Спосіб генерування плазми

1 Спосіб генерування плазми шляхом подачі речовини, що створює плазму, в зону електроіскрового розряду, який відрізняється тим, що в зону електроіскрового розряду інжектують тонкодисперсний полімшеральний кристалопд ратний порошок 2 Спосіб по п 1, який відрізняється тим, що як тонкодисперсний полімшеральний кристалопдратний порошок використовують цеоліти, бентоніти, діатоміти, вермикуліти або їх суміші Винахід стосується плазменної техніки і може бути використаний в різноманітних галузях промисловості, включаючи теплоенергетику, хімічну промисловість, металургію і т п Відомим Є спосіб генерації плазми шляхом подачі газу, що створює плазму, (повітря, азоту, водню, метану, аргону і т д ) у зону електроіскрового розряду, що виникає між анодом і катодом Газ, проходячи через зону розряду, нагрівається, іонізується і витікає у вигляді плазменного струменю через отвір між катодом і анодом (книга А Л Сурис "Плазмохимические процессы и аппараты", М Химия, 1989г і книга В Д Пархоменко "Технология плазмохимических производств", Киев, 1991г) На цьому принципі працюють усі ВІДОМІ, ОСВОЄНІ промисловістю плазмотрони (Св СССР №1760949, кл Н05Н1/24, 1995р, №1771386, кл Н05Н1/24, 1994р , опис винаходу до патенту Роси №2055449 кл Н05Н1/00, Н05Н1/24, оп у1996р, описи винаходів до патентів Роси №2045133, кл Н05Н1/00, 1995р, №2105407, кл Н05Н1/00, 1998р , №2134928, H02N3/00, 1999р) Найбільш близьким технічним рішенням до заявленого технічного рішення є спосіб генерування плазми, який описано у книзі В Д Пархоменко "Технологія плазмохімічних виробництв", Київ, 1991 р , полягає в тому, що в зону електроіскрового розряду, що виникає між анодом і катодом, подають перегрітий водяний пар Проходячи через зону розряду, перегрітий пар іонізується з утворенням водню і кисню і витікає у вигляді плазменного струменю через отвір між катодом і анодом Недолік способу генерування плазми за про тотипом полягає в його низькій ефективності, тому що в процесі проходження перегрітого пару через зону електроіскрового розряду іонізується тільки частина молекул води Задачею, яка вирішується за даним винаходом, є створення ефективного способу генерування плазми за рахунок збільшення електропровідності середовища в міжелектродному просторі Задача вирішується завдяки тому, що в способі генерування плазми шляхом подачі речовини, що створює плазму, у зону електроіскрового розряду, ВІДПОВІДНО до дійсного винаходу, в зону електроіскрового розряду інжектують тонкодісперсний полімшеральний кристалопдратний порошок Заміна перегрітого пару, який застосовується в способі за прототипом як речовина, що створює плазму, і подається в зону електроіскрового розряду, на тонкодісперсні полімшеральні кристалопдратні порошки, дозволяє істотно збільшити потужність плазми, що генерується, за рахунок зростання електропровідності середовища в міжелектродному просторі Ефект пояснюється тим, що енергія зв'язків молекулярно-плівкової води, що міститься в кристалогідратах, значно менше енергії іонізації перегрітого пара і для її розкладання потрібно значно менше енергії, ніж для іонізації перегрітого пару Як тонкодісперсний полімінеральний кристалопдратний порошок, застосовують цеоліти, бентоніти, діатоміти, вермикуліти або їх суміші Приклад У зону електроіскрового розряду, що виникає в міжелектродному просторі, инжектують цеоліт со (О З 61723 4 бентонітовий порошок, розмір часток якого досяіонізації молекулярно-плівкової води в порівнянні з гає 3-8мкм Під ВПЛИВОМ високої температури відмолекулами води перегрітого пара, але і тим, що бувається дегідратація кристалогідратів із вивільнемає потреби в енерговитратах на одержання ненням вільного водню, який створює водневу перегрітого пара, а порошок інжектують у міжелекплазму тродне простір у холодному стані Ще одною пеЕфективність способу за даним винаходом ревагою даного винаходу є можливість багаторапояснюється не тільки менш витратним процесом зового використання порошку Комп'ютерна верстка М Клюкш Підписне Тираж39 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, Львівська площа, 8, м Київ, МСП, 04655, Україна ДП "Український інститут промислової власності", вул Сім'ї Хохлових, 15, м Київ, 04119