Напівпровідниковий пристрій для виміру дози швидких нейтронів

Напівпровідниковий пристрій для виміру дози швидких нейтронів, який містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введені другий і третій чутливі до радіації нейтронів польові транзистори, перший і другий резистори, перша і друга ємності і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора підключений до затвору першого чутливого до радіації нейтронів польового транзистора, стік якого з'єднаний із затвором другого чутливого до радіації нейтронів польового транзи A 1 3 71190 4 гу у відомому пристрої на перетворення дози швивеличини напруги живлення. дких нейтронів у частоту у запропонованому приНа креслені подано схему напівпровідникового строї, причому перший полюс першого джерела пристрою для виміру дози швидких нейтронів. постійної напруги з'єднаний з першим виводом Пристрій містить перше джерело постійної напершого резистора, а другий вивід першого резиспруги 1, яке через перший резистор 2 підключено тора підключений до затвору першого чутливого до чутливи х до радіації нейтронів першого польодо радіації нейтронів польового транзистора, стік вого транзистора 3 і другого польового транзистоякого з'єднаний із затвором другого чутливого до ра 4, стік якого з'єднаний з третім чутливим до радіації нейтронів польового транзистора та із радіації нейтронів польовим транзистором 5, пазатвором третього чутливого до радіації нейтронів ралельно стокам яких підключено послідовне коло польового транзистора, які утворюють першу ви хіз першої ємності 6 і другого резистора 7, послідодну клему, при цьому виток і затвор третього чутвно з яким до загальної шини підключено другу ливого до радіації нейтронів польового транзистоємність 8, паралельно якій підключено друге джера з'єднані між собою, а до витоку третього рело постійної напруги 9. Вихід пристрою утворечутливого до радіації нейтронів польового транзиний затвором другого чутливого до радіації стора підключено перший вивід першої ємності, а нейтронів польового транзистора 4 і загальною другий вивід першої ємності з'єднаний із першим шиною. виводом другого резистора і підкладкою третього Напівпровідниковий пристрій для виміру дози чутливого до радіації нейтронів польового транзишвидких нейтронів працює таким чином. стора, до стоку якого підключено другий вивід друВ початковий момент часу доза швидких нейгого резистора, перший полюс другого джерела тронів не діє на чутли ві до радіації нейтронів постійної напруги і перший вивід другої ємності, а польові транзистори 3, 4 і 5. Підвищенням напруги другий вивід др угої ємності підключений до другоджерела постійної наруги 1 через резистор 2 і го полюса другого джерела постійної напруги, стоджерела постійної напруги 9 до величини, коли на ку друго го чутливого до радіації нейтронів польоелектродах стік-стік чутливих до радіації нейтронів вого транзистора і другого полюса першого польових транзисторів 3, 4 виникає від'ємний опір, джерела постійної напруги, які утворюють загальякий приводить до виникнення електричних колину шину, до якої підключена друга вихідна клема, вань у контурі, утвореним паралельним включенпри цьому витоки і підкладки першого і другого ням повного опору з ємнісним характером на чутливи х до радіації нейтронів польових транзиселектродах стік-стік чутливих до радіації нейтронів торів з'єднані між собою. польових транзисторів 3, 4 та повним опором з Використання запропонованого індуктивним характером, величина індуктивності напівпровідникового пристрою для виміру дози якого визначається резистором 7, на електродах швидких нейтронів суттєво підви щує чутливість затвор-стік чутливого до радіації третього польопристрою за рахунок використання як ємнісного вого транзистора 5. Ємність 8 запобігає проходелемента коливального контуру, так і індуктивного женню змінного струму через джерело постійної елемента коливального контуру у вигляді чутливих напруги 9. При наступній дії дози швидких нейдо радіації нейтронів першого, другого і третього тронів на чутливі до радіації нейтронів польові польових транзисторів. Зміна величини дози транзистори 3, 4 і 5 змінюється як ємнісна так і швидких нейтронів, яка діє на чутливі до радіації індуктивна складова повного опору на електродах нейтронів перший, другий і третій польові транзистік-стік чутливи х до радіації нейтронів польових стори викликає як зміну ємності, так і індуктивність транзисторів 3, 4 та повного опору на електродах коливального контуру, що приводить до зміни резатвор-стік чутливого до радіації нейтронів третьозонансної частоти, при цьому можлива го польового транзистора 5, що викликає зміну лінеаризація функції перетворення шляхом вибору резонансної частоти коливального контур у. Комп’ютерна в ерстка Н. Лисенко Підписне Тираж 37 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601