Транзисторний детектор швидких нейтронів

Транзисторний детектор швидких нейтронів, який містить чутливий до радіації нейтронів біполярний транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введені другий і третій чутливі до радіації нейтронів біполярні транзистори, перший, другий, третій і четвертий резистори, перша і друга ємності і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора підключений до бази першого чутливого до радіації нейтронів біполярного транзистора, колектор якого з'єднаний із першим виводом другого резистора, першим виводом першої ємно A 1 3 71191 4 рення транзисторного детектора швидких нейтроливі до радіації нейтронів перший, другий і третій нів, в якому за рахунок введення нових блоків і біполярні транзистори викликає як зміну ємності, зв'язків між ними досягається підвищення чутлитак і індуктивність коливального контуру, що привості виміру швидких нейтронів. водить до зміни резонансної частоти, при цьому Поставлена задача вирішується тим, що в можлива лінеаризація функції перетворення шляпристрій, який складається із чутливого до радіації хом вибору величини напруги живлення. нейтронів біполярного транзистора і джерела поНа креслені подано схему транзисторного дестійної напруги, введено другий і третій чутливі до тектора швидких нейтронів. радіації нейтронів біполярні транзистори, перший, Пристрій містить перше джерело постійної надругий, третій і четвертий резистори, перша і друпруги 1, яке через перший резистор 2 підключено га ємності і друге джерело постійної напруги, що до чутливих до радіації нейтронів першого біполядало змогу замінити перетворення дози швидких рного транзистора 3 і другого біполярного транзинейтронів у напругу у відомому пристрої на перестора 4, паралельно колекторам яких підключено творення дози швидких нейтронів у часто ту у запослідовне коло з другого резистора 5 і третього пропонованому пристрої, причому перший полюс резистора 6. Послідовне коло з першої ємності 7 і першого джерела постійної напруги з'єднаний з четвертого резистора 8 підключено до емітера і першим виводом першого резистора, а другий колектора третього чутливого до радіації нейтровивід першого резистора підключений до бази нів біполярного транзистора 9, до колектора якого першого чутливого до радіації нейтронів біполярі загальної шини підключена друга ємність 10, паного транзистора, колектор якого з'єднаний із пералельно якій підключено друге джерело постійної ршим виводом другого резистора, першим вивонапруги 11. Вихід пристрою утворений колектором дом першої ємності, який утворює першу ви хідну першого чутливого до радіації нейтронів біполярклему, і емітером третього чутливого до радіації ного транзистора 3 і загальною шиною. нейтронів біполярного транзистора, база якого Транзисторний детектор швидких нейтронів підключена до другого виводу першої ємності і працює таким чином. першого виводу четвертого резистора, а другий В початковий момент часу доза швидких нейтвивід четвертого резистора з'єднаний з колекторонів не діє на чутливі до радіації нейтронів біпором третього чутливого до радіації нейтронів біполярні транзистори 3, 4 і 9. Підвищенням напруги лярного транзистора, колектор якого підключений джерела постійної наруги 1 через резистор 2 і до першого виводу другої ємності і першого полюджерела постійної напруги 11 до величини, коли са другого джерела постійної напруги, а другий на електродах колектор-колектор чутливих до раполюс другого джерела постійної напруги з'єднадіації нейтронів біполярних транзисторів 3, 4 вининий з другим виводом другої ємності, другим викає від'ємний опір, який приводить до виникнення водом третього резистора, колектором другого електричних коливань у контурі, утвореним парачутливого до радіації нейтронів біполярного транлельним включенням повного опору з ємнісним зистора і другим полюсом першого джерела похарактером на електродах колектор-колектор чутстійної напруги, які утворюють загальну шину, до ливих до радіації нейтронів біполярних транзистоякої підключена друга вихідна клема, при цьому рів 3, 4 та повним опором з індуктивним характеперший вивід третього резистора підключений до ром, величина індуктивності якого визначається бази другого чутливого до радіації нейтронів біпорезистором 7, на електродах емітер-колектор чутлярного транзистора і другого виводу др угого реливого до радіації третього біполярного транзисзистора, а емітери першого і другого чутливи х до тора 9. Ємність 10 запобігає проходженню зміннорадіації нейтронів біполярних транзисторів з'єднаго стр уму через джерело постійної напруги 11. При ні між собою. наступній дії дози швидких нейтронів на чутливі до Використання запропонованого транзисторнорадіації нейтронів біполярні транзистори 3, 4 і 9 го детектора швидких нейтронів суттєво підвищує змінюється як ємнісна так і індуктивна складова чутливість пристрою за рахунок використання як повного опору на електродах колектор-колектор ємнісного елемента коливального контуру, так і чутливи х до радіації нейтронів біполярних транзиіндуктивного елемента коливального контуру у сторів 3, 4 та повного опору на електродах емітервигляді чутливи х до радіації нейтронів першого, колектор чутливого до радіації нейтронів третього другого і третього біполярних транзисторів. Зміна біполярного транзистора 9, що викликає зміну ревеличини дози швидких нейтронів, яка діє на чутзонансної частоти коливального контуру. 5 Комп’ютерна в ерстка В. Мацело 71191 6 Підписне Тираж 37 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601