Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Пристрій для виміру температури, який містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерело напруги, причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, введено перший і другий біполярні транзистори, другий конденсатор, причому другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із колектором першого біполярного транзистора, причому витік польового транзистора з напиленими на затвор плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання і емітер першого біполярного транзистора з'єднані між собою, а база першого біполярного транзистора з'єднана зі стоком польового транзистора з напиленими на затвор плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, до якого підключена перша вихідна клема, та емітер другого біполярного транзистора і перший вивід першого конденсатора, причому база другого біполярного транзистора з'єднана з другим виводом першого конденсатора і першим виводом резистора, а колектор другого біполярного транзистора з'єднаний з другим виводом резистора і першим виводом другого конденсатора та першим полюсом другого джерела напруги, причому другий вивід другого конденсатора з'єднаний з другим полюсом другого джерела напруги, колектором першого біполярного транзистора і другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема.

Текст

Пристрій для виміру температури, який містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерело напруги, причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняє ться тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, введено перший і другий біполярні транзистори, другий конденсатор, причому другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із колектором першого біполярного транзистора, причому витік польового транзистора U 2 (19) 1 3 31170 4 напруги, стоком польового транзистора і другим Пристрій працює наступним чином. В полюсом першого джерела напруги, які утворюють початковий момент часу температура не діє на загальну шину, до якої підключена друга вихідна поглинач випромінювання 2. Підвищення напруги клема. джерел напруги 1 і 10 до величини, коли на Недоліком даного пристрою є невисока електродах стік-колектор польового транзистора 4 чутливість і точність вимірювання. і першого біполярного транзистора 5 виникає В основу корисної моделі поставлено задачу від'ємний опір, який приводить до виникнення створення пристрою для виміру температури, в електричних коливань в контурі, утвореному якому за рахунок введення нових блоків та зв'язків паралельним з'єднанням повного опору з ємнісним між ними досягається можливість отримання на характером на електродах стік-колектор польового виході пристрою частотного сигналу, що підвищує транзистора 4 і першого біполярного транзистора чутливість і точність вимірювання. 5 та повним опором з індуктивним характером на Поставлена задача досягається тим, що в електродах емітер-колектор другого біполярного пристрій для виміру температури, який містить транзистора 6. Конденсатор 9 запобігає польовий транзистор, конденсатор, резистор, проходженню змінного струму через друге перше джерело напруги і друге джерело напруги джерело напруги 10. При наступній дії введено перший і другий біполярний транзистор, температури, теплове випромінювання другий конденсатор, причому затвор польового поглинається поглиначем випромінювання 2 і транзистора з напиленими плівкою піроелектрика і передається на напилену на затвор польового поглиначем випромінювання з'єднаний з першим транзистора 4 плівку піроелектрика 3. Теплова дія полюсом першого джерела напруги, а другий потужності випромінювання W викликає зміну полюс першого джерела напруги з'єднаний із температури DT піроелектрика( W ® DT ), зміна колектором першого біполярного транзистора, при температури DT зумовлює появу зарядів D Q на цьому витік польового транзистора з напиленими електродах піроелектрика( DT ® D Q ), заряд D Q на затвор плівкою піроелектрика і поглиначем на електродах піроелектрика створює різницю випромінювання і емітер першого біполярного потенціалів U( DQ ® U ), яка додається до напруги, транзистора з'єднанні між собою, а база першого що існує на електродах затвор-витік польового біполярного транзистора з'єднана зі стоком транзистора 4 і змінює значення ємності польового транзистора з напиленими на затвор коливального контуру, утвореного паралельним плівкою піроелектрика і поглиначем з'єднанням повного опору з ємнісним характером випромінювання, до якого підключена перша на електродах стік -колектор польового вихідна клема, та емітер другого біполярного транзистора 4 і першого біполярного транзистора транзистора і перший вивід першого 5 та повним опором з індуктивним характером на конденсатора, при цьому база другого біполярного електродах емітер-колектор другого біполярного транзистора з'єднана з другим виводом першого транзистора 6, а це викликає зміну резонансної конденсатора і першим виводом резистора, а частоти коливального контуру. колектор другого біполярного транзистора з'єднаний з другим виводом резистора і першим виводом другого конденсатора та першим полюсом другого джерела напруги, при цьому другий вивід др угого конденсатора з'єднаний з другим полюсом другого джерела напруги, колектором першого біполярного транзистора і другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга ви хідна клема. На кресленні наведено схему пристрою для виміру температури. Пристрій містить перше джерело напруги 1, що з'єднано одним полюсом до затвору польового транзистора 4 з напиленими плівкою піроелектрика 3 і поглиначем випромінювання 2, а іншим полюсом до колектора першого біполярного транзистора 5, який під'єднано до заземлення, витік польового транзистора 4 з'єднаний з емітером першого біполярного транзистора 5, а стік польового транзистора 4 з'єднаний з емітером другого біполярного транзистора 6, при цьому база першого біполярного транзистора 5 з'єднана зі стоком польового транзистора 4. Перший конденсатор 7 і резистор 8 підключені паралельно емітеру і колектору другого біполярного транзистора 6, колектор якого підключений до другого конденсатора 9, до якого паралельно під'єднано друге джерело напруги 10.

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Appliance for measuring temperature

Автори англійською

Osadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych, Baraban Serhii Volodymyrovych, Ilchenko Olena Mykolaivna

Назва патенту російською

Устройство для измерения температуры

Автори російською

Осадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович, Барабан Сергей Владимирович, Ильченко Елена Николаевна

МПК / Мітки

МПК: G01K 7/00

Мітки: температури, виміру, пристрій

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-31170-pristrijj-dlya-vimiru-temperaturi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Пристрій для виміру температури</a>

Подібні патенти