Багатокольоровий електролюмінесцентний пристрій

1. Багатокольоровий електролюмінесцентний (ЕЛ) пристрій, що містить три послідовно розміщені ЕЛ-шари з різними кольорами свічення, який відрізняється тим, що ЕЛ-шари мають різну від 3 вищенні частоти збуджуючої напруги ємнісний опір ЕЛ-шарів буде змінюватись, що приводить до перерозподілу зовнішньої напруги між ЕЛ-шарами. При цьому швидкість зміни ємнісного опору, при зміні збуджуючої частоти, буде більшою для ЕЛшару з меншою ( e ). В результаті, при зростанні частоти збуджуючої зовнішньої напруги, падіння напруги буде переміщуватись і збільшуватись на ЕЛ- шарах з більшою ( e ). Тобто зміну кольору свічення запропонованого пристрою можна здійснювати зміною частоти збуджуючої напруги, при постійній величині зовнішньої напруги. Для підвищення ефективності перерозподілу зовнішньої напруги, ЕЛ-шари вибираються різної товщини. При цьому, чим більша ( e ), товщина ЕЛ-шару повинна бути меншою, що приведе до збільшення напруженості (Е) електричного поля прикладеного до даного шару. Суттєвим є те, що яскравість свічення таких шарів на кілька порядків буде більшою ніж в прототипі і досягає величини 102Кд/м2. На Фіг.1 приведено переріз запропонованого багатокольорового ЕЛ-пристрою з однаковими товщинами ЕЛ-шарів, а на Фіг.2 - з різними товщинами ЕЛ- шарів. Запропонований багатокольоровий ЕЛ-пристрій складається з скляної пластини 1, з нанесеним на неї нижнім прозорим струмопровідним шаром-2 зверху якого послідовно нанесеній ЕЛ-шари 3, 4 та 5 з різною ( e ), непрозорий діелектричний шар-6 і непрозорий верхній металічний електрод - 7. Пристрій працює наступним чином: на нижній прозорий електрод-2 та верхній металічний електрод-7 подається зовнішня змінна електрична напруга. Внаслідок того, що ( e ) для ЕЛ-шарів має різне значення, то ємнісний опір буде найбільшим в шарі з найменшим ( e ). В результаті, на цьому шарі, буде найбільше падіння зовнішньої напруги, а значить найбільша напруженість Е - електричного поля. Тому, при заданій малій частоті зовнішньої напруги, буде спостерігатися свічення ЕЛшару з найменшим ( e ). При збільшення частоти зовнішньої збудженості напруги, ємнісний опір ЕЛшарів буде зменшуватись. Суттєвим буде те, що швидкість зменшення ємнісного опору буде біль 33581 4 шою для ЕЛ-шару з меншою ( e ). В результаті напруга на цьому шарі буде швидше зменшуватись ніж на шарі з більшою ( e ). Тому при збільшенні частоти зовнішньої збуджуючої напруги, будуть по черзі засвічуватись шари з більшою ( e ). Так як яскравість свічення в даних структурах визначається напруженістю Е - електричного поля прикладеної до даного ЕЛ-шару, то зменшуючи товщину цих шарів для речовин з більшою ( e ), можна збільшити чутливість пристрою при зміні кольору свічення ЕЛ-шарів. Це обумовлено тим, що при зменшенні товщини ЕЛ-шару при сталій напрузі (U) напруженість електричного поля (Е) на цьому шарі зростає. Тобто до ефекту дії частоти зовнішньої напруги на величину напруженості Е - електричного поля прикладеної до даного шару, добавляється фактор зміни товщини ЕЛ-шару. При цьому слід пам'ятати, що швидкість зростання величини ( e ) повинна бути більшою за швидкість зменшення товщини ЕЛ-шарів. В якості матеріалу для ЕЛ-шарів можна використати Аl2О3, CdF2-Mn, Cdj2-Mn. Прозорий струмопровідний шар отримується на основі SnO2, In2O3, для діелектричних шарів ТіО2, Si3N4. Таким чином, використовуючи ЕЛ-шари з різним кольором свічення і з різною відносною діелектричною проникністю ( e ) можна отримувати багатокольоровий ЕЛ-пристрій із зміною кольору свічення за допомогою зміни частоти зовнішньої збуджуючої напруги. Це приводить до спрощення керування запропонованим пристроєм, в порівнянні з прототипом. Крім того отримується пристрій з набагато вищою яскравістю свічення і чутливістю, в порівнянні з прототипом. Використані джерела при складанні заявки. 1. Власенко Н.А. и др. Изменение спектра электролюминесценции пленок ZnS легированных марганцем. - Труды по электролюминесценции. Тарту, 1979, вип.8, с.35-44. 2. Прикладная электролюминесценция. Под ред. Фока М.В. М., «Сов. Радио», 1974. с.124-128, 225-226. 5 Комп’ютерна верстка А. Рябко 33581 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601