Спосіб озимої сівби насіння соняшника

Спосіб озимої сівби насіння соняшника, що включає обробку його насіння, який відрізняється 3 19914 на 8-10 та 6-8см у час масового проростання насіння бур'янів та за потрібної для цього кількості опадів. За прототип, тобто найближчий аналог, пропонованого рішення прийнятий відомий авторам спосіб підготовки насіння до сівби, що включає обробку захисно-стимулюючими речовинами [див. патент України UA №33603 А, МПК6 А 01 С 1/00, 2001]. Недоліком відомого способу є незначна врожайність та низька ефективність його, яка обумовлена неможливістю повного використання весняної вологи та низки інших агротехнічних чинників, які не використовуються при загальноприйнятих весняних термінах висівання насіння соняшнику. Для виконання пропонованого способу сівби соняшнику за 3-5 днів до його виконання проводять передпосівну культивацію на глибину загортання насіння поперек або по діагоналі до запланованого напряму сівби. Важливим агрозаходом у технології озимої сівби соняшнику є підготовка насіння: після калібрування його протруюють і обробляють препаратами, які дозволяють зберігати життєздатність насіння на досить тривалий час. До таких препаратів належить шпалерний клей КМЦ. Такий захист згаданим препаратом утворює товсту надійну оболонку, яка захищає насіння від різних уражень і захворювань. Автори застосовували новий препа 4 рат, склад якого не наведений, так як він має бути захищеним окремим патентом. Весняне висівання насіння соняшнику має такий недолік, як пошкодження рослин білою і сірою гниллю, що припадає на період дозрівання соняшнику. Крім цього, травневі заморозки вражають рослини і вони більш уразливі, ніж ті, які виросли з висівного весняного насіння, тому що вони переносять заморозки від 0°С до - 6°С. Напівпарова зяблева оранка ґрунту на кінці літа виконується на глибину 25-27см, після лущіння стерні попередника. Крім цього восени виконують дві різноглибинні культивації після випадіння дощів, та проростання бур'янів. Передпосівну культивацію на глибину 4-5см здійснюють до сівби у листопаді місяці. Така методика озимої сівби опрацьована і перевірена на ланах Луганщини і може бути загальноприйнятою для інших регіонів України. Ця методика створює сприятливі умови для надраннього отримання сходів насіння у порівнянні з весняним посівом. Передпосівна культивація ґрунту на глибину загортання насіння 5-6см створює сприятливі умови для надраннього отримання сходів насіння у порівнянні з весняним посівом. Достовірна прибавка урожайності соняшнику підтверджена дослідами, які виконані Луганським національним аграрним університетом, і становить 3-4ц/га. Ці дані наведені в таблиці за 2002-2005, яка додається. Таблиця Урожайність гібрида і сорту соняшнику в залежності від строків сівби і передпосівної обробки насіння, ц/га (2002-2005pp.) Фактична густота Урожайність, ц/га рослин перед збиПовторення ранням 1 2 3 4 Насіння, що протравлено і інкрустоване» гідрофобним препаратом Кій 55,2 19,4 19,7 20,4 18,9 Озимий (лис- Харківський 96 55,1 21,9 21,8 22,3 21,2 топад) «Ной» Донський 60 45,3 21,3 21,9 22,0 21,2 Насіння, що оброблене та протравлене Кій 5,0 2,3 3,7 3,7 3,9 Озимий (лис- Харківський 96 5,0 3,7 3,6 3,5 3,6 топад) «Ной» Донський 60 4,2 3,5 3,7 3,2 3,5 Насіння, що протравлено і інкрустовано гідрофобним препаратом Кій 55,9 14,6 16,1 16,3 15,0 Харківський 96 Весняний 55,5 18,0 18,0 17,5 18,1 «Ной» Донський 60 45,6 16,7 19,0 17,4 18,9 Насіння, що оброблене та протравлене Кій 55,5 14,9 16,3 14,4 15,0 Харківський 96 Весняний 55,7 16,8 17,0 16,0 16,6 «Ной» Донський 60 45,9 17,0 17,1 18,1 17,0 Строк сівби Гібрид, сорт Середня 19,6 21,8 21,6 3,4 3,6 3,5 15,5 17,9 18,0 14,9 16,6 17,3 5 Комп’ютерна в ерстка М. Ломалова 19914 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601