Спосіб стимуляції росту насіння сосни звичайної

Реферат: Спосіб стимуляції росту насіння сосни звичайної включає замочування насіння у водному розчині. При цьому передпосівне замочування насіння виконують протягом 6 год. у 0,01 % водному розчині на основі суміші сполук йоду, водорозчинних гуматів, лужноземельних і перехідних металів. UA 109833 U (54) СПОСІБ СТИМУЛЯЦІЇ РОСТУ НАСІННЯ СОСНИ ЗВИЧАЙНОЇ UA 109833 U UA 109833 U 5 10 15 20 25 Корисна модель належить до галузі сільського господарства, лісівництва, зокрема покривання або очищення поверхні насіння. Найбільш близьким до корисної моделі є аналог (Патент RU № 2362303, Стимулятор прорастания, роста и развития древесных растений и способ стимуляции прорастания, роста и развития древесных растений / Филоник И.А., Апрасюхин А.И., Никитин М.М.; опубл. 27.07.2009), який полягає в тому, що насіння сосни звичайної замочують протягом 18-24 годин у водному розчині полігексаметилетиленгуанідин гідрохлориду з концентрацією діючої речовини 0,0001-0,5 %, після чого насіння просушують. Недоліком відомого аналога є те, що він передбачає відносно довгий період замочування і в подальшому просушування, що вимагає значних часових і енергетичних затрат. Окрім того посівні якості насіння сосни звичайної після обробки полігексаметилетиленгуанідин гідрохлоридом змінюються несуттєво. В основу корисної моделі поставлена задача розробити спосіб підвищення посівних якостей насіння сосни звичайної водними розчинами суміші сполук йоду у вигляді "Йодіс-концентрату", водорозчинних гуматів, лужноземельних і перехідних металів, застосування яких як стимуляторів ростових процесів насіння сосни не було відоме раніше. Поставлена задача вирішується тим, що у способі стимуляції росту насіння сосни звичайної, що включає замочування насіння у водному розчині, згідно з корисною моделлю, передпосівне замочування насіння виконують протягом 6 год. у 0,01 % водному розчині на основі суміші сполук йоду, водорозчинних гуматів, лужноземельних і перехідних металів, при цьому не застосовуючи передпосівне просушування. Приклад виконання способу. Встановлено, що передпосівна 6-годинна обробка насіння сосни звичайної у 0,01 % водному розчині на основі суміші сполук йоду, водорозчинних гуматів, лужноземельних і перехідних металів, без застосування просушування, зумовлює значний стимулюючий вплив на енергію проростання насіння сосни звичайної: на 110 % порівняно з контролем і на 51 % - з найближчим аналогом. Одночасно спостерігали значне зростання схожості насіння рослин сосни звичайної: у запропонованому варіанті на 55 % порівняно з контролем і на 28 % - з найближчим аналогом. Таблиця Вплив передпосівної обробки насіння сосни звичайної водним 0,01 % розчином суміші сполук йоду, водорозчинних гуматів, лужноземельних і перехідних металів на біологічні показники проростання Варіант досліду Контроль Запропонований Найближчий аналог Енергія проростання (7 доба), % 43,0±3,5 90,5±3,1 60,0±2,5 % до контролю Схожість (15 доба), % % до контролю 100 210 140 61,0±2,1 94,8±2,5 74,0±1,7 100 155 121 30 35 Використання більшої - 0,02 % та меншої - 0,005 % концентрації водного розчину на основі суміші сполук йоду у вигляді "Йодіс-концентрату", водорозчинних гуматів, лужноземельних і перехідних металів для передпосівної 2-24 годинної обробки насіння сосни звичайної покращувало посівні якості порівняно з контролем, проте вони були нижчими ніж при застосуванні 0,01 % водного розчину протягом 6 годин. Технічний результат корисної моделі полягає у скорочуванні терміну замочування насіння сосни звичайної, відсутності необхідності виконувати передпосівне просушування, що дозволяє зменшити часові та енергетичні затрати. Окрім того забезпечується підвищення посівних якостей насіння сосни звичайної. 40 1 UA 109833 U ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 5 Спосіб стимуляції росту насіння сосни звичайної, що включає замочування насіння у водному розчині, який відрізняється тим, що передпосівне замочування насіння виконують протягом 6 год. у 0,01 % водному розчині на основі суміші сполук йоду, водорозчинних гуматів, лужноземельних і перехідних металів. Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Василя Липківського, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2