульного мішка кільця-імплантата, який відрізняється тим, що додатково вводять 1-4 дугоподібних імплантати, які фіксують нитками за допомогою голки через капсулу кришталика до плоскої частини циліарного тіла, потім здійснюють фіксацію на склері, причому фіксацію кришталикового мішка виконують до видалення ядра кришталика і кришталикових мас.
Текст
Спосіб видалення підвивихнутого кришталика з наступною імплантацією штучного кришталика, 40313 сулу в область екватора вводять дугоподібний імплантат (гаптична частина штучного кришталика) довжиною 2/5 кола капсульного мішка. Попередньо до імплантата підшивають мононитку на голці. Імплантацію підтримуючих елементів здійснюють в місці, протилежному ділянці кріплення підтримувача кришталика. Фіксацію кришталика виконують в циліарній борозні. Після виконання гідродиссекції ядро кришталика виводять в передню камеру та видаляють з ока за допомогою петлі. Далі здійснюють вимивання кришталикових мас. Операцію завершують імплантацією задньокамерного штучного кришталика, при необхідності задньою закритою субтотальною вітректомією з наступною герметизацією операційної рани. Для підтвердження можливості виконання запропонованого способу хірургічного лікування наводиться приклад оперативного втручання на трупному оці. Після фіксації очного яблука, виконували колове видалення рогівки з захватом 2 мм склери для кращої візуалізації ходу операції. Шпателем здійснювали діаліз циннових зв'язок з 9 до 3 годин. На 6 годинах в 4 мм від лімбу здійснювали склеротомічний розтин довжиною 2 мм. У виконаний розтин вводили і фіксували до його країв підтримувач кришталика. Після повернення дислокованого кришталика в його природне положення капсулярним пінцетом виконували коловий капсулорексис. Під передню капсулу в область екватора вводили 2 дугоподібних імплантати, до яких були підшиті мононитки на голках. Мононитки проводили через плоску частину циліарного тіла на 10 і 2 годинах і фіксували на склері. Далі виконували гідродиссекцію та видалення ядра кришталика. Після вимивання кришталикових мас здійснювали імплантацію задньокамерного штучного кришталика. Склеротомічний розтин зашивали Х-подібним стіжком. Таким чином, експериментально-клінічна апробація способу була здійснена на базі кафедри офтальмології Київської медичної академії післядипломної освіти імені П.Л. Шупика більш, ніж в 15 випадках. Більшу частину відробки операції виконували на трупних очах. За результатами апробації встановлено, що запропонований спосіб дозволяє зберігати капсульний мішок не тільки при дислокаціях кришталика 1 та 2-го ступеню, але й 3-го ступеню. Збереження капсульного мішка дозволяє зменшити ризик появи відшарування сітківки та запобігти розвиткові дистрофічних змін в сітківці. Збережена задня капсула забезпечує можливість імплантації задньокамерного штучного кришталика, а не іридо-кришталикову фіксацію чи підшивання в циліарній борозні, що знижує ризик ротації та появу кришталикового астигматизму. Особливістю способу є також те, що дугоподібні імплантати вводяться перед видаленням ядра кришталика і кришталикових мас. В деяких випадках це дозволяє уникнути попадання кришталикових мас в склоподібне тіло. Важливою перевагою запропонованого способу над прототипами є те, що виконується фіксація капсульного мішка, причому при необхідності вона можлива в 2-х і більше меридіанах. Відомо, що дислокований в склоподібне тіло кришталик окутаний проліферативними волокнами і без попередньої вітректомії видалення кришталика може спричинити тракцію на сітківку з наступним її відшаруванням. Запропонований спосіб робить в таких випадках вітректомію можливою як до, так і після видалення кришталика. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for removal of dislocated lens followed by implantation of artificial lens
Автори англійськоюZhmuryk Dmytro Vasyliovych, Sergiienko Mykola Markovych
Назва патенту російськоюСпособ удаления подвывихнутого хрусталика с последующей имплантацией искусственного хрусталика
Автори російськоюЖмурик Дмитрий Васильевич, Сергиенко Николай Маркович
МПК / Мітки
МПК: A61F 9/007, A61F 9/00
Мітки: наступною, кришталика, підвивихнутого, імплантацією, спосіб, видалення, штучного
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-40313-sposib-vidalennya-pidvivikhnutogo-krishtalika-z-nastupnoyu-implantaciehyu-shtuchnogo-krishtalika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб видалення підвивихнутого кришталика з наступною імплантацією штучного кришталика</a>