Твердотільний газовий сенсор

1. Твердотільний газовий сенсор, що містить газочутливий шар і електроди, який відрізняється тим, що електроди, які знаходяться у контакті з газочутливим шаром, мають різну хімічну природу 3 17424 4 металевої фази виконано методом евапорації ропо-перше, необхідність розігріву газочутливого зчинника, наприклад, ацетону, ацетонітрилу або шару потребує включення до конструкції додаткодиметилформаміду із розчина солі 7,7,8,8 - тетравої схеми живлення для пропускання струму через цианохінодиметана. У процесі випарювання розплівковий нагрівач, що ускладнює конструкцію сечинника до струмопідводів 3, 7 прикладається нансора; пруга від зовнішнього джерела, у результаті чого по-друге, оскільки принцип роботи сенсора бана межах розподілу газочутливий шар - метал фозується на вимірюванні різниці потенціалів непормуються електроди різної хімічної природи, які ляризованих електродів (ЕРС), для забезпечення мають різні потенціали. відтворюваності результатів стан електродів у Запропонований сенсор діє наступним чином. кожному циклі вимірювань має бути строго тотожГазовий агент, який аналізується, адсорбується на ним вихідному, чого на практиці важко досягти за поверхні газочутливого шару 1 і збільшує його умовами хемосорбції та термічного впливу. електропровідність. Квазіодномірний характер Запропоновану корисну модель спрямовано провідності кристалів солей 7,7,8,8 - тетрацианохіна створення твердотільного газового сенсора, нодиметана призводить до її потужної залежності вихідним параметром якого є зміна струму у ланвід розподілення електронної густини, яке, у свою цюзі сенсора завдяки зміні опору газочутливої плічергу, підлягає суттєвим змінам при адсорбційних вки, яка знаходиться у постійному електричному процесах. Це обумовлює специфічність впливу на полі. Це забезпечує стабільність параметрів робопровідність різних газоподібних речовин. Оскільки ти у часі, спрощення конструкції і способу виготовгазочутливий шар знаходиться в електричному лення сенсора. полі електродів 2, 6, збільшення провідності призПоставлена задача вирішується твердотільводить до збільшення струму у електричному ланним газовим сенсором, що пропонується. Цей сенцюзі, створеному шляхом підключення струмопідсор містить газочутливий шар і електроди, які знаводів 3, 7 до постійного опору 4. У якості вихідного ходяться у контакті з газочутливим шаром, мають сигналу використовується падіння напруги на цьорізну хімічну природу і сформовані з матеріалу му опорі, яке реєструється за допомогою підклюгазочутливого шару і металевого струмопідвода. ченого до опору високоомного вольтметра 5. ГаКрім того, газочутливий шар є іон - радикальна зочутлива речовина у запропонованому сенсорі сіль 7,7,8,8 - тетрацианохінодиметана. функціонує за нормальних умов, що виключає неЕлектроди сформовані під напругою, яка пообхідність нагрівального пристрою. Це спрощує дається від зовнішнього джерела. конструкцію сенсора та схему його підключення. Твердотільний контакт газочутливого шару і Спрощення схеми підключення забезпечується металевої фази виконано методом евапорації ротакож наявністю у запропонованому сенсорі внутзчинника з розчину солі 7,7,8,8 - тетрацианохінорішнього джерела струму. До того ж внутрішнє диметана. джерело енергії дозволяє реалізувати просту і Металевий струмопідвод виконано з міді. надійну схему реєстрації вихідного сигналу. Все це На фігурі схематично зображено запропонозабезпечує суттєві переваги запропонованого сенваний твердотільний газовий сенсор. сора у порівнянні з відомим. Сенсор містить газочутливий шар 1, який є іон Джерела інформації - радикальною сіллю 7,7,8,8 - тетрацианохіноди1. А.с. 1797027 СССР, МКИ G01 N 27/12. Пометану. З сіллю контактують два електроди 2, 6, лупроводниковый датчик состава газов и способ які мають різну хімічну природу і сформовані на его изготовления/ И.В. Паршиков, Л.Т. Рамус, А.П. межі контакту газочутливого шару 1 і металевих, Бутырский. - Опубл. 1993, Бюл. изобрет. №7. наприклад, мідних, струмопідводячих контактів 2. Патент РФ 2100801, МКИ G01 N 27/12. Тве3, 7. рдотельный газовый сенсор/ А.В. Ефименко, Т.Л. Твердотільний контакт газочутливого шару і Семенова. - Опубл. 1997. ки: 5 Комп’ютерна верстка Л. Купенко 17424 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601