Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури, що містить польовий транзистор, конденсатор, резистор та перше і друге джерела напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введені біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглина C2 2 88814 1 3 88814 4 із стоком другого польового транзистора, при цьорика і поглиначем випромінювання і другим полюму витоки першого і другого польового транзистосом першого джерела напруги, які утворюють рів з'єднані між собою, а затвор другого польового загальну шину, до якої підключена друга вихідна транзистора з'єднаний із стоком першого польовоклема. го транзистора, до якого підключена перша вихідНа кресленні наведено схему мікроелектронна клема та перший вивід пасивної індуктивності, а ного пристрою для виміру температури. другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з Пристрій містить перше джерело напруги 1, першим виводом конденсатора і першим полюсом що під'єднано одним полюсом до затвору польодругого джерела напруги, при цьому другий вивід вого транзистора 4 з напиленими плівкою піроелеконденсатора з'єднаний з другим полюсом другого ктрика 3 і поглиначем випромінювання 2, а іншим джерела напруги, стоком польового транзистора і полюсом до колектора біполярного транзистора 5, другим полюсом першого джерела напруги, які який під'єднано до заземлення, витік польового утворюють загальну шину, до якої підключена друтранзистора 4 з'єднаний з емітером біполярного га вихідна клема. транзистора 5, а стік польового транзистора 4 Недоліком даного пристрою є невисока чутлиз'єднаний з емітером біполярного транзистора 8, вість і точність вимірювання. база біполярного транзистора 5 з напиленими пліВ основу винаходу поставлено задачу ствовкою піроелектрика 6 і поглиначем випромінюванрення мікроелектронного пристрою для виміру ня 7 з'єднана зі стоком польового транзистора 4. температури, в якому за рахунок введення нових Перший конденсатор 9 і резистор 10 підключені блоків та зв'язків між ними досягається можливість паралельно емітеру і колектору біполярного транотримання на виході пристрою частотного сигналу, зистора 8, колектор якого підключений до другого що підвищує чутливість і точність вимірювання. конденсатора 11, до якого паралельно під'єднано Поставлена задача досягається тим, що в мікдруге джерело напруги 12. роелектронний пристрій для виміру температури, Пристрій працює наступним чином. В початкоякий містить польовий транзистор, конденсатор, вий момент часу температура не діє на поглиначі резистор, перше джерело напруги і друге джерело випромінювання 2 і 7. Підвищення напруги джерел напруги, на затвор польового транзистора напинапруги 1 і 12 до величини, коли на електродах лено плівку піроелектрика і поглинач випромінюстік - колектор польового транзистора 4 і біполярвання, введено біполярний транзистор з напиленого транзистора 5 виникає від'ємний опір, який ними на базу плівкою піроелектрика і поглиначем приводить до виникнення електричних коливань в випромінювання, біполярний транзистор, другий контурі, утвореному паралельним з'єднанням повконденсатор, причому затвор польового транзисного опору з ємнісним характером на електродах тора з напиленими плівкою піроелектрика і поглистік - колектор польового транзистора 4 і біполярначем випромінювання з'єднаний з першим полюного транзистора 5 та повним опором з індуктивсом першого джерела напруги, а другий полюс ним характером на електродах емітер-колектор першого джерела напруги з'єднаний із колектором біполярного транзистора 8. Другий конденсатор 11 біполярного транзистора з напиленими на базу запобігає проходженню змінного струму через друплівкою піроелектрика і поглиначем випромінюге джерело напруги 12. При наступній дії темперавання, при цьому витік польового транзистора з тури, теплове випромінювання поглинається понапиленими на затвор плівкою піроелектрика і глиначами випромінювання 2 і 7 і передається на поглиначем випромінювання і емітер біполярного напилені на затвор польового транзистора 4 і базу транзистора з напиленими на базу плівкою піробіполярного транзистора 5 плівки піроелектрика 3 і електрика і поглиначем випромінювання з'єднанні 6. Теплова дія потужності випромінювання W виміж собою, а база біполярного транзистора з накликає зміну температури DT піроелектрипиленими плівкою піроелектрика і поглиначем вика(W®DT), зміна температури DT зумовлює появу промінювання з'єднана зі стоком польового транзарядів DQ на електродах піроелектрика (DT®DQ), зистора з напиленими на затвор плівкою заряд DQ на електродах піроелектрика створює піроелектрика і поглиначем випромінювання, до різницю потенціалів U(DQ®U), яка додається до якого підключена перша вихідна клема, та емітер напруги, що існує на електродах затвор-витік біполярного транзистора і перший вивід першого польового транзистора 4 і база-емітер біполярного конденсатора, при цьому база біполярного трантранзистора 5 і змінює значення ємності коливазистора з'єднана з другим виводом першого конльного контуру, утвореного паралельним з'єднанденсатора і першим виводом резистора, а колекням повного опору з ємнісним характером на елетор біполярного транзистора з'єднаний з другим ктродах стік - колектор польового транзистора 4 і виводом резистора і першим виводом другого біполярного транзистора 5 та повним опором з конденсатора та першим полюсом другого джереіндуктивним характером на електродах емітерла напруги, при цьому другий вивід другого конколектор біполярного транзистора 8, а це викликає денсатора з'єднаний з другим полюсом другого зміну резонансної частоти коливального контуру. джерела напруги, колектором біполярного транзистора з напиленими на затвор плівкою піроелект 5 Комп’ютерна верстка В. Мацело 88814 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601