Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції

Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені магніточутливий тунельно-резонансний діод, па 40239 гим виводом резистора, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга ви хідна клема. Використання запропонованого пристрою для виміру магнітної індукції суттєво підвищує чутливість і точність виміру інформативного параметру за рахунок використання ємнісного елемента коливального контуру у вигляді магніточутливого тунельно-резонансного діода, в якому зміна ємнісної складової повного опору під дією магнітної індукції перетворюється в ефективну зміну резонансної частоти, а також за рахунок можливості лінеаризації функції перетворення шляхом вибору величини напруги живлення. На кресленні (фіг.) надано схему мікроелектронного пристрою для виміру магнітної індукції. Пристрій містить джерело постійної напруги 1, яке здійснює живлення через резистор 2 і конденсатор 3 магніточутливого тунельно-резонансного діода 4. Пасивна індуктивність 5 підключена послідовно з джерелом постійної напруги 1. Вихід при строю утворений виводом магніточутливого тунельно-резонансного діода 4 і загальною шиною. Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції працює таким чином. В початковий момент часу магнітна індукція не діє на магніточутливий тунельно-резонансний діод 4. Підвищенням напруги джерела 1 до величини, коли на електродах магніточутливого тунельнорезонансного діода 4 виникає від'ємний опір, який призводить до виникнення електричних коливань в контурі, утвореним послідовним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах магніточутливого тунельно-резонансного діода 4 та індуктивним опором пасивної індуктивності 5. Резистор 2 і конденсатор 3 запобігають проходженню змінного струму через джерело напруги 1, а також стабілізують режим живлення. При наступній дії магнітної індукції на магніточутливий тунельно-резонансний діод 4 змінюється ємнісна складова його повного опору, що викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Фіг. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2