Патенти з міткою «напівпровідникових»

Номер патенту: 120756

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: матеріалів, спосіб, ширини, визначення, напівпровідникових, зони, забороненої

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони , що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання  не менше як трьох зразків різної товщини  конкретного напівпровідника, знаходження для кожного з них ширини...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: одержання, спосіб, кімнатний, bi2te3, напівпровідникових, основі, температури, властивостями, феромагнітними, bi2se3, шаруватих, матеріалів, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Номер патенту: 113046

Опубліковано: 12.12.2016

Автори: Бероуз Френк Дж., Семьюел Джаякумар Пон, Йо Керм Й., Самбоджу Нарасімха Чарі, Веб Стивен Р.

МПК: C12N 15/87, B82B 3/00, C12N 15/82 ...

Мітки: має, наночастинок, нуклеїнової, введення, молекули, пегильованих, рослини, яка, кислоти, стінку, клітину, спосіб, клітинну, напівпровідникових, застосуванням, лінійної

Формула / Реферат:

1. Спосіб введення лінійної молекули нуклеїнової кислоти, яка представляє інтерес, в клітину рослини, яка має клітинну стінку, за яким:надають клітину рослини, яка має клітинну стінку;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника поліетиленгліколем;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника лінійною молекулою нуклеїнової кислоти, яка представляє...

Номер патенту: 108138

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: визначення, спосіб, напівпровідникових, забороненої, зони, ширини, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони  напівпровідникових матеріалів, що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання зразків певної товщини , їх трансформацію у спектри поглинання  та визначення

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Дюбуа Лоран, Ранкулі Гілберт, Мартен Крістіан

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 28/06 ...

Мітки: кристалічних, напівпровідникових, спосіб, виготовлення, кристалізатор, заготовок, виробництва

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Цибуленко Юрій Михайлович, Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: основі, властивостями, феромагнітними, шаруватих, кристалів, спосіб, нанокомпозитних, inse, отримання, матеріалів, in2se3, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/00

Мітки: носіїв, нерівноважних, діодах, напівпровідникових, заряду, спосіб, визначення, часу, життя

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Номер патенту: 103983

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Тріщук Любомир Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: C01G 1/02, C01G 11/00, C01B 19/04 ...

Мітки: цинку, пристрій, синтезу, напівпровідникових, підгрупи, нанокристалів, телуридів, металів

Формула / Реферат:

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...

Номер патенту: 103551

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Насиров Махсуд Уалієвич, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 29/47

Мітки: напівпровідникових, з'єднань, типу, спосіб, бар'єрних, а3в5, контактів, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...

Номер патенту: 102378

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Лис Роман Мирославович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович

МПК: H01L 21/02

Мітки: обробки, спосіб, напівпровідникових, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Никируй Любомир Іванович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: напівпровідникових, структур, термоелектричною, p-типу, провідності, тонкоплівкових, отримання, покращеною, snte:bi, спосіб, потужністю

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: ситалових, отримання, підкладках, p-snte:bi, напівпровідникових, спосіб, структур

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, напівпровідникових, монокристалів, одержання, халькогінідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Юдачов Андрій Валерійович, Швець Євген Якович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: контролю, напівпровідникових, температури, кристала, пристрій, приладів, силових

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Номер патенту: 88901

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Сокуренко Олег Михайлович, Приходько Андрій Миколайович, Сокуренко Вячеслав Михайлович

МПК: G02B 11/00, G02B 9/00

Мітки: напівпровідникових, випромінювання, лазерів, об'єктів, колімації

Формула / Реферат:

Об'єктив для колімації випромінювання напівпровідникових лазерів, що містить чотири компоненти, при цьому перший компонент виконано як двовипуклу лінзу, другий компонент виконано як негативний меніск, обернений увігнутістю до предмета, третій компонент виконано позитивною лінзою, четвертий компонент виконано як позитивний меніск, обернений увігнутістю до площини зображення, який відрізняється тим, що третій компонент виконано як двовипуклу...

Номер патенту: 86829

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович

МПК: H01L 21/322, G01N 3/08

Мітки: деформації, пластичної, пристрій, матеріалів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.

Номер патенту: 85543

Опубліковано: 25.11.2013

Автор: Літвінов Андрій Георгійович

МПК: G09F 19/00, G09F 19/18, G09F 19/12 ...

Мітки: діодним, подання, пізнавальної, лазерів, твердотільних, інформації, спосіб, візуальної, напівпровідникових, накачуванням, рекламної, допомогою

Формула / Реферат:

1. Спосіб подання візуальної рекламної або пізнавальної інформації за допомогою напівпровідникових лазерів та твердотільних лазерів з діодним накачуванням, який відрізняється тим, що проекція букв, цифр, логотипів, знаків здійснюється пристроєм, в конструкції якого використовуються твердотільні лазери з діодним (напівпровідниковим) накачуванням, що випромінюють в зеленій області видимого спектра (501-561 нм), та/або лазери з діодним...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович

МПК: G01R 1/00

Мітки: температурах, напівпровідникових, характеристик, різних, вимірювання, зондовий, структур, електрофізичних, пристрій

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Номер патенту: 84497

Опубліковано: 25.10.2013

Автор: Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: напівпровідникових, спосіб, покращеною, потужністю, отримання, структур, термоелектричною, n-pbte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв=(970±10)К, на підкладку ситалу при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві з вмістом легуючої домішки 0,05...

Номер патенту: 83599

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кисельов Юрій Владиславович, Кашковський Володимир Ілліч, Кисельов Владислав Петрович, Безуглий Юрій Віталійович

МПК: H01M 8/06, H01M 8/00

Мітки: перетворювачів, підвищення, дії, коефіцієнта, електричну, енергії, спосіб, сонячної, корисної, ккд, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що складається із двох плоских напівпровідників Ρ і N типу, який полягає у тому, що між плоскими напівпровідниками Ρ і N типу, при їх з'єднанні, утворюється тонкий прошарок напівпровідника, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що здійснюють збільшення об'єму простору між Ρ і N напівпровідниками шляхом...

Номер патенту: 83598

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кисельов Владислав Петрович, Безуглий Юрій Віталійович, Кашковський Володимир Ілліч, Кисельов Юрій Владиславович

МПК: H01M 8/06, H01M 8/00

Мітки: підвищення, перетворювачів, електричну, ккд, пристрій, енергії, сонячної, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Пристрій для підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що виконаний із двох плоских напівпровідникових пластин Ρ і Ν, між якими при їх з'єднанні утворюється тонкий прошарок, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що додатково містить напівпровідникову пластину з власною провідністю І, при цьому або один незатемнений торець пластини І розташовують...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H04N 5/257

Мітки: структур, електрофізичних, мікрохвильовий, параметрів, мікроскоп, скануючий, напівпровідникових, контролю

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Номер патенту: 101707

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Шиян Олександр Васильович, Журавльов Олександр Юрійович, Широков Борис Михайлович, Шеремет Володимир Іванович

МПК: C23C 14/00, H01L 21/00

Мітки: джерело, кремнію, основі, осадження, вакуумного, напівпровідникових, структур, атомів

Формула / Реферат:

1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Лис Роман Мирославович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: структур, характеристик, вимірювання, пристрій, зондовий, електрофізичних, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Номер патенту: 100405

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Канакі Микола Григорович, Афонін Ігор Леонідович, Канакі Сергій Миколайович

МПК: G03B 21/00, G09F 19/12, H04N 5/74 ...

Мітки: напівпровідникових, лазерів, модуляцією, матриця, самоскануюча

Формула / Реферат:

1. Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів з модуляцією, яка містить у собі визначену кількість двопроменевих напівпровідникових лазерів, заздалегідь підготованих до випромінювання і засвітлюваних, кожний наступний лазер, з використанням випромінення попереднього лазера, за допомогою фотоелектричних перетворювачів, почергово, один за одним, яка відрізняється тим, що для встановлення потрібного часу світіння на екрані кожної світлової...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, спосіб, властивостями, n-pbte:bi, отримання, термоелектричними, підкладках, напівпровідникових, ситалових, покращеними

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Лисюк Юрій Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: покращеними, наноструктур, властивостями, термоелектричними, спосіб, основі, напівпровідникових, отримання, n-рbте:ві

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Номер патенту: 69106

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Грицюк Богдан Миколайович, Громко Євген Дмитрович, Нічий Сергій Васильович

МПК: H01L 21/263

Мітки: створення, спосіб, матеріалів, напівпровідникових, контактів, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів, шляхом обробки поверхні напівпровідника імпульсним лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що в область формування контакту попередньо наносять розчин солі металу, робота виходу електрона якого забезпечує омічний контакт з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує проплавку...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Цвєткова Ольга Валентинівна

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: зондовий, структур, пристрій, напівпровідникових, характеристик, електрофізичних, вимірювання

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Номер патенту: 67458

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідникових, кюрі, матеріалів, температури, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури Кюрі напівпровідникових матеріалів, що включає її знаходження шляхом розрахунку, який відрізняється тим, що для матеріалу. експериментально визначають енергію поздовжнього оптичного фонона, а температуру Кюрі визначають з виразу, Κ,де енергія поздовжнього фонона

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Ляхова Наталія Миколаївна, Масол Ігор Віталійович, Ляхова Ніна Олегівна, Осінський Володимир Іванович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/00

Мітки: вирощування, пристрій, напівпровідникових, гетероструктур, епітаксійного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Номер патенту: 66042

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Струтинська Любов Тимофіївна, Разіньков Валерій Васильович

МПК: C03B 35/00, C03B 13/00, C03B 11/00 ...

Мітки: матеріалів, термоелектричних, напівпровідникових, пристрій, синтезу

Формула / Реферат:

1. Пристрій для синтезу напівпровідникових термоелектричних матеріалів, що містить герметичний кварцовий контейнер, синтезну піч, механізм для перемішування розплаву, який відрізняється тим, що синтезна піч, яка складається з коаксіально розташованих алундової труби циліндричної форми, електричного нагрівача та корпусу з теплоізоляцією, оснащена пристроєм для розташування її у горизонтальному або вертикальному положеннях, пристроєм для...

Номер патенту: 96998

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Єрмоленко Євген Олександрович, Бондаренко Олександр Федорович

МПК: G01R 19/32, G01R 31/26

Мітки: автоматизованого, приладів, характеристик, вимірювання, спосіб, напівпровідникових, вольт-амперних

Формула / Реферат:

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів, який полягає в тому, що на досліджуваний напівпровідниковий прилад подають послідовність прямокутних електричних імпульсів зі змінною амплітудою, реєструють відповідні значення відгуків на послідовність електричних імпульсів, який відрізняється тим, що перед подачею послідовності прямокутних електричних імпульсів реєструють початковий тепловий стан...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович

МПК: G01N 25/00

Мітки: теплового, напівпровідникових, спосіб, опору, вимірювання, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович, Потяк Володимир Юрійович, Соколов Олександр Леонідович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: напівпровідникових, отримання, наноструктур, спосіб, багатошарових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Номер патенту: 60530

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: процес, матеріалів, напівпровідникових, корекції, характеристик

Формула / Реферат:

1. Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів методом опромінювання, який відрізняється тим, що злиток напівпровідникового матеріалу розміщують в полі дії електромагнітного випромінювання, при цьому довжини хвиль λi та їх мінімальні потужності Ei вибирають згідно з резонансними довжинами хвиль λr та потужностями Еr енергій активацій, що визначаються складовими тонкої структури хімічного зв'язку конкретного...

Номер патенту: 58140

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Яремчук Галина Григорівна, Асаула Віталій Миколайович, Волков Сергій Васильович, Мирна Тетяна Альфредівна

МПК: B82B 1/00, C01G 11/00, C01G 21/00 ...

Мітки: одержання, напівпровідникових, металів, матеріалів, рідкокристалічних, сульфідів, наночастинками, скловидних, спосіб, нанокомпозитних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання рідкокристалічних скловидних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових сульфідів металів, в основу якого покладено взаємодію металовмісної органічної матриці та сульфідного реагента, який відрізняється тим, що нанокомпозити одержують на основі рідкокристалічної фази алканоатів  металів, що містить монодисперсні (±0,5 нм) напівпровідникові наночастинки сульфіду металу, який вибраний з групи CdS, PbS, ZnS,...

Номер патенту: 56827

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Босий Віталій Ісаєвич, Киселюк Максим Павлович, Власенко Олександр Іванович, Ляшенко Олег Всеволодович, Велещук Віталій Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, напівпровідникових, відбракування, світлодіодів

Формула / Реферат:

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів на основі GaN, GaAs, GaP, який включає вимірювання напруги, який відрізняється тим, що для випробування на надійність світловипромінюючих структур попередньо для зразків із партії, виготовленої в одному технологічному циклі, методами акустичної емісії вимірюють середній струм , при якому виникає акустична емісія, і...

Номер патенту: 55758

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Точилін Дмитро Сергійович, Лущін Сергій Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідникових, пластин, спосіб, лазерним, контролю, випромінюванням, поверхні, гетерування

Формула / Реферат:

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням, що включає опромінення поверхні пластин лазерним випромінюванням, визначення ступеня дефектності пластин по характеру дії на них лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що ступінь дефектності в результаті гетерування визначають по інтенсивності відбитого променя під прямим кутом до поверхні пластин.

Номер патенту: 54782

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Німчук Віталій Васильович, Анатичук Лук'ян Іванович, Запаров Сергій Федорович

МПК: B28D 5/04, H01L 21/475, H01L 21/461 ...

Мітки: матеріалів, інших, настільний, різання, малогабаритний, станок, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Малогабаритний настільний верстат струнного різання напівпровідникових та інших матеріалів, на основі станини, каретки з ріжучим інструментом, керуючими і контролюючими елементами, який відрізняється тим, що містить напрямні з підшипниковим ковзанням, виконані з можливістю зворотно-поступального руху.2. Малогабаритний настільний верстат струнного різання за п. 1, який відрізняється тим, що ріжучий інструмент складається з каретки...