Спосіб перетворення напруги

Спосіб перетворення напруги на основі ємності, що виконана з нелінійного діелектрика, включає охолодження ємності, прикладення до неї електричної напруги, який відрізняється тим, що після зарядки ємності підвищують температуру ємності із подальшою її розрядкою Винахід відноситься до радіоелектроніки, зокрема до перетворюючої техніки Відомий спосіб перетворення низької напруги до високої [1], що включає до свого складу паралельний заряд ємностей низькою напругою та послідовний їх розряд Реалізація відомого способу здійснюється за відомою схемою Аркад ьєваМаркса Спосіб дозволяє здійснити перетворення низької напруги до високої, однак недоліком цього способу є складна, а тому недостатньо надійна схема реалізації Вказані недоліки частково усунені у відомому способі перетворення напруги з використанням нелінійних діелектричних крюелектронних конденсаторів [2], до складу якого входять охолодження ємності, прикладення напруги із подальшою дією світлового випромінювання Цей спосіб значно спрощує схему реалізації за рахунок використання нелінійних конденсаторів, що додає їй надійності, однак дія світлового випромінювання не дозволяє суттєво змінити діелектричні характеристики, зокрема відносну діелектричну проникливість s, що не дозволяє дістатися значному коефіцієнту перетворення напруги В основу винаходу поставлено задачу підвищення коефіцієнту перетворення напруги шляхом охолодження ємності, що виконана із нелінійного діелектрика, зарядом и низькою електричною напругою, із подальшим послідовним підвищенням температури та розрядом ємності Реалізація запропонованого способу здійснюється наступним чином Діелектрична проникливість s нелінійного діе лектрика, що входить до складу ємності, залежить від температури Типова залежність s від температури, наприклад ВаТЮз, наведена на фіг Ця залежність найбільш яскраво відображена в обмеженому температурному інтервалі поблизу температури Кюри (Т=120оС) Так в межах температурного інтервалу (80°120°С) відносна діелектрична проникливість s змінюється від 3000 до 100000, більш ніж у ЗО разів Нехай при температурі Ті=110°С ємність буде С-і, та si=10000, а при температурі Т2=80°С ємність зменшиться та буде дорівнювати Сг, за рахунок зменшення величі відносної діелектричної проникливості S Тоді, ЗДІЙСНЮЮЧИ заряд ємності від джерела струму Vo при Т-і, одержується величина заряду, що дорівнює qi=CiVo Потім відключаємо ємність від джерела струму та змінюємо температуру до позначки Тг Його ємність зменшиться та стане дорівнювати Сг, а напруга V2 зросте І так як велич заряду залишилася незмінною (qi=q2), то напруга V2 зросте пропорційно ЗМІНІ величі ємності V9=b_Vn=^-Vn L S-, U U °2 S 2 Для наведеного прикладу зростання напруги V2 здійснюється більш ніж у ЗО разів у порівнянні з Vo Після розряду ємності її температуру повертають до початкової позначки Таким чином перетворювач напруги працює у режимі періодичного охолодження та нагріву Суттєвими ознаками, які співпадають з прототипом, є здійснення операції перетворення напруги на основі ємності, що виконана з нелінійного (О 62227 діелеісгрика та включає до свого складу охолоВІДПОВІДНІСТЬ критерію суттєві відзнаки дження ємності і прикладення до неї електричної Таким чином використання запропонованого напруги способу у порівнянні з відомими дозволяє підвиСуттєвою ознакою, яка відрізняється від прощити надійність перетворюючого пристрою за ратотипу, є те, що після заряду ємності підвищується хунок значного скорочення КІЛЬКОСТІ елементів температура ємності із подальшим її розрядом перетворюючого блоку та суттєво знизити масогабаритні характеристики Таким чином запропонований спосіб відповіДжерела інформації дає критерію винаходу "новизна" Порівняння запропонованого рішення не тіль1 Патент України №37086А, НОЗКЗ/53, Бюл ки з прототипом, але і з іншими рішеннями у цій №3, 2001 галузі техніки не дозволяє виявити в них ознаки, 2 А С СССР №1035653А, H01G7/06, Бюл які відокремлюють запропоноване рішення від №30, 1983 прототипу, що дозволяє зробити висновок про Комп'ютерна верстка М Клюкш Підписне Тираж39 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, Львівська площа, 8, м Київ, МСП, 04655, Україна ДП "Український інститут промислової власності", вул Сім'ї Хохлових, 15, м Київ, 04119