Двотактний симетричний підсилювач струму

Двотактний симетричний підсилювач струму, що містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатнього та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, шістнадцять n-р-n та шістнадцять p-nр біполярних транзисторів, один р-типу і один nтипу польові транзистори, при цьому вхідну шину з'єднано з емітерами першого n-р-n і другого p-n-р біполярних транзисторів, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази і колектори першого p-n-р і другого n-р-n біполярних транзисторів з'єднані з базами третього n-р-n і восьмого p-n-р біполярних транзисторів, а їх емітери об'єднано і підключено до шини нульового потенціалу, база і колектор четвертого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятого р-n-р біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатного живлення, база і колектор сьомого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з базою шостого n-р-n біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення, емітери десятого p-n-р та дев'ятого р-n-р біполярних транзисторів підключено до шини додатного живлення, емітери шістнадцятого n-р-n та п'ятнадцятого n-р-n біполярних транзисторів підключено до шини від'ємного живлення, бази і колектори тринадцятого р-n-р і дев'ятнадцятого n-р-n біполярних транзисторів з'єднані з базами дванадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-n-р, базами чотирнадцятого n-р-n і двадцятого р-n-р біполярних транзисторів та витоками першого ртипу і другого n-типу польових транзисторів відповідно, емітери дванадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-n-р, а також тринадцятого n-р-n і дев'ятнадцятого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано відповідно, емітери чотирнадцятого n-р-n і двадцятого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано і підключено до другого виводу конденсатора і другого 2 (19) 1 3 50876 4 сторів, емітери двадцять дев'ятого p-n-p біполярного транзистора з'єднано з колектором восьмого р-n-р біполярного транзистора, а емітер тридцятого p-n-р - з колектором і базою другого p-n-р біполярного транзистора, колектор тридцятого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою тридцять другого n-р-n біполярного транзистора, при цьому колектор тридцять другого n-р-n біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу, а емітер з'єднано з колектором тридцять першого і базою сімнадцятого n-р-n біполярних транзисторів, емітер тридцять першого n-р-n біполярного транзистора підключено до шини від'ємного живлення, який відрізняється тим, що введено тридцять третій p-n-р та тридцять четвер тий n-р-n біполярні транзистори, при цьому базу двадцять шостого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою десятого p-n-р біполярного транзистора, а також з базою і колектором дев'ятого pn-р та емітером тридцять третього p-n-р біполярних транзисторів, базу тридцять першого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з базою шістнадцятого n-р-n біполярного транзистора, а також з базою і колектором п'ятнадцятого n-р-n та емітером тридцять четвертого n-р-n біполярних транзисторів, колектори тридцять третього p-n-р та тридцять четвертого n-р-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами двадцять четвертого n-р-n та тридцятого p-n-р біполярних транзисторів відповідно. Корисна модель відноситься до імпульсної техніки і може бути використана в аналоговоцифрових перетворювачах і цифрових вимірювальних приладах. Відомо двотактний симетричний підсилювач струму (Патент України №25609, бюл. №12, 2007p.), який містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатнього та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, тринадцять n-p-n та тринадцять р-n-р транзисторів, один р-типу і один n-типу польові транзистори, причому вхідну шину з'єднано з емітерами першого n-p-n і другого p-n-р транзисторів, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази першого n-p-n і другого p-n-р транзисторів з'єднано з базами та колекторами третього n-p-п і четвертого p-n-р транзисторів відповідно, а також з колекторами п'ятого p-n-р і шостого n-р-n транзисторів відповідно, емітери третього n-p-n і четвертого p-n-р транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, бази п'ятого p-n-р і шостого n-р-n транзисторів з'єднано з базами та колекторами сьомого p-n-р і восьмого n-р-n транзисторів відповідно, а також з виводами джерела струму, емітери п'ятого p-n-р, сьомого p-n-р, дев'ятого p-n-р, одинадцятого p-n-р і п'ятнадцятого р-nр транзисторів з'єднано з шиною додатнього живлення, емітери шостого n-р-n, восьмого n-р-n, десятого n-р-n, дванадцятого n-р-n і шістнадцятого nр-n транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, колектори дев'ятого р-n-р і десятого n-р-n транзисторів з'єднано з колекторами першого n-pn і другого p-n-р транзисторів відповідно, а також з базою п'ятнадцятого p-n-р і шістнадцятого n-р-n транзисторів відповідно, а також з затворами першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів, бази дев'ятого p-n-р і десятого n-р-n транзисторів з'єднано з базами та колекторами одинадцятого p-n-р і дванадцятого n-р-n транзисторів відповідно, а також з колекторами тринадцятого n-p-n і чотирнадцятого p-n-р транзисторів відповідно, емітери тринадцятого n-p-n і чотирнадцятого р-n-р транзисторів об'єднано, бази тринадцятого n-p-n і чотирнадцятого p-n-р транзи сторів з'єднано з базами та колекторами сімнадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-n-р транзисторів відповідно, а також з емітерами дев'ятнадцятого n-рn і двадцятого р-n-р транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-n-р транзисторів об'єднано, витоки першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого р-n-р і шістнадцятого n-р-n транзисторів відповідно, стоки першого ртипу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з базами та колекторами дев'ятнадцятого nр-n і двадцятого р-n-р транзисторів відповідно, а також з базами двадцять першого n-р-n і двадцять другого р-n-р транзисторів відповідно, емітери двадцять першого n-р-n і двадцять другого р-n-р транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять третього n-р-n і двадцять четвертого р-nр транзисторів відповідно, а також з базами двадцять п'ятого n-р-n і двадцять шостого р-n-р транзисторів відповідно, емітери двадцять третього nр-n і двадцять четвертого р-n-р транзисторів об'єднано, колектори двадцять першого n-р-n і двадцять п'ятого n-р-n транзисторів з'єднано з шиною додатнього живлення, колектори двадцять другого р-n-р двадцять шостого р-n-р транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, емітери двадцять п'ятого n-р-n і двадцять шостого р-n-р транзисторів об'єднано та з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з вихідною шиною. Недоліком аналогу є значна нелінійність і низький коефіцієнт передачі. За найближчий аналог взято двотактний симетричний підсилювач струму (Патент України №39796, бюл. №5, 2009p.), який містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатнього та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, шістнадцять n-р-n та шістнадцять р-n-р біполярних транзисторів, один р-типу і один n-типу польові транзистори, причому вхідну шину з'єднано з емітерами першого n-р-n і другого р-n-р біполярних транзисторів, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази і колектори першого p-n-р і другого n-p-n біполярних тра 5 нзисторів з'єднані з базами третього n-p-n і восьмого p-n-р біполярних транзисторів, а їх емітери об'єднано і підключено до шини нульового потенціалу, база і колектор четвертого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятого р-n-р біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатнього живлення, база і колектор сьомого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з базою шостого n-p-n біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення, база і колектор десятого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою дев'ятого p-n-р біполярного транзистора і колектором дванадцятого n-p-n біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатнього живлення, база і колектор шістнадцятого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятнадцятого n-p-n біполярного транзистора і колектором вісімнадцятого p-n-р біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення, бази і колектори тринадцятого p-n-р і дев'ятнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднані з базами дванадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-р, базами чотирнадцятого n-р-n і двадцятого p-n-р біполярних транзисторів та витоками першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів відповідно, емітери дванадцятого nр-n і вісімнадцятого p-n-р, а також тринадцятого np-n і дев'ятнадцятого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано відповідно, емітери чотирнадцятого n-р-n і двадцятого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано і підключено до другого виводу конденсатора і другого виводу резистора та вихідної шини, колектори чотирнадцятого n-p-n типу і двадцятого p-n-р типу біполярних транзисторів підключено до шини додатнього та від'ємного живлення відповідно, емітери одинадцятого p-n-р і сімнадцятого n-p-n біполярних транзисторів підключено до шини додатнього та від'ємного живлення відповідно, а бази з'єднано із затворами першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів, стоки першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами одинадцятого p-n-р і сімнадцятого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, база і колектор двадцять першого р-nр біполярного транзистора з'єднано з першим виводом джерела струму і базою двадцять другого p-n-р біполярного транзистора, а емітер з колектором п'ятого p-n-р біполярного транзистора, емітер двадцять другого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором четвертого р-n-р біполярного транзистора, колектор двадцять другого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять третього n-p-n і базою двадцять четвертого n-p-n біполярних транзисторів, емітери двадцять третього n-p-n біполярного транзистора з'єднано з колектором третього n-р-n біполярного транзистора, а емітер двадцять четвертого n-p-n з колектором і базою першого n-p-n біполярного транзистора, колектор двадцять четвертого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з колектором дев'ятого і базою двадцять п'ятого p-nр біполярних транзисторів, причому колектор двадцять п'ятого p-n-р біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу, а емітер з'єднано з колектором двадцять шостого і базою 50876 6 одинадцятого p-n-р біполярних транзисторів, емітер двадцять шостого р-n-р біполярного транзистора підключено до шини додатнього живлення, а базу - до бази і колектора десятого p-n-р біполярного транзистора, база і колектор двадцять сьомого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з другим виводом джерела струму і базою двадцять восьмого n-p-n біполярного транзистора, а емітер з колектором шостого n-p-n біполярного транзистора, емітер двадцять восьмого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором сьомого n-p-n біполярного транзистора, колектор двадцять восьмого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять дев'ятого р-n-р і базою тридцятого p-n-р біполярних транзисторів, емітери двадцять дев'ятого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з колектором восьмого р-n-р біполярного транзистора, а емітер тридцятого p-n-р з колектором і базою другого р-n-р біполярного транзистора, колектор тридцятого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з колектором п'ятнадцятого і базою тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів, причому колектор тридцять другого n-p-n біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу, а емітер з'єднано з колектором тридцять першого і базою сімнадцятого n-p-n біполярних транзисторів, емітер тридцять першого n-р-n біполярного транзистора підключено до шини від'ємного живлення, а базу - до бази і колектора шістнадцятого n-p-n біполярного транзистора. Недоліком прототипу є низький коефіцієнт підсилення по струму, що обмежує галузь використання пристрою. В основу корисної моделі поставлено задачу створення двотактного симетричного підсилювача струму, в якому за рахунок введення нових елементів та зв'язків між ними підвищується коефіцієнт підсилення, це розширює галузь використання корисної моделі у різноманітних пристроях імпульсної та обчислювальної техніки, автоматики тощо. Поставлена задача досягається тим, що у двотактний симетричний підсилювач струму, який містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатнього та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, шістнадцять n-p-n та шістнадцять р-n-р біполярних транзисторів, один р-типу і один n-типу польові транзистори, причому вхідну шину з'єднано з емітерами першого n-p-n і другого р-n-р біполярних транзисторів, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази і колектори першого р-n-р і другого n-р-n біполярних транзисторів з'єднані з базами третього n-p-n і восьмого р-n-р біполярних транзисторів, а їх емітери об'єднано і підключено до шини нульового потенціалу, база і колектор четвертого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятого р-n-р біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатнього живлення, база і колектор сьомого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з базою шостого n-р-n біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення, емітери десятого р-n-р та дев'ятого р-n-р біполярних транзисторів підключе 7 но до шини додатнього живлення, емітери шістнадцятого n-р-n та п'ятнадцятого n-р-n біполярних транзисторів підключено до шини від'ємного живлення, бази і колектори тринадцятого p-n-р і дев'ятнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднані з базами дванадцятого n-p-n і вісімнадцятого р-n-р, базами чотирнадцятого n-p-n і двадцятого pn-р біполярних транзисторів та витоками першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів відповідно, емітери дванадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-р, а також тринадцятого n-р-n і дев'ятнадцятого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано відповідно, емітери чотирнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано і підключено до другого виводу конденсатора і другого виводу резистора та вихідної шини, колектори чотирнадцятого n-p-n типу і двадцятого p-n-р типу біполярних транзисторів підключено до шини додатнього та від'ємного живлення відповідно, емітери одинадцятого p-n-р і сімнадцятого n-p-n біполярних транзисторів підключено до шини додатнього та від'ємного живлення відповідно, а бази з'єднано із затворами першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів, стоки першого ртипу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами одинадцятого p-n-р і сімнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, база і колектор двадцять першого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з першим виводом джерела струму і базою двадцять другого p-n-р біполярного транзистора, а емітер з колектором п'ятого p-n-р біполярного транзистора, емітер двадцять другого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором четвертого p-n-р біполярного транзистора, колектор двадцять другого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять третього n-р-n і базою двадцять четвертого n-p-n біполярних транзисторів, емітери двадцять третього n-p-n біполярного транзистора з'єднано з колектором третього n-p-n біполярного транзистора, а емітер двадцять четвертого n-p-n з колектором і базою першого n-p-п біполярного транзистора, колектор двадцять четвертого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з базою двадцять п'ятого p-n-р біполярного транзистора, причому колектор двадцять п'ятого p-n-р біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу, а емітер з'єднано з колектором двадцять шостого і базою одинадцятого p-n-p біполярних транзисторів, емітер двадцять шостого р-n-р біполярного транзистора підключено до шини додатнього живлення, база і колектор двадцять сьомого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з другим виводом джерела струму і базою двадцять восьмого n-p-n біполярного транзистора, а емітер з колектором шостого n-p-n біполярного транзистора, емітер двадцять восьмого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором сьомого n-p-п біполярного транзистора, колектор двадцять восьмого n-p-п біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять дев'ятого p-n-р і базою тридцятого р-n-р біполярних транзисторів, емітери двадцять дев'ятого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з колектором восьмого р-n-р біполярного транзистора, а емітер тридцято 50876 8 го р-n-р з колектором і базою другого р-n-р біполярного транзистора, колектор тридцятого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою тридцять другого n-p-n біполярного транзистора, причому колектор тридцять другого n-р-n біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу, а емітер з'єднано з колектором тридцять першого і базою сімнадцятого n-р-n біполярних транзисторів, емітер тридцять першого n-p-n біполярного транзистора підключено до шини від'ємного живлення, введено тридцять третій р-n-р та тридцять четвертий n-р-n біполярні транзистори, причому базу двадцять шостого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою десятого р-n-р біполярного транзистора, а також з базою і колектором дев'ятого р-n-р та емітером тридцять третього р-пр біполярних транзисторів, базу тридцять першого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з базою шістнадцятого n-p-n біполярного транзистора, а також з базою і колектором п'ятнадцятого n-p-n та емітером тридцять четвертого n-р-n біполярних транзисторів, колектори тридцять третього р-n-р та тридцять четвертого n-р-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами двадцять четвертого n-p-n та тридцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно. На кресленні представлено принципову схему двотактного симетричного підсилювача струму. Пристрій містить вхідну шину 6 з'єднано з емітерами першого n-р-n 19 і другого р-n-р 20 біполярних транзисторів, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку 35 та коригуючого конденсатора 34, бази і колектори першого р-n-р 19 і другого n-р-n 20 біполярних транзисторів з'єднані з базами третього n-р-n 10 і восьмого р-n-р 12 біполярних транзисторів, а їх емітери об'єднано і підключено до шини нульового потенціалу 11, база і колектор четвертого р-n-р 7 біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятого р-n-р 1 біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатнього живлення 42, база і колектор сьомого n-р-n 15 біполярного транзистора з'єднано з базою шостого n-р-n 5 біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення 46, емітери десятого р-n-р 24 та дев'ятого р-n-р 16 біполярних транзисторів підключено до шини додатнього живлення 42, емітери шістнадцятого n-рn 27 та п'ятнадцятого n-р-n 23 біполярних транзисторів підключено до шини від'ємного живлення 46, бази і колектори тринадцятого р-n-р 38 і дев'ятнадцятого n-р-n 39 біполярних транзисторів з'єднані з базами дванадцятого n-р-n 25 і вісімнадцятого рn-р 26, базами чотирнадцятого n-р-n 43 і двадцятого р-n-р 45 біполярних транзисторів та витоками першого р-типу 37 і другого n-типу 40 польових транзисторів відповідно, емітери дванадцятого nр-n 25 і вісімнадцятого р-n-р 26, а також тринадцятого n-р-n 38 і дев'ятнадцятого р-n-р 39 біполярних транзисторів об'єднано відповідно, емітери чотирнадцятого n-р-n 43 і двадцятого р-n-р 45 біполярних транзисторів об'єднано і підключено до другого виводу конденсатора 34 і другого виводу резистора 35 та вихідної шини 44, колектори чотирнадцятого n-р-n 43 типу і двадцятого р-n-р 45 типу біполярних транзисторів підключено до шини 9 додатнього 42 та від'ємного 46 живлення відповідно, емітери одинадцятого р-n-р 36 і сімнадцятого n-р-n 41 біполярних транзисторів підключено до шини додатнього 42 та від'ємного 46 живлення відповідно, а бази з'єднано із затворами першого р-типу 37 і другого n-типу 40 польових транзисторів, стоки першого р-типу 37 і другого n-типу 40 польових транзисторів з'єднано з колекторами одинадцятого р-n-р 36 і сімнадцятого n-р-n 41 біполярних транзисторів відповідно, база і колектор двадцять першого р-n-р 2 біполярного транзистора з'єднано з першим виводом джерела струму З і базою двадцять другого р-n-р 8 біполярного транзистора, а емітер з колектором п'ятого р-n-р 1 біполярного транзистора, емітер двадцять другого р-n-р 8 біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором четвертого р-n-р 7 біполярного транзистора, колектор двадцять другого р-n-р 8 біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять третього n-р-n 9 і базою двадцять четвертого n-р-n 18 біполярних транзисторів, емітери двадцять третього n-р-n 9 біполярного транзистора з'єднано з колектором третього n-р-n 10 біполярного транзистора, а емітер двадцять четвертого nр-n 18 з колектором і базою першого n-р-n 19 біполярного транзистора, колектор двадцять четвертого n-р-n 18 біполярного транзистора з'єднано з базою двадцять п'ятого р-n-р 29 біполярного транзистора, причому колектор двадцять п'ятого р-n-р 29 біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу 30, а емітер з'єднано з колектором двадцять шостого р-n-р 28 і базою одинадцятого р-n-р 36 біполярних транзисторів, емітер двадцять шостого р-n-р 28 біполярного транзистора підключено до шини додатнього живлення 42, база і колектор двадцять сьомого n-р-n 4 біполярного транзистора з'єднано з другим виводом джерела струму 3 і базою двадцять восьмого n-р-n 14 біполярного транзистора, а емітер з колектором шостого n-р-n 5 біполярного транзистора, емітер двадцять восьмого n-р-n 14 біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором сьомого n-р-n 15 біполярного транзистора, колектор двадцять восьмого n-р-n 14 біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять дев'ятого р-n-р 13 і базою тридцятого р-n-р 21 біполярних транзисторів, емітер двадцять дев'ятого р-n-р 13 біполярного транзистора з'єднано з колектором восьмого р-n-р 12 біполярного транзистора, а емітер тридцятого р-n-р 21 з колектором і базою другого р-nр 20 біполярного транзистора, колектор тридцятого p-n-p 21 біполярного транзистора з'єднано з базою тридцять другого n-р-n 32 біполярного транзистора, причому колектор тридцять другого n-р-n 32 біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу 31, а емітер з'єднано з колектором тридцять першого n-р-n 33 і базою сімнадцятого n-р-n 41 біполярних транзисторів, емітер тридцять першого n-р-n 33 біполярного транзистора підключено до шини від'ємного живлення 46, базу двадцять шостого р-n-р 28 біполярного транзистора з'єднано з базою десятого р-n-р 24 біполярного транзистора, а також з базою і колектором дев'ятого р-n-р 16 та емітером тридцять третього 50876 10 р-n-р 17 біполярних транзисторів, базу тридцять першого n-р-n 33 біполярного транзистора з'єднано з базою шістнадцятого n-р-n 27 біполярного транзистора, а також з базою і колектором п'ятнадцятого n-р-n 23 та емітером тридцять четвертого n-р-n 22 біполярних транзисторів, колектори тридцять третього р-n-р 17 та тридцять четвертого nр-n 22 біполярних транзисторів з'єднано з колекторами двадцять четвертого n-р-n 18 та тридцятого р-n-р 21 біполярних транзисторів відповідно. Пристрій працює таким чином. Вхідний сигнал у вигляді струму поступає на вхідну шину 6. Якщо вхідний струм втікає у схему, то другий р-n-р 20 біполярний транзистор привідкривається, а перший n-р-n 19 біполярний транзистор призакривається. Відповідно тридцятий n-р-n 21 біполярний транзистор привідкривається, а двадцять четвертий р-n-р 18 біполярний транзистор призакривається. Відповідно сімнадцятий n-рn 41 біполярний та другий n-типу 40 польовий транзистори привідкриваються, а одинадцятий р-n-р 36 біполярний та перший р-типу 37 польовий транзистори призакриваються. При цьому потенціал точки об'єднання емітерів тринадцятого n-р-n 38 і дев'ятнадцятого р-n-р 39 біполярних транзисторів зменшується і прямує до -Еж. При цьому точка об'єднання емітерів чотирнадцятого n-р-n 43 і двадцятого р-n-р 45 біполярних транзисторів, а також вихідна шина 44 відслідковує потенціал точки об'єднання емітерів тринадцятого n-p-n 38 і дев'ятнадцятого р-n-р 39 біполярних транзисторів і також зменшується та наближається до -ЕЖ. Якщо вхідний струм втікає у схему, то другий р-n-р 20 біполярний транзистор призакривається, а перший n-р-n 19 біполярний транзистор привідкривається. Відповідно тридцятий n-р-n 21 біполярний транзистор призакривається, а двадцять четвертий р-n-р 18 біполярний транзистор привідкривається. Відповідно сімнадцятий n-р-n 41 біполярний та другий n-типу 40 польовий транзистори призакриваються, а одинадцятий р-n-р 36 біполярний та перший р-типу 37 польовий транзистори привідкриваються. При цьому потенціал точки об'єднання емітерів тринадцятого n-р-n 38 і дев'ятнадцятого р-n-р 39 біполярних транзисторів збільшується і прямує до +Еж. При цьому точка об'єднання емітерів чотирнадцятого n-р-n 43 і двадцятого р-n-р 45 біполярних транзисторів, а також вихідна шина 44 відслідковує потенціал точки об'єднання емітерів тринадцятого n-р-n 38 і дев'ятнадцятого р-п-р 39 біполярних транзисторів і також збільшується та наближається до +ЕЖ. Джерело струму 3 та п'ятий р-n-р 1, двадцять перший р-n-р 2, двадцять сьомий n-р-n 4, шостий n-р-n 5, а також четвертий р-n-р 7, двадцять другий р-n-р 8, двадцять восьмий n-р-n 14 і сьомий nр-n 15 біполярні транзистори утворюють схему завдання режиму по постійному струму. Перший n-р-n 19, другий р-n-р 20, третій n-р-n 10, восьмий р-n-р 12, двадцять третій n-р-n 9, двадцять четвертий n-р-n 18, а також двадцять дев'ятий р-n-р 13 і тридцятий р-n-р 21 біполярні транзистори утворюють двотактний симетричний вхідний каскад. 11 50876 П'ятнадцятий n-р-n 22, шістнадцятий n-р-n 27, тридцять четвертий n-р-n 22 та тридцять перший n-р-n 33, а також дев'ятий р-n-р 16, десятий р-n-р 24, тридцять третій р-n-р 17 та двадцять шостий рn-р 28 біполярні транзистори являють собою відбивачі струму, які завдають струм зміщення для двонаправленого відбивача струму, побудованого на дванадцятому n-р-n 25, тринадцятому n-р-n 38, вісімнадцятому р-n-р 26 і дев'ятнадцятому р-n-р 39 біполярних транзисторах, а також підсилювальних каскадів, що побудовані на тридцять другому n-р-n 32 і двадцять п'ятому р-n-р 29 біполярних транзисторах відповідно. Одинадцятий р-n-р 36 біполярний та перший р-типу 37 польовий, а також сімнадцятий n-р-n 41 Комп’ютерна верстка А. Рябко 12 біполярний та другий n-типу 40 польовий транзистори утворюють підсилювальні каскади. Тринадцятий n-р-n 38, дев'ятнадцятий р-n-р 39, чотирнадцятий n-р-n 43, двадцятий р-n-р 45 біполярні транзистори утворюють двотактний симетричний вихідний каскад. Коригуючий конденсатор 34 коригує АЧХ і запобігає генерації. Резистор зворотного зв'язку 35 задає коефіцієнт підсилення. Шини додатнього 42 і від'ємного 46 живлення, а також шини нульового потенціалу 11, 30 та 31 забезпечують потрібний рівень напруги для живлення схеми. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601