Стабілізатор низьковольтної напруги змінного струму

Стабілізатор низьковольтної напруги змінного струму, який містить перший p-n-р транзистор, другий п-р-п транзистор, резистор, першу і другу ВХІДНІ шини, першу і другу ВИХІДНІ шини, бази першого і другого транзисторів з'єднані між собою, емітер першого транзистора підключено до першої вхідної шини, а його колектор з'єднано з першою вихідною шиною, емітер другого транзистора через резистор підключено до другої вхідної шини, а його колектор з'єднано з другою вихідною шиною, який відрізняється тим, що до нього впроваджені третій п-р-п транзистор и четвертий р-п-р транзистор, при цьому бази третього і четвертого транзисторів з'єднані між собою, колектори цих транзисторів підключені ВІДПОВІДНО до першої і другої вихідних шин, а їх емітери з'єднані з емітерами ВІДПОВІДНО першого і другого транзисторів Винахід належить до електротехніки та може використовуватись для живлення низьковольтних ланцюгів змінного струму Існує відомий параметричний стабілізатор напруги змінного струму (див а с СРСР №710036, кл G05F3/06), який містить трансформатор, котрий має насичений і ненасичений магнітопроводи та три обмотки Недолік цього пристрою - великі габарити і вага Найбільш близьким до передбачувального винаходу є пристрій (див а с СРСР №1221705, Н02М7/155), який МІСТІТЬ перший p-n-р транзистор, другий п-р-п транзистор, резистор, першу і другу ВХІДНІ шини, першу і другу ВИХІДНІ шини, бази першого і другого транзисторів з'єднані між собою, емітер першого транзистора підключено до першої вхідної шини, а його колектор з'єднано з першою вихідною шиною, емітер другого транзистора через резистор підключено до другої вхідної шини, а його колектор з'єднано з другою вихідною шиною Недолік цього пристрою - стабілізація напруги тільки постійного струму Ознаками прототипу, які збіжні з суттєвими ознаками винаходу, який заявляється, є перший р-пр транзистор, другий п-р-п, транзистор, резистор, перша і друга ВХІДНІ ШИНИ, перша і друга ВИХІДНІ шини, бази першого і другого транзисторів з'єднані між собою, емітер першого транзистора підключено до першої вхідної шини, а його колектор з'єднано з першою вихідною шиною, емітер другого тра нзистора через резистор підключено до другої вхідної шини, а його колектор з'єднано з другою ВИХІДНОЮ ШИНОЮ Причиною, яка перешкоджає одержанню бажаного результату - стабілізації напруги як постійного, так й змінного струму - є відсутність доповнюючих елементів, з'єднаних з іншими елементами пристрою певними схемотехнічними рішеннями В основу винаходу поставлено задачу розширення функціональних можливостей стабілізатора шляхом роботи його як на постійному, так й на змінному струмі Поставлене завдання вирішується таким чином, що стабілізатор низковольтної напруги змінного струму МІСТІТЬ чотири транзистора, із котрих перший і четвертий р-п-р транзистори, а другий і третій п-р-п транзистори, бази першого і другого, а також третього і четвертого транзисторів попарно з'єднані між собою, емітери першого і третього транзисторів з'єднані з першою вхідною шиною, а колектори цих транзисторів підключені до першої вихідної шини, емітери другого і четвертого транзисторів через резистор з'єднані з другою вхідною шиною, а колектори цих транзисторів підключені до другої вихідної шини Стабілізатор низьковольтної напруги змінного струму відрізняється від прототипу тим, що до нього впроваджені третій п-р-п транзистор і четвертий р-п-р транзистор, при цьому бази третього і четвертого транзисторів з'єднані між собою, колектори 00 1 ю 59778 цих транзисторів підключені ВІДПОВІДНО ДО першої і другої вихідним шинам, а їх емітери з'єднані з емітерами ВІДПОВІДНО першого і другого транзисторів Доказом наявності причинно-наслідкового зв'язку між сукупністю суттєвих ознак винаходу й технічним результатом є та обставина, що технічний результат - розширення функціональних можливостей стабілізатора - може бути досягнутим тільки при використовуванні всієї сукупності суттєвих ознак винаходу У відсутності в технічному рішенні хоча б однієї ознаки технічний результат не досягається На кресленні зображена схема стабілізатора Стабілізатор низьковольтної напруги змінного струму містить чотири 1 4 транзистора, із котрих перший 1 і четвертий 4 p-n-р транзистори, а другий 2 і третій 3 n-p-п транзистори, бази першого 1 і другого 2, а також третього 3 і четвертого 4 транзисторів попарно з'єднані між собою, емітери першого 1 і третього 3 транзисторів з'єднані з першою 6 вхідною шиною, а колектори цих транзисторів підключені до першої 8 вихідноїшини, емітери другого 2 і четвертого 4 транзисторів через резистор 5 з'єднані з другою 7 вхідною шиною, а колектори цих транзисторів підключені до другої 9 вихідної шини Стабілізатор працює таким чином Коли плюс змінної напруги прикладається до шини 6, а мінус до шини 7, емітерні переходи транзисторів 1 і 2 зміщуються в прямому напрямку Транзистори 1 і 2 працюють у інжекційному Комп'ютерна верстка Н Лисенко режимі За рахунок надлишкового заряду дірок у колекторі транзистора 1 виникає позитивний інжекційний потенціал, а за рахунок надлишкового заряду електронів у колекторі транзистора 2 виникає негативний потенціал Між колекторами транзисторів 1 і 2 виникає інжекційна напруга Транзистори 3 і 4 в цей час закриті Коли плюс змінної напруги прикладається до шини 7, а мінус - до шини 6, емітерні переходи транзисторів 4 і 3 зміщуються в прямому напрямку Транзистори 4 і 3 працюють у інжекційному режимі, та між колекторами цих транзисторів виникає інжекційна напруга Таким чином, при будь якій полярності напруги на шинах 6 і 7, на вихідних шинах 8 і 9 з'являється інжекційна напруга такої ж полярності Максимальна величина інжекційної напруги визначається рівноватною висотою бар'єра колекторного переходу транзисторів Через те максимальна вихідна напруга інжекційних транзисторів не буде перевищувати величини ^вих max ~ ^Фко> ~ де фко - рівноватна висота бар'єра колекторного переходу транзистора Це дозволяє стабілізувати вихідну напругу пристрою Функціональні можливості запропонованого пристрою ширші ніж у відомих за рахунок його роботи як на постійному, так і на змінному струмі Підписано до друку 06 10 2003 Тираж39 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, Львівська площа, 8, м Київ, МСП, 04655, Україна ТОВ "Міжнародний науковий комітет", вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна