Світлодіодна матриця

1. Світлодіодна матриця, що містить Nкількість напівпровідникових світлодіодів з електричними контактами, встановлених на основі, яка відрізняється тим, що матриця виконана у вигляді двох паралельних панелей, між якими знаходяться вентиляційні отвори, причому світлодіоди розміщені рівномірно на зовнішній поверхні верхньої панелі, а панелі з'єднані між собою додатковими світлодіодами, які розміщені по периметру матриці під кутом 90° до світлодіодів верхньої панелі, а в центрі нижньої панелі знаходиться елект 3 ність роботи світлодіодної матриці при високих робочих струмах та температурах. Відомий світильник, що містить встановлені в корпусі щонайменше дві матриці світлодіодів, які з'єднані з блоком живлення, в якому корпус складається із сполучених між собою верхньої і нижньої частин, при цьому верхня частина корпусу розділена всередині на центральну і суміжні з нею щонайменше дві периферійні секції, в яких розташовані матриці світлодіодів, центральна секція розділена на функціональний відсік, в якому розташований блок живлення матриць світлодіодів, і технологічний відсік, в якому розташовані елементи кріплення світильника до опори і підключення проводів живильної мережі, в нижній частині корпусу, в зонах розташування матриць світлодіодів, виконані вікна з оптично прозорого матеріалу, верхня частина корпусу виконана з теплопровідного матеріалу (Патент РФ 77022, МПК F21S 8/00; F21W 131/00, опубл. 10.10.2008p.). Недоліком даного аналога є недостатня ефективність охолодження матриць світлодіодів, що призводить до скорочення строку дії даних матриць. Відома світлодіодна матриця, яку вибрано за прототип, що містить не менше двох напівпровідникових світлодіодів з електричними контактами, встановлених на основі, і кришку з прозорого матеріалу, укріплену на основі, в якій кришка виконана з не менш ніж двома фіксуючими штирями на стороні, зверненої до основи, що збігаються з установочними отворами в основі, на протилежній стороні кришки сформовано не менше двох лінз з порожнинами, межі яких збігаються з поверхнею кришки, зверненої до основи, кожна порожнина покриває не менше одного світлодіода з електричними контактами, мінімальні відстані від кожної точки поверхні кожної порожнини до поверхні найближчого до цієї точки напівпровідникового світлодіода рівні один одному, при цьому кожна порожнина зв'язана з навколишнім середовищем не менш ніж через один наскрізний отвір, виконаний в основі (Патент РФ №2369943, МПК H01L 33/00, опубл. 10.10.2009p.). Недоліком даного пристрою є його вузька область застосування, порівняно малий термін експлуатації, який пов'язаний з недостатнім відведення в навколишній простір тепла, яке виділяється в напівпровідникових кристалах, також він не забезпечує кругового світіння і світлового потоку високої яскравості з-за недостатньої щільності компонування світлодіодів. В основу корисної моделі поставлена задача створити світлодіодну матрицю, в якій шляхом зміни її конструкції з однорівневої на дворівневу та додаткового розташування світлодіодів по периметру матриці досягається високий світловий потік з кутом випромінювання до 360° та забезпечується підвищення надійності пристрою в цілому. Поставлена задача вирішується тим, що у відомій світлодіодній матриці, що містить N-кількість напівпровідникових світлодіодів з електричними контактами, встановлених на основі, згідно корисної моделі матриця виконана у вигляді двох паралельних панелей, між якими знаходяться вентиляційні отвори, причому світлодіоди розміщені рівномірно на зовнішній поверхні верхньої панелі, 60357 4 а панелі з'єднані між собою додатковими світлодіодами, які розміщені по периметру матриці під кутом 90° до світлодіодів верхньої панелі, а в центрі нижньої панелі знаходиться електронна схема керування виконана у вигляді генератора струму з вбудованим мікропроцесорним блоком керування, що має пульт керування, до виходів якої підключені світлодіоди. В іншій формі виконання в світлодіодній матриці всі N світлодіоди паралельно з'єднані в окремі електричні ланки з однаковою кількістю світлодіодів, виходи яких підключені до виходів генератора струму, при цьому керування для кожної окремої електричної ланки здійснюється з пульта через блок керування, і, відповідно, до вибраної установки з групи згаданих в пульті забезпечується можливість надання декількох режимів, один з яких є режим керування зменшенням потужності освітленням світлодіодів від нуля до максимуму, другий - режим включення/виключення матриці. Використання дворівневої конструкції в запропонованій світлодіодній матриці дає можливість створення додаткового природного охолодження, що подовжує термін роботи світлодіодів. Розміщення максимальної кількості світлодіодів на верхній панелі даної світлодіодної матриці дозволяє отримати максимально рівномірне розсіювання світла у всі сторони, а розміщення додаткових світлодіодів по периметру матриці під кутом 90° до світлодіодів верхньої панелі дозволяє отримати діаграму направленості світла до 360°. Розміщення на нижній панелі електронної схеми керування, яка виконана у вигляді генератора струму з вбудованим мікропроцесорним блоком керування, що має пульт керування, до якої підключені виходи електричних ланок з паралельно з'єднаними світлодіодами, причому кількість світлодіодів в кожній ланці є однаковою, дає змогу підвищити рівні надійності даної матриці та продовжити її строк використання, тому що при перегорянні одного з світлодіодів буде загасати тільки та ланка, в якій знаходиться даний світлодіод, а інші світлодіоди будуть продовжувати працювати. Суть корисної моделі пояснюється кресленнями, де на Фіг.1 зображено загальний вид світлодіодної матриці (вид зверху), на Фіг.2 - поперечний розріз світлодіодної матриці (вид збоку), на Фіг.3 нижня панель матриці (вид зверху), Фіг.4 - поперечний розріз світлодіодної лампи з світлодіодною матрицею в стандартному корпусі з цоколем. Запропонована світлодіодна матриця містить (Фіг.1-4 ) N-кількість напівпровідникових світлодіодів 1 з електричними контактами 2, встановлених на основі, а матриця виконана у вигляді двох паралельних панелей 3 та 4, між якими знаходяться вентиляційні отвори 5, причому світлодіоди 1 розміщені рівномірно на зовнішній поверхні верхньої панелі 3, а панелі з'єднані між собою додатковими світлодіодами 1, які розміщені по периметру матриці під кутом 90° до світлодіодів 1 верхньої панелі 3, а в центрі нижньої панелі 4 знаходиться електронна схема керування 6 виконана у вигляді генератора струму з вбудованим мікропроцесорним блоком керування, що має пульт керування (не показаний), до виходів якої підключені світло 5 діоди 1. Також усі N світлодіоди 1 паралельно з'єднані в окремі електричні ланки з однаковою кількістю світлодіодів, виходи яких підключені до виходів генератора струму 6, при цьому керування для кожної окремої електричної ланки здійснюється з пульта через блок керування (не показаний), і, відповідно, до вибраної установки з групи згаданих в пульті забезпечується можливість надання декількох режимів, один з яких є режим керування зменшенням потужності освітленням світлодіодів 1 від нуля до максимуму, другий - режим включення/виключення матриці. При збиранні матриці можуть бути використані світлодіоди 1 різної довжини хвилі освітлення, що дозволяє створити будь-який спектр світла, а при необхідності максимально приблизити його до денного світла. Також на верхній панелі 3 викори 60357 6 стані світлодіоди SMD (surface montage details – поверхневий монтаж деталей), а світлодіоди 1, які розміщені по периметру матриці. Гнучким виводом з'єднуються верхня 3 та нижня 4 панелі. Дистанційний пульт керування може бути виконаний, як і інфрачервоний, так і радіочастотний. Також дана матриця (Фіг.4) може бути використана в лампах будь-якого типу та розміру, тобто корпус 7 може бути прямокутним, квадратним, циліндричним та іншим, а цоколь 8 є стандартним, і також в світильниках будь-яких форм або прожекторах. Таким чином, заявлена світлодіодна матриця є основою для створення ламп будь-якої потужності для освітлення приміщень та територій, які мають направленість світла до 360° з дистанційним регулюванням потужності освітлення. 7 Комп’ютерна верстка М. Ломалова 60357 8 Підписне Тираж 24 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601