Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів

1. Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів, яка містить у собі напівпровідникові лазери, попередньо підготовані до випромінення та засвітлювані почергово, один за одним, яка відрізняється тим, що пристрій виконано у вигляді складеної, наприклад, у лінійку, зазначеної кількості двопроменевих напівпровідникових лазерів, кожний з яких у потрібний час випромінює два жмути світла - лазерні промені, які збігаються у часі, але не збігаються у просторі. 2. Матриця за п. 1, яка відрізняється тим, що кожний з двопроменевих напівпровідникових лазерів C2 2 (19) 1 3 90412 Найближчим до даного винаходу є патент «Самоскануюча матриця світлодіодів», змальований у збірнику «Винаходи держав світу. Реферативний журнал». Вип. 129. №10. М., 1990. МКИ Η 01 L, S, C25: (11)0335553 (12)А2 (19) ЕПВ(ЕР) (51)4H01L 33/00, 27/15,H01S 3/19, G06K 15/12(53) 621.38.032 (40) 891004 N40 (54) Самоскануюча матриця світлодіодів. Матриця утримує в собі світловипромінюючі елементи Т(-2), Т(-1), Т(0), Т(1), Т(2). Спочатку випромінює світло елемент Т(0). Потім, після перевищення порогу вмикання вмикається елемент Т(1). Світло передається по матриці у відповідності до такту імпульса збудження». Недоліком цього технічного рішення є те, що для керування роботою такого пристрою необхідно застосовувати напругу засвітлення, яка змінюється у часі за спеціальною програмою. Завданням винаходу є створення самоскануючої матриці напівпровідникових лазерів, яка не потребує для роботи керуючих напруг спеціальної форми, яка створює лазерові промені, що сканують простір, без застосування відхилюючих систем, а також, додатково, яка дозволяє встановлювати потрібний час між сполохом променя першого та N-ого лазерів матриці, щоб розширити функційні можливості самоскануючої матриці напівпровідникових лазерів і застосувати її, наприклад, для побудови часозадавальних пристроїв, і, при цьому, забезпечувати послідовне вмикання напівпровідникових лазерів без додаткових зовнішніх впливів. Поставлене завдання вирішується тим, що два або декілька двопроменевих напівпровідникових лазерів, кожний з яких у потрібний час випромінює два жмути світла - лазерові промені, які збігаються у часі, але не збігаються у просторі, складено до матриці, наприклад, у вигляді лінійки, таким чином, що у кожного з лазерів один, основний, промінь спрямований на екран, а другий, ініціюючий, промінь спрямований на фотоелектричний перетворювач, який, під дією цього ініціюючого променя, виробляє електрорушійну силу, що докладається до наступного лазера, додатково до опорної ЕРС, і викликає випромінення наступного двопроменевого напівпровідникового лазера. Попередню підготовку до випромінення усіх двопроменевих напівпровідникових лазерів матриці здійснюють, подаючи на всі двопроменеві напівпровідникові лазери матриці опорну ЕРС, яка менша, ніж поріг засвітлення двопроменевих напівпровідникових лазерів на величину, що не перевищує величини ЕРС, отриманої від фотоелектричного перетворювача, який виробляє, під дією освітлення ініціюючим променем попереднього Комп’ютерна верстка Л. Купенко 4 лазера, електрорушійну силу, додану до опірної ЕРС для перевищення порогу засвітлення кожного наступного лазера, та тримання, у підсумку складання електрорушійних сил, послідовно виникаючих пар світлових жмутів — лазерових променів, один з яких, основний, використовують для передавання інформації, а другий, ініціюючий, використовують для запалювання наступного двопроменевого напівпровідникового лазера. Основні промені усіх двопроменевих напівпровідникових лазерів використовують для передавання інформації, то й вони спрямовані на екран. Технічний результат, що містить у собі спрощення функціональної схеми самоскануючої матриці напівпровідникових лазерів шляхом виключення відхилюючих систем і пристроїв, які створюють спеціальні керуючі напруги складної форми, і, таким чином, підвищення надійності та економічності внаслідок зменшення кількості енергетично навантажених елементів схеми, досягається побудовою схеми запалювання кожного наступного двопроменевого напівпровідникового лазера за допомогою додаткової електрорушійної сили, отриманої від фотоелектричного перетворювача, що виробляє, під дією освітлення ініціюючим променем попереднього лазера всередині самоскануючої матриці напівпровідникових лазерів, ЕРС, яку додають до опорної ЕРС для перевищення порогу запалювання кожного наступного лазера, і отримання, у підсумку складання електрорушійних сил, послідовно виникаючих пар світлових жмутів - лазерових променів, що, також, збільшує стійкість роботи матриці проти зовнішніх дестабілізуючих впливів, тобто, підвищує завадостійкість і завадозахищенність даного винаходу, а отримання нової якості самоскануючої матриці напівпровідникових лазерів, як часозадавального пристрою, забезпечено часом між внутрішньоматрицевими випроміненнями послідовно випромінюючих лазерів, який визначається довготривалістю перехідних процесів у фотоелектричних перетворювачах між цими напівпровідниковими лазерами. Це додатково покращує завадостійкість і завадозахищенність пристрою, підвищує його надійність. При створенні самоскануючої матриці напівпровідникових лазерів у інтегральному виконанні, тобто, на одному кристалі, знижується споживання електроенергії та додатково підвищується надійність, внаслідок зменшення кількості контактових сполучень та інших переваг інтегральної технології. При використанні винаходу не випромінюються рентгенівські кванти, шкідливі для довкілля. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП ―Український інститут промислової власності‖, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601