Мікроелектронний сенсор для виміру магнітної індукції

Мікроелектронний сенсор для виміру магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені двозатворний польовий транзистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом C2 2 (13) 1 3 77810 4 ного магніточутливого транзистора, трьох другим полюсом першого джерела постійної нарезисторів, через які здійснюється живлення з пруги, другим виводом другого резистора, другим постійного струму, і джерела постійної напруги. виводом ємності і другим полюсом другого джереПри відсутності магнітного поля інжектовані ла постійної напруги, які утворюють загальну шиемітером носії заряду розподіляються порівну між ну, до якої підключена друга ви хідна клема. колекторами і їх стр уми рівні між собою. Використання запропонованого Відповідно до цього потенціали колекторів однамікроелектронного сенсора для виміру магнітної кові і різниця напруг між колекторами дорівнює індукції підвищує чутли вість і точність виміру нулю. При дії поперечного магнітного поля інформативного параметру за рахунок виконання відбувається відхилення потоку носіїв заряду в ємнісного елемента на основі біполярного двокосторону одного із колекторів, що приводить до лекторного магніточутливого транзистора і двозазростання його струму і зменшення струму другого творного польового транзистора, який разом з колектора. У зв'язку з цим, потенціал одного коіндуктивністю утворюють коливальний контур. При лектора зменшується, а др угого зростає, що викдії магнітної індукції на біполярний двоколекторний ликає зростання напруги між колекторами із магніточутливий транзистор змінюється ємнісна підвищенням індукції магнітного поля. При зміні складова повного опору на електродах першого напрямку магнітного поля змінюється і полярність колектора біполярного двоколекторного напруги між колекторами (див. И.М. Викулин, В.И. магніточутливого транзистора і стоку двозатворноСтафеев. Физика полупроводниковых приборов. го польового транзистора, що приводить до зміни М.: Радио и связь, 1990, с.227-230, рис. 7.18). резонансної частоти коливального контуру. Недоліком такого пристрою є мала чутливість і Лінеаризація функції перетворення відбувається точність виміру магнітної індукції. Це пов'язано з за рахунок вибору напруги живлення. тим, що при малих значеннях магнітної індукції На кресленні подано схему мікроелектронного зміна напруги між колекторами є незначною. сенсора для виміру магнітної індукції. В основу винаходу поставлена задача ствоПристрій містить джерело постійної напруги 1, рення мікроелектронного сенсора для виміру резистор 2 і 3, біполярний двоколекторний магнітної індукції, в якому за рахунок введення магніточутливий транзистор 4, двозатворний нових блоків і зв'язків між ними досягається перепольовий транзистор 5, індуктивність 6. Ємність 7 творення магнітної індукції в частоту, що підвищує підключена паралельно джерелу постійної напруги чутливість і точність виміру магнітної індукції. 8. Вихід пристрою утворений першим колектором Поставлена задача вирішується тим, що в біполярного двоколекторного магніточутливого пристрій, який містить біполярний двоколекторний транзистора 4 і загальною шиною. магніточутливий транзистор, два резистора і джеМікроелектронний сенсор для виміру магнітної рело постійної напруги, введені двозатворний індукції працює таким чином. В початковий момент польовий транзистор, індуктивність, ємність і друге часу магнітна індукція не діє на біполярний двокоджерело постійної напруги, що дало змогу лекторний магніточутливий транзистор 4. замінити перетворення магнітної індукції в напругу Підвищенням напруги джерела постійної напруги 1 у відомому пристрої на перетворення магнітної і джерела постійної напруги 8 до величини, коли індукції у частоту в запропонованому, причому на електродах перший колектор біполярного двоперший полюс першого джерела постійної напруги колекторного магніточутливого транзистора 4 і з'єднаний з першим виводом першого резистора, а стоку двозатворного польового транзистора 5 видругий вивід першого резистора з'єднаний із перникає від'ємний опір, який приводить до виникненшою базою біполярного двоколекторного ня електричних коливань в контурі, який утворений магніточутливого транзистора, а друга база паралельним включенням повного опору з біполярного двоколекторного магніточутливого ємнісною складовою на електродах перший колектранзистора з'єднана з першим виводом другого тор біполярного двоколекторного магніточутливого резистора, при цьому перший колектор транзистора 4 і стоку двозатворного польового біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора 5 та повного опору з індуктивною транзистора підключений до першого затвору двоскладовою індуктивності 6. Резистори 2 і 3 затворного польового транзистора і першого виздійснюють електричне живлення біполярного воду індуктивності, який утворює першу ви хідну двоколекторного магніточутливого транзистора 4 і клему, а др угий вивід індуктивності з'єднаний з двозатворного польового транзистора 5. Ємність 7 першим виводом ємності і першим полюсом другозапобігає проходженню змінного струму через го джерела постійної напруги, при цьому др угий джерело постійної напруги 8. При наступній дії колектор біполярного двоколекторного магнітної індукції на біполярний двоколекторний магніточутливого транзистора з'єднаний з другим магніточутливий транзистор 4 змінюється ємнісна затвором двозатворного польового транзистора, а складова повного опору на електродах перший його підкладка з'єднана із витоком, який колектор біполярного двоколекторного підключений до емітера біполярного двоколектормагніточутливого транзистора 4 і стік двозатворноного магніточутливого транзистора, при цьому стік го польового транзистора 5, що викликає зміну двозатворного польового транзистора з'єднаний з резонансної частоти коливального контуру. 5 Комп’ютерна в ерстка М. Клюкін 77810 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601