Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить нікель, хром і кремній, який відрізняє ться тим, що він містить зазначені речовини у вигляді чистих елементарних речовин, при наступному вмісті компонентів, мас. %: хром 30,00-35,00 кремній 2,0-3,0 нікель решта. (19) (21) u200600789 (22) 30.01.2006 (24) 15.01.2007 (46) 15.01.2007, Бюл. № 1, 2007 р. (72) Гончарко Володимир Семенович, Сафронов Сергій Антонович, Демченко Валентина Андріївна (73) ВІДКРИТЕ АКЦІОНЕРНЕ ТОВАРИСТВО "РЕОМ" 3 19879 При вмісті компонентів більшому, ніж верхнє значення заявленого інтервалу компонентів, резистивний матеріал при виготовленні з нього плівки, шляхом тонкошарового напилювання на підставу резистора, не забезпечує зазначеного технічного результату: має менший діапазон питомого поверхневого опору, та підвищення температурного коефіцієнта опору. Запропонований резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів готують у такий спосіб. Чисті елементарні, котрі беруть у виді порошків, нікель, хром, кремній змішують при їхньому співвідношенні, мас. %: Хром 30,00-35,00 Кремній 2,0-3,0 Нікель інше З отриманої суміші, готують по будь - якому з застосовуваних у порошковій металургії технологічному процесові, або шляхом вакуумної плавки, готують мішені. Отримані мішені використовують для одержання тонкоплівкового резистивного покриття шляхом вакуумного напилювання на підставу резистора, по будь - якому з застосовуваних у цій галузі те хнологічному процесу. Отримане тонкоплівкове резистивне покриття має наступні характеристики: діапазон питомого опору 1,5-80 Ом/□, при товщині шару 1000-2000 А°, коефіцієнт температурного опору: 0-50 10-6С°. Приклад № 1. Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів готують у такий спосіб. У ємність вводять у виді чистих порошків елементарні нікель, хром і кремній, при їхньому наступному співвідношенні, мас. %,: хром - 30,00 %, кремній - 2,0 %, нікель - 63 %. Після одержання однорідної суміші, з неї готують , по будь - якому з застосовуваних у порошковій металургії технологічному процесу, або шляхом вакуумної плавки, готують мішені. Отримані мішені використовують для одержання тонкоплівкового резистивного покриття шляхом вакуумного напилювання на підставу резистора, по будь - якому з застосовуваних у цій області технологічному процесові. Отримане тонкоплівкове резистивне покриття має наступні характеристики: діапазон питомого опору 1,5-80 Ом/, при товщині шару 1000-2000 А°, коефіцієнт температурного опору: 0-50 10-6 С°. Приклад № 2. Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів готують аналогічно як і Комп’ютерна в ерстка Д. Шев ерун 4 в прикладі № 1, за винятком вмісту компонентів, мас. %: хром - 35,0, кремній - 3,0, нікель - 62,0 %. Після одержання однорідної суміші, з неї готують, по будь - якому з застосовуваних у порошковій металургії те хнологічному процесові, або шляхом вакуумної плавки, готують мішені. Отримані мішені використовують для одержання тонкоплівкового резистивного покриття шляхом вакуумного напилювання на підставу резистора, по будь - якому з застосовуваних у цій області технологічному процесу. Отримане тонкоплівкове резистивне покриття має наступні характеристики: діапазон питомого опору 1,5-80 Ом/, при товщині шару 1000-2000 А°, та коефіцієнт температурного опору: 1-50 10-6 C°. Приклад 3. Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів готують аналогічно як і в прикладі № 1, за винятком вмісту компонентів, мас. %: хром - 28,0, кремній - 1,5, нікель - 71,5,0 %. Після одержання однорідної суміші, з неї готують, по будь - якому з застосовуваних у порошковій металургії технологічному процесу, або шляхом вакуумної плавки, готують мішені. Отримані мішені використовують для одержання тонкоплівкового резистивного покриття шляхом вакуумного напилювання на підставу резистора, по будь - якому з застосовуваних у цій галузі те хнологічному процесові. Отримане тонкоплівкове резистивне покриття має наступні характеристики: діапазон питомого опору 1,5-80 Ом/, при товщині шару 1000-2000 А°, та коефіцієнт температурного опору: 1,2-50 10-4 С°. Приклад 4. Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів готують аналогічно як і в прикладі № 1, за винятком вмісту компонентів, мас. %: хром - 38,0, кремній - 4,0, нікель - 58,0 %. Після одержання однорідної суміші, з неї готують, по будь - якому з застосовуваних у порошковій металургії технологічному процесу, або шляхом вакуумної плавки, готують мішені. Отримані мішені використовують для одержання тонкоплівкового резистивного покриття шляхом вакуумного напилювання на підставу резистора, по будь - якому з застосовуваних у цій галузі те хнологічному процесу. Отримане тонкоплівкове резистивне покриття має наступні характеристики: діапазон питомого опору 1,5-80 Ом/, при товщині шару 1000-2000 А°, та коефіцієнт температурного опору: 1,5-40 10-4С°. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601