Ільченко Олена Миколаївна

Номер патенту: 69636

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: сенсор, потужності, оптично, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий сенсор оптичної потужності, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-транзистор, перший, другий і третій резистори, перший і другий конденсатори, загальну шину, причому затвор першого МДН-транзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід третього резистора та другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який...

Номер патенту: 64807

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Савчук Богдан Сергійович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01R 19/25

Мітки: густини, пристрій, потужності, напівпровідниковий, виміру, оптично

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий пристрій для виміру густини оптичної потужності, який містить джерело постійної напруги, перший і другий конденсатори, перший і другий резистори, загальну шину, причому другий вивід другого конденсатора і другий полюс джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, двозатворний МДН-транзистор, третій, четвертий і п'ятий конденсатори, пасивну індуктивність,...

Номер патенту: 55475

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: рівня, сенсор, рідини, частотним, мікроелектронний, виходом

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор рівня рідини з частотним виходом, який містить оптоволоконний розгалужувач, що має першу та другу оптоволоконну лінію та вихідні оптоволокна, джерело світла, фотодіод, причому джерело світла підключене до оптоволоконного розгалужувача через першу оптоволоконну лінію, а фотодіод підключений до оптоволоконного розгалужувача через другу оптоволоконну лінію, який відрізняється тим, що введено вимірювальне коло, яке...

Номер патенту: 55474

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: потужності, частотний, сенсор, оптично, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний частотний сенсор оптичної потужності, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-транзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело...

Номер патенту: 92244

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: фоточутливим, індуктивним, випромінювання, оптичного, вимірювання, пристрій, елементом, активним

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання оптичного випромінювання з активним індуктивним фоточутливим елементом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатори, два резистори, який відрізняється тим, що додатково містить другий та третій МДН-фототранзистори, причому всі три МДН-фототранзистори виконані з прозорим затворним електродом із ауруму, чутливим до оптичного випромінювання, а поверхня підкладки, вільна від...

Номер патенту: 90032

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01J 1/44

Мітки: піроелектричний, температурний, сенсор, транзисторний

Формула / Реферат:

Транзисторний піроелектричний температурний сенсор, що містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано шар піроелектрика і чутливий до випромінювання електрод затвору, причому області стоку, витоку і електрод затвору розташовані на одній площині, а область витоку зв'язана з областю стоку через область каналу, який відрізняється тим, що вільна від піролектрика поверхня підкладки є чутливою до...

Номер патенту: 88814

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01K 7/00

Мітки: мікроелектронний, пристрій, температури, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури, що містить польовий транзистор, конденсатор, резистор та перше і друге джерела напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введені біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика...

Номер патенту: 87585

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01J 5/58, G01K 7/00

Мітки: потужності, вимірювання, теплової, пристрій, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності, який містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор та перше і друге джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введений біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, причому затвор польового транзистора з...

Номер патенту: 87584

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01J 1/44

Мітки: потужності, оптично, мікроелектронний, сенсор

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори та резистор, який відрізняється тим, що додатково містить другий і третій МДН-фототранзистори, при цьому всі МДН-фототранзистори виконані шляхом створення зі зворотної сторони підкладки під областю каналу глибоких пазів, площа перерізу (А) кожного з яких задовольняє співвідношеннюA<S/n, деS - площа каналу,...

Номер патенту: 42212

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: виходом, потужності, вимірювання, частотним, основі, пристрій, транзисторів, оптично, фоточутлівих

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання оптичної потужності з частотним виходом на основі фоточутливих транзисторів, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два резистори, два конденсатори, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини,...

Номер патенту: 42211

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: оптичного, виходом, мікроелектронний, частотним, вимірювач, випромінювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, перший і другий конденсатори, перший і другий резистори, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 42210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: освітленням, транзисторний, двостороннім, сенсор, каналу, фоточутливий

Формула / Реферат:

Транзисторний фоточутливий сенсор з двостороннім освітленням каналу, який містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано прозорий до оптичного випромінювання затворний електрод із ауруму, причому області стоку, витоку і прозорий затворний електрод із Аu розташовані на одній площині, витік зв'язаний зі стоком через канал, який відрізняється тим, що поверхня напівпровідникової підкладки, покрита...

Номер патенту: 42207

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: оптичного, основі, випромінювання, мікроелектронний, сенсор, фоточутливої, транзисторної, структури

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, який містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний...

Номер патенту: 42205

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: частотним, сенсор, мікроелектронний, виходом, оптично, потужності

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, пасивну...

Номер патенту: 31974

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01J 1/44

Мітки: оптичного, випромінювання, мікроелектронний, вимірювач

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання, що містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної...

Номер патенту: 31510

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01K 7/00

Мітки: сенсор, температури, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор температури, який містить польовий транзистор, резистор, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а другий вивід другого конденсатора - з другим полюсом другого джерела напруги, який відрізняється тим, що введено перший біполярний транзистор, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, другий біполярний транзистор і другий...

Номер патенту: 31603

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44

Мітки: виміру, оптичного, пристрій, мікроелектронний, випромінювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до затвору МДН-транзистора і першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого...

Номер патенту: 31170

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01K 7/00

Мітки: пристрій, температури, виміру

Формула / Реферат:

Пристрій для виміру температури, який містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерело напруги, причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, введено перший і другий біполярні транзистори, другий конденсатор, причому другий полюс першого джерела напруги...

Номер патенту: 31065

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01J 5/58

Мітки: вимірювання, потужності, теплової, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання теплової потужності, що містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор, перше і друге джерело напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, крім того введено біполярний транзистор, причому затвор польового транзистора з напиленими плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання з'єднаний з першим полюсом першого джерела...

Номер патенту: 31114

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01J 5/58

Мітки: мікроелектронний, сенсор, теплової, потужності

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор теплової потужності, який містить польовий транзистор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, перше джерело постійної напруги, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, котушку індуктивності, конденсатор і друге джерело постійної напруги, причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела постійної напруги, а другий полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний...

Номер патенту: 30180

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01J 1/44

Мітки: виміру, мікроелектронний, оптично, пристрій, потужності

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичної потужності, який містить джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, конденсатор, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, причому перший та другий МДН-фототранзистори виконано з непрозорим затворним електродом із алюмінію, із зворотної сторони підкладки яких під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне...

Номер патенту: 30177

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44

Мітки: вимірювач, оптично, потужності, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, індуктивний елемент, конденсатор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги, а як індуктивний елемент використано МДН-фототранзистор з непрозорим затворним електродом із алюмінію, у якому зі зворотної сторони підкладки під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з...