Спосіб прогнозування рівня урожаю насіння гібриду соняшнику одеський 149 на визначений період часу

Спосіб прогнозування рівня урожаю насіння гібриду соняшнику Одеський 149 на визначений період часу, який включає розрахунок величини урожаю за кількістю внесених добрив, який відрізняється тим, що проводяться розрахунки за су 3 47030 4 1. полицевий обробіток на глибину 20-22 см; цей період найбільш яскраво простежувалась від2. безполицевий обробіток на глибину 20-22 мінність у використанні посівами скоростиглих гібсм. ридів соняшнику ефективних температур. Фактор С - фон живлення: Результати кореляційного та регресійного 1.без добрив; аналізу зв'язку врожаю гібриду Одеський 149 з 2.N30P45; досліджуваними факторами представлені в таб3.N60P90. лиці 1. Найсильніше (r=0,9064) на зміну врожаю Міжфазний період цвітіння - фізіологічна стигданого гібриду, як свідчать розрахунки, впливали лість, як було встановлено нами, є найбільш відпопередники основного та проміжних посівів. Коповідальним щодо впливу на формування врожаю реляційна залежність урожаю з фоном живлення та якості насіння соняшнику. Через різницю в стробула середньою (r=0,3501). та слабка (r=0,0287) - з ках сівби в основних та проміжних посівах, саме в основним обробітком ґрунту. Таблиця 1 Результати кореляційного і регресійного аналізів даних урожаю насіння соняшнику t - критерій До якого Xi відносяться дані R - множинний і D – загальний і di b i b коефіцієrі - парні коефіцієнти часткові коефіцієн- o 1 нти регресії кореляції ти детермінації фактичний X1X2X3 0,9721 0,9450 -7,9260 X1, 0,0287 0,0008 0,0066 0,5475 X2 0,9064 0,8216 0,0501 17,2834 Хз 0,3501 0,1226 0,0373 0,05 6,6756 Примітки: Хі - обробіток ґрунту (полицевий та безполицевий на 20-22 см -витрати енергії, ГДж/га); Х2 - попередник основного та проміжних посівів соняшнику (сума ефективних температур (°С), використана основними та проміжними посівами соняшнику за міжфазний період цвітінняфізіологічна стиглість); Х3 - норма внесення мінеральних добрив, кг д.р./га. Загальна частка досліджуваних факторів в зміні врожаю склала 94,50 %. За значущістю фактори розташувались наступним чином: попередники основного та проміжних посівів соняшнику забезпечили 82,16 %, мінеральні добрива - 12,26 % і лише 0,08 % - частка основного обробітку ґрунту в зміні врожаю скоростиглих гібридів соняшнику. Збільшення витрат енергії на проведення основного обробітку ґрунту на 1 ГДж/га забезпечує зростання врожайності насіння на 0,66 кг/га; збільшення використаної за період цвітінняфізіологічна стиглість ефективної температури повітря на 1 °С - на 5,01 кг/га; збільшення дози внесення азотно-фосфорних добрив на 1 кг/га д.р. - на 3,73 кг/га. Достовірність отриманих даних висока, оскільки величина розрахованого t-критерію для досліджуваних факторів (за винятком обробітку ґрунту) перевищує його теоретичне значення. Якщо врожай насіння соняшнику подати у вигляді залежної перемінної (результуючого фактора Y), то рівняння лінійної множинної регресії можна представити за допомогою формули: 2,06 Y=b0+b1X,+b2Х2+b3Х3+ ....+ bnХn, де Y - залежна перемінна; bо - вільний член моделі; b1 - коефіцієнти моделі; X1; - фактори моделі. Коефіцієнти моделі bi показують ступінь середньої зміни залежної змінної Y за умови зміни фактора Xi на одиницю, якщо інші фактори, включені в модель, залишаються постійними. На основі розрахунків коефіцієнтів регресії та вільного члену було складене рівняння регресії для гібриду Одеський 149: Y=0,0066Х1+0,0501Х2+0,0373Х3-7,9260. Формула добре пояснює і підтверджує отримані у досліді дані урожайності. Близьке сходження ліній фактичного та розрахункового врожаю (фіг.) засвідчує, що ця формула досить точно відображає отримані в досліді урожайні дані гібриду соняшнику Одеський 149. Використання формули врожаю в умовах, близьких за природнокліматичними умовами, з виконанням всіх рекомендованих агротехнічних заходів та наявності необхідних виробничих ресурсів дозволяє з високою точністю програмувати врожаї насіння соняшнику гібриду Одеський 149. Використані джерела: 1. Агрохімія. Городній М. М., Мельник С. І., Маліновський А. С. та інші / 2-е видання перероблене і доповнене. - К.: ТОВ " Алефа", 2003. - 778 с. 5 47030 6 Фіг. Комп’ютерна верстка Г. Паяльніков Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601