Спосіб вирощування соняшнику в неполивних умовах півдня україни
Номер патенту: 80058
Опубліковано: 13.05.2013
Автори: Коваленко Анатолій Михайлович, Малярчук Анастасія Сергіївна, Вожегова Раїса Анатоліївна, Малярчук Володимир Миколайович
Формула / Реферат
Спосіб вирощування соняшнику в неполивних умовах півдня України, що включає сівбу, догляд за посівами, внесення добрив, збирання врожаю, який відрізняється тим, що під соняшник в неполивних умовах проводять полицевий обробіток на 28-30 см на фоні застосування диференційованого обробітку протягом ротації сівозміни та внесення розрахункової дози мінеральних добрив у межах N60-75P35-40.
Текст
Реферат: UA 80058 U UA 80058 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 Корисна модель належить до галузі сільського господарства, до технології вирощування сільськогосподарських культур. Відомий спосіб вирощування соняшнику включає оранку або безполицевий обробіток ґрунту на глибину 20-22 см за системи тривалого застосування полицевого обробітку в сівозміні, сівбу, догляд за посівами, збирання врожаю [Ткаліч І.Д. Вплив обробітку ґрунту, добрив, строків сівби на забур'яненість, урожайність соняшнику / І.Д. Ткаліч, В.М. Кабан // Бюлетень ІЗГ УААН. Дніпропетровськ, 2007]. Недоліком цього способу є те, що він потребує високих затрат коштів, енергії і ресурсів. В основу корисної моделі поставлена задача підвищення врожайності насіння соняшнику за рахунок встановлення впливу довготривалого застосування різних систем основного обробітку ґрунту при мінімізації витрат на його виконання в посушливих умовах півдня України. Поставлена задача вирішується тим, що під соняшник в неполивних умовах проводять полицевий обробіток на 28-30 см на фоні застосування диференційованого обробітку протягом ротації сівозміни та внесення розрахункової дози мінеральних добрив у межах N 60-75P35-40. Спосіб розроблено і експериментально випробувано відділом зрошуваного землеробства Інституту зрошуваного землеробства НААН України протягом 2005-2008 роках в господарствах Херсонської області. Агротехніка вирощування соняшнику загальновизнана для зони Степу. Сівба проводилася новими районованими гібридами соняшнику в оптимальні строки з дотриманням густоти стояння рослин відповідно до схеми досліду з використанням сівалки УПС-8. Дослідження проводилися з чотирма гібридами соняшнику ранньостиглої та середньоранньої групи стиглості селекції Інституту рослинництва ім. Юр'єва НААН України. Завдяки внесенню гербіцидів забур'яненість посівів була низькою тому необхідності в проведенні до сходових і після сходових боронувань в роки проведення досліджень не було. Добрива вносилися під передпосівну культивацію. Повна розрахункова доза мінеральних добрив, за роками досліджень, на неполивному фоні коливалася в межах - N60P50. При розробці способу вирощування соняшнику програмою досліджень передбачалося вивчити п'ять способів основного обробітку ґрунту після пшениці озимої на фоні тривалого застосування різних систем основного обробітку ґрунту у сівозміні: 1. Оранка на глибину 30-32 см в системі різноглибинного полицевого обробітку в сівозміні (контроль); 2. Чизельний обробіток на 30-32 см в системі різноглибинного безполицевого розпушування протягом ротації сівозміни; 3. Лущення на глибину 12-14 см в системі одноглибинного мілкого (12-14 см) безполицевого розпушування під усі культури сівозміни; 4. Оранка на глибину 28-30 см в системі диференційованого обробітку, за якого оранка чергувалася з безполицевими способами основного обробітку, на фоні одного щілювання на глибину 38-40 см; 5. Оранка на глибину 2022 см в системі диференційованого обробітку, за якого оранка чергувалася протягом ротації сівозміни з безполицевим мілким і поверхневим основним обробітком під зернові колосові. Дослід проводився на неполивному фоні. Програма досліджень передбачала визначення показників, що дають можливість простежити зміну водно-фізичних властивостей ґрунту, поживного, повітряного режимів, забур'яненості посівів та якості і кількості одержаного урожаю. Погодні умови під час сівби в цілому були сприятливими для вирощування соняшнику, запаси продуктивної вологи на час оптимальних строків сівби знаходилися на рівні середньобагаторічних показників. Результати експериментальних досліджень дали можливість виявити вплив основного обробітку ґрунту на його агрофізичні властивості, забезпеченість рослин основними елементами мінерального живлення, фітосанітарний стан посівів, що в кінцевому результаті сприяло формуванню різних рівнів врожаю насіння соняшнику (табл. 1). 1 UA 80058 U Таблиця 1 Урожайність гібриду соняшнику Сівер за різних умов вологозабезпечення та основного обробітку темно-каштанового ґрунту в сівозміні, ц/га Система обробітку Полицева різноглибинна Безполицева різноглибинна Безполицева одноглибинна Диференційована Диференційована НІР05 5 10 Спосіб і глибина обробітку під соняшник 30-32 (о) 30-32 (ч) 12-14 (л) 28-30 (о) 20-22 (о) Урожайність Прибавка 17,7 16,0 14,2 18,3 17,0 0,4 -1,7 -3,5 + 0,6 -0,7 Найвищий вплив на продуктивність рослин соняшнику має спосіб основного обробітку ґрунту - 70,0 %. Найвищі витрати на вирощування соняшнику за варіантами досліду встановлені у варіанті оранки на глибину 30-32 см (вар. 1) і складали 2700грн., в той час як за оранки на глибину 28-30 см вони були меншими на 75 грн. Оранка на глибину 28-30 см проведена на фоні диференційованої системи основного обробітку ґрунту забезпечила найвищий рівень рентабельності, який складав 189,5 %. Варіанти з глибоким (вар. 2) і мілким (вар. 3) безполицевим розпушуванням призвели до зниження рівня рентабельності порівняно з контролем на 8,9 та 22,6 відносних відсотки. Найвищий рівень рентабельності 189,5 % при сумі чистого прибутку 4975 грн/га забезпечила оранка на глибину 28-30 см в системі диференційованого основного обробітку, (табл. 2). Таблиця 2 Економічна ефективність виробництва насіння соняшнику за різних рівнів зволоження та основного обробітку ґрунту Показники Урожайність, т/га Витрати на виробництво, грн./га Вартість валової продукції, грн./га Собівартість, грн./т Чистий прибуток, грн./га Рівень рентабельності, % чизельний оранка на обробіток на 30-32 см 30-32 см 1,8 1,6 Варіанти досліду чизельний оранка на обробіток на 28-30 см 12-14 см 1,4 1,9 оранка на 20-22 см 1,7 2700 2525 2451 2625 2536 7200 6400 5600 7600 6800 1500 4500 1578 3875 1751 3149 1382 4975 1492 4264 166,7 153,0 128,5 189,5 168,1 15 Отже в сівозмінах на неполивних землях півдня України з темно-каштановими ґрунтами доцільно вирощувати гібриди соняшнику вітчизняної селекції з оранкою на глибину 28-30 см. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 20 25 Спосіб вирощування соняшнику в неполивних умовах півдня України, що включає сівбу, догляд за посівами, внесення добрив, збирання врожаю, який відрізняється тим, що під соняшник в неполивних умовах проводять полицевий обробіток на 28-30 см на фоні застосування диференційованого обробітку протягом ротації сівозміни та внесення розрахункової дози мінеральних добрив у межах N60-75P35-40. 2 UA 80058 U Комп’ютерна верстка М. Ломалова Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 3
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod to grow sunflower in nonirrigated conditions of the south of ukraine
Автори англійськоюVozhehova Raisa Anatoliivna, Maliarchuk Volodymyr Mykolaiovych, Maliarchuk Anastasia Serhiivna, Kovalenko Anatolii Mykhailovych
Назва патенту російськоюСпособ выращивания подсолнечника в неполивных условиях юга украины
Автори російськоюВожегова Раиса Анатольевна, Малярчук Владимир Николаевич, Малярчук Анастасия Сергеевна, Коваленко Анатолий Михайлович
МПК / Мітки
МПК: A01B 79/00
Мітки: півдня, умовах, неполивних, спосіб, соняшнику, україни, вирощування
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/5-80058-sposib-viroshhuvannya-sonyashniku-v-nepolivnikh-umovakh-pivdnya-ukrani.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування соняшнику в неполивних умовах півдня україни</a>
Попередній патент: Спосіб вирощування ячменю озимого в умовах зрошення
Наступний патент: Капсула для приготування напою або рідкого харчового продукту в пристрої для приготування напоїв
Випадковий патент: Пристрій для відхилення підйомного троса