Пристрій для плазмово-дугово напилення покриттів

Пристрій для плазмово-дугового напилення покриттів із використанням ламінарного плазмового струменя, що містить катодний вузол, виносний анодний вузол, систему охолодження та вузол подачі порошку, який відрізняється тим, що вузол подачі порошку розміщений в верхній частині плазмотрона з можливістю подачі порошку безпосередньо в соплову частину, а канал подачі газопорошкової суміші катодного вузла в початковій ділянці горіння дуги виконаний під кутом 20°-40° до осі плазмового струменя. (19) (21) u201006125 (22) 20.05.2010 (24) 10.11.2010 (46) 10.11.2010, Бюл.№ 21, 2010 р. (72) ЧОРНИЙ АНДРІЙ ВЯЧЕСЛАВОВИЧ, СМИРНОВ ІГОР ВОЛОДИМИРОВИЧ, КОПИЛОВ ВЯЧЕСЛАВ ІВАНОВИЧ, СЄЛІВЕРСТОВ ІГОР АНАТОЛІЙОВИЧ, ЗІБЕРОВ МАКСИМ ЛЕОНІДОВИЧ (73) НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ "КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ" 3 Поставлена задача вирішується тим, що у пристрої для плазмово-дугового напилення покриттів із використанням ламінарного плазмового струменя, що містить катодний вузол, виносний анодний вузол, систему охолодження та вузол подачі порошку новим є те, що вузол подачі порошку розміщений в верхній частині плазмотрону з можливістю подачі порошку безпосередньо в соплову частину, а канал подачі газопорошкової суміші катодного вузла в початковій ділянці горіння дуги виконаний під кутом 20 ...40 до осі плазмового струменя. Суть запропонованого пристрою пояснюється кресленням, де на Фіг. показаний плазмотрон для напилення покриттів із використанням ламінарного плазмового струменя, та супутньою подачею газопорошкової суміші. Розроблена конструкція має ізолювальний корпус 7, який включає катодний вузол 2, сопловий вузол 3, вузол подачі газопорошкової суміші 4, у верхній частині встановлений живильник 5, а в нижній частині розташований анодний вузол 6. Катодний вузол складається з корпусу 7, який містить у собі канал подачі газопорошкової суміші 22, співвісно встановлені електрод 8, цанга 9. Катодний вузол з'єднаний різьбовим з'єднанням з сопловим вузлом 3, який містить водопідвідний корпус 10, співвісно встановлені змінне плазмоутворююче сопло 11 і сопло захисного газу 12. Переміщення електроду 8 вздовж осі плазмотрона здійснюється за допомогою корпусу 13, при обертанні якого змінюємо відстань від кінця електрода до зрізу змінного сопла 11. У нижній частині ізолювального корпуса 1 розташований анодний вузол 6, що містить співвісно встановлені корпус анода 14, притискну гайку 15, Комп’ютерна верстка А. Крижанівський 54496 4 змінний анод 16, нарізну гайку 17, для переміщення виносного аноду вздовж осі катода і фіксуючий штифт 18. Пристрій працює в такий спосіб. Вмикають подачу води через канал 19 в систему охолодження плазмотрона. Вода проходить через сопловий вузол 3 і охолоджує його. Вмикають подачу плазмоутворюючого газу через канал 20, захисного газу через канал 21 та транспортуючого газу через канал 23. Плазмоутворюючий газ через катодний вузол підводиться до змінного плазмоутворюючого сопла 11, і через канал сопла спрямовується назовні до змінного анода 16. Захисний газ підводиться через водопідвідний корпус 10 у порожнину сопла 12 захисного газу і утворює кільцевий струмінь навколо струменя плазми. Запалюють дугу між кінцем електрода 8 і верхньою кромкою змінного анода 16. Відбувається іонізація плазмоутворюючого газу і утворення плазмового струменя. Змінюючи положення виносного анодного вузла 6 щодо змінного сопла 11 обертанням нарізної гайки 17 і положення електрода 8 щодо змінного сопла 11 обертанням корпуса цанги 13, керують потужністю і довжиною плазмового струменя. У плазмовий струмінь через вузол подачі газопорошкової суміші 4, розташованого в катодному вузлі супутньо подають напилюваний матеріал. Йде процес нанесення покриття. Дане виконання пристрою дає змогу напилювати порошкові матеріали різної фракції в тому числі ультрадисперсні порошки, а більша потужність плазмотрону ( 5кВт), дозволяє напилювати тугоплавкі керамічні порошки та підвищує ступінь проплавлення частинок, що сприяє покращенню якості напилених покриттів. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601