Двотактний симетричний підсилювач струму

Двотактний симетричний підсилювач струму, який містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, шістнадцять n-р-n та шістнадцять p-np біполярних транзисторів, причому вхідну шину з'єднано з емітерами першого n-р-n і другого p-n-p біполярних транзисторів, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази і колектори першого p-n-p і другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднані з базами третього n-p-n і восьмого p-n-p біполярних транзисторів, а їх емітери об'єднано і підключено до шини нульового потенціалу, базу і колектор четвертого p-n-p біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятого p-n-p біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатного живлення, базу і колектор сьомого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з базою шостого n-p-n біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення, базу і колектор десятого p-n-p біполярного транзистора з'єднано з базою дев'ятого p-n-p біполярного транзистора і колектором дванадцятого n-p-n біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатного живлення, базу і колектор шістнадцятого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятнадцятого n-p-n біполярного транзистора і колектором вісімнадцятого р-n-p біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення, бази і колектори тринадцятого p-n-p і дев'ятнадцятого nр-n біполярних транзисторів з'єднані з базами дванадцятого n-р-n і вісімнадцятого p-n-p, базами чотирнадцятого n-р-n і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери дванадцятого n-р-n і вісімнадцятого p-n-p, а також тринадцятого n-р-n і дев'ятнадцятого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано відповідно, емітери чотирнадцято 2 (19) 1 3 46178 4 p-n-р з колектором і базою другого р-n-р біполярного транзистора, колектор тридцятого p-n-p біполярного транзистора з'єднано з колектором п'ятнадцятого і базою тридцять другого n-p-п біполярних транзисторів, причому колектор тридцять другого n-p-n біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу, емітер тридцять першого n-p-n біполярного транзистора підключено до шини від'ємного живлення, а базу до бази і колектора шістнадцятого n-p-n біполярного транзистора, який відрізняється тим, що введено два n-p-n та два p-n-р біполярних транзистори, причому колектори двадцять шостого p-n-р і тридцять першого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами одинадцятого p-n-р і сімнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами тридцять третього p-n-р і три дцять четвертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітер двадцять п'ятого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з колектором і базою тридцять третього p-n-р, а також з базою тридцять п'ятого p-n-р біполярних транзисторів, емітер тридцять другого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з колектором і базою тридцять четвертого np-n, а також з базою тридцять шостого n-p-n біполярних транзисторів, колектори тридцять п'ятого p-n-р і тридцять шостого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами і колекторами тринадцятого n-p-n і дев'ятнадцятого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери тридцять п'ятого p-n-р і тридцять шостого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами одинадцятого p-n-р і сімнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно. Корисна модель відноситься до імпульсної техніки і може бути використана в аналоговоцифрових перетворювачах і цифрових вимірювальних приладах. Відомо двотактний симетричний підсилювач струму (Патент України №25609, бюл. №12, 2007p.), який містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, тринадцять n-p-n та тринадцять p-n-p біполярних транзисторів, один р-типу і один n-типу польові транзистори, причому вхідну шину з'єднано з емітерами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази першого n-р-n і другого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами третього n-р-n і четвертого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами п'ятого p-n-p і шостого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, емітери третього n-р-n і четвертого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, бази п'ятого p-n-p і шостого n-р-n біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами сьомого p-n-p і восьмого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, а також з виводами джерела струму, емітери п'ятого p-n-p, сьомого p-n-p, дев'ятого р-np, одинадцятого p-n-p і п'ятнадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери шостого n-p-n, восьмого n-р-n, десятого n-p-n, дванадцятого n-p-n і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, колектори дев'ятого р-n-p і десятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з базою п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з затворами першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів, бази дев'ятого p-n-р і десятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами одинадцятого p-n-р і дванадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами тринадцятого n-р-n і чотирнадцятого pn-р біполярних транзисторів відповідно, емітери тринадцятого n-p-n і чотирнадцятого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано, бази тринадцятого np-n і чотирнадцятого p-n-р біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами сімнадцятого np-n і вісімнадцятого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами дев'ятнадцятого np-n і двадцятого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано, витоки першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого p-n-р і шістнадцятого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, стоки першого р-типу і другого nтипу польових транзисторів з'єднано з базами та колекторами дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого pn-р біполярних транзисторів відповідно, а також з базами двадцять першого n-p-n і двадцять другого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять першого n-p-n і двадцять другого p-n-р біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з базами двадцять п'ятого n-p-n і двадцять шостого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано, колектори двадцять першого n-p-n і двадцять п'ятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, колектори двадцять другого р-n-р двадцять шостого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, емітери двадцять п'ятого n-p-n і двадцять шостого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з вихідною шиною. Недоліком аналогу є значна нелінійність і низький коефіцієнт передачі. За прототип взято двотактний симетричний підсилювач струму (Патент України №39796, бюл. 5 №5, 2009p.), який містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, тринадцять n-p-n та тринадцять p-n-р біполярних транзисторів, один ртипу і один n-типу польові транзистори, причому вхідну шину з'єднано з емітерами першого n-p-n і другого p-n-р біполярних транзисторів, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази і колектори першого p-n-р і другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднані з базами третього n-p-n і восьмого pn-р біполярних транзисторів, а їх емітери об'єднано і підключено до шини нульового потенціалу, база і колектор четвертого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятого р-n-р біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатного живлення, база і колектор сьомого n-p-п біполярного транзистора з'єднано з базою шостого n-p-n біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення, база і колектор десятого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою дев'ятого p-n-р біполярного транзистора і колектором дванадцятого n-p-n біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатного живлення, база і колектор шістнадцятого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятнадцятого n-p-n біполярного транзистора і колектором вісімнадцятого p-n-р біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення, бази і колектори тринадцятого p-n-р і дев'ятнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднані з базами дванадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-р, базами чотирнадцятого n-р-n і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів та витоками першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів відповідно, емітери дванадцятого n-р-n і вісімнадцятого p-n-р, а також тринадцятого n-p-n і дев'ятнадцятого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано відповідно, емітери чотирнадцятого n-рn і двадцятого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано і підключено до другого виводу конденсатора і другого виводу резистора та вихідної шини, колектори чотирнадцятого n-p-n типу і двадцятого p-n-р типу біполярних транзисторів підключено до шини додатного та від'ємного живлення відповідно, емітери одинадцятого p-n-р і сімнадцятого n-pn біполярних транзисторів підключено до шини додатного та від'ємного живлення відповідно, а бази з'єднано із затворами першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів, стоки першого ртипу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами одинадцятого p-n-р і сімнадцятого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, база і колектор двадцять першого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з першим виводом джерела струму і базою двадцять другого p-n-р біполярного транзистора, а емітер з колектором п'ятого p-n-р біполярного транзистора, емітер двадцять другого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором четвертого р-n-р біполярного транзистора, колектор двадцять другого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять третього n-p-n і базою двадцять четвертого n-р-n біполярних транзисторів, 46178 6 емітери двадцять третього n-p-n біполярного транзистора з'єднано з колектором третього n-р-n біполярного транзистора, а емітер двадцять четвертого n-p-n з колектором і базою першого n-p-n біполярного транзистора, колектор двадцять четвертого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з колектором дев'ятого і базою двадцять п'ятого p-nр біполярних транзисторів, причому колектор двадцять п'ятого p-n-р біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу, а емітер з'єднано з колектором двадцять шостого і базою одинадцятого p-n-р біполярних транзисторів, емітер двадцять шостого р-n-р біполярного транзистора підключено до шини додатного живлення, а базу - до бази і колектора десятого p-n-р біполярного транзистора, база і колектор двадцять сьомого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з другим виводом джерела струму і базою двадцять восьмого n-p-n біполярного транзистора, а емітер з колектором шостого n-p-n біполярного транзистора, емітер двадцять восьмого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором сьомого n-p-n біполярного транзистора, колектор двадцять восьмого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять дев'ятого р-n-р і базою тридцятого p-n-р біполярних транзисторів, емітери двадцять дев'ятого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з колектором восьмого р-n-р біполярного транзистора, а емітер тридцятого p-n-р з колектором і базою другого p-n-р біполярного транзистора, колектор тридцятого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з колектором п'ятнадцятого і базою тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів, причому колектор тридцять другого n-p-n біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу, а емітер з'єднано з колектором тридцять першого і базою сімнадцятого n-p-n біполярних транзисторів, емітер тридцять першого n-р-n біполярного транзистора підключено до шини від'ємного живлення, а базу - до бази і колектора шістнадцятого n-p-n біполярного транзистора. Недоліком прототипу є складність технології виготовлення пристрою в інтегральному виконанні, оскільки в кристалі мікросхеми повинні бути як біполярні так і польові транзистори. В основу корисної моделі поставлено задачу спрощення технології виготовлення двотактного симетричного підсилювача струму в інтегральному виконанні, оскільки в кристалі мікросхеми використовуються виключно біполярні транзистори. Поставлена задача досягається тим, що у двотактний симетричний підсилювач струму, який містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, шістнадцять n-p-n та шістнадцять р-n-р біполярних транзисторів, причому вхідну шину з'єднано з емітерами першого n-p-n і другого р-n-р біполярних транзисторів, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази і колектори першого р-n-р і другого n-р-n біполярних транзисторів з'єднані з базами третього n-р-n і восьмого р-n-р біполярних транзисторів, а їх емітери об'єднано і підключено 7 до шини нульового потенціалу, база і колектор четвертого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятого р-n-р біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатного живлення, база і колектор сьомого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з базою шостого n-р-n біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення, база і колектор десятого р-n-р біполярного транзистора з'єднано з базою дев'ятого р-n-р біполярного транзистора і колектором дванадцятого n-р-n біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатного живлення, база і колектор шістнадцятого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятнадцятого n-р-n біполярного транзистора і колектором вісімнадцятого р-n-р біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення, бази і колектори тринадцятого р-n-р і дев'ятнадцятого nр-n біполярних транзисторів з'єднані з базами дванадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-n-р, базами чотирнадцятого n-р-n і двадцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери дванадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-n-р, а також тринадцятого n-р-n і дев'ятнадцятого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано відповідно, емітери чотирнадцятого n-р-n і двадцятого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано і підключено до другого виводу конденсатора і другого виводу резистора та вихідної шини, колектори чотирнадцятого n-р-n типу і двадцятого р-n-р типу біполярних транзисторів підключено до шини додатного та від'ємного живлення відповідно, емітери одинадцятого р-n-р і сімнадцятого n-р-n біполярних транзисторів підключено до шини додатного та від'ємного живлення відповідно, база і колектор двадцять першого рn-р біполярного транзистора з'єднано з першим виводом джерела струму і базою двадцять другого р-n-р біполярного транзистора, а емітер з колектором п'ятого р-n-р біполярного транзистора, емітер двадцять другого p-n-p біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором четвертого p-n-p біполярного транзистора, колектор двадцять другого p-n-p біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять третього n-p-n і базою двадцять четвертого n-p-n біполярних транзисторів, емітер двадцять третього n-р-n біполярного транзистора з'єднано з колектором третього n-p-n біполярного транзистора, а емітер двадцять четвертого n-p-n з колектором і базою першого n-p-n біполярного транзистора, колектор двадцять четвертого n-р-n біполярного транзистора з'єднано з колектором дев'ятого і базою двадцять п'ятого p-nр біполярних транзисторів, причому колектор двадцять п'ятого р-n-р біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу, емітер двадцять шостого p-n-р біполярного транзистора підключено до шини додатного живлення, а базу до бази і колектора десятого p-n-р біполярного транзистора, база і колектор двадцять сьомого np-n біполярного транзистора з'єднано з другим виводом джерела струму і базою двадцять восьмого n-р-n біполярного транзистора, а емітер з колектором шостого n-p-n біполярного транзистора, емітер двадцять восьмого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором сьомо 46178 8 го n-p-n біполярного транзистора, колектор двадцять восьмого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять дев'ятого p-n-р і базою тридцятого p-n-р біполярних транзисторів, емітер двадцять дев'ятого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з колектором восьмого pn-р біполярного транзистора, а емітер тридцятого p-n-р з колектором і базою другого p-n-р біполярного транзистора, колектор тридцятого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з колектором п'ятнадцятого і базою тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів, причому колектор тридцять другого n-p-n біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу, емітер тридцять першого n-p-n біполярного транзистора підключено до шини від'ємного живлення, а базу до бази і колектора шістнадцятого n-p-n біполярного транзистора, введено два n-p-n та два p-n-р біполярних транзисторів, причому колектори двадцять шостого p-n-р і тридцять першого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами одинадцятого p-n-р і сімнадцятого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами тридцять третього p-n-р і тридцять четвертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітер двадцять п'ятого p-n-р біполярного транзистора з'єднано з колектором і базою тридцять третього p-nр, а також з базою тридцять п'ятого р-n-р біполярних транзисторів, емітер тридцять другого n-p-n біполярного транзистора з'єднано з колектором і базою тридцять четвертого n-p-n, a також з базою тридцять шостого n-p-n біполярних транзисторів, колектори тридцять п'ятого p-n-р і тридцять шостого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами і колекторами тринадцятого n-p-n і дев'ятнадцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери тридцять п'ятого p-n-р і тридцять шостого n-pn біполярних транзисторів з'єднано з колекторами одинадцятого p-n-р і сімнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно. На кресленні представлено принципову схему двотактного симетричного підсилювача струму. Пристрій містить вхідну шину 6, яку з'єднано з емітерами першого n-р-n 18 і другого р-n-р 18 біполярних транзисторів, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку 35 та коригуючого конденсатора 34, бази і колектори першого рn-р 18 і другого n-р-n 19 біполярних транзисторів з'єднані з базами третього n-р-n 10 і восьмого р-nр 12 біполярних транзисторів, а їх емітери об'єднано і підключено до шини нульового потенціалу 11, база і колектор четвертого р-n-р 7 біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятого р-n-р 1 біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатного живлення 42, база і колектор сьомого n-р-n 15 біполярного транзистора з'єднано з базою шостого n-р-n 5 біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення 46, база і колектор десятого р-n-р 22 біполярного транзистора з'єднано з базою дев'ятого р-n-р 16 біполярного транзистора і колектором дванадцятого n-р-n 23 біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини додатного живлення 42, база і колектор шістнадцятого n-р-n 25 біполярного транзистора з'єднано з базою п'ятнадцятого n-р-n 21 9 біполярного транзистора і колектором вісімнадцятого р-n-р 24 біполярного транзистора, а їх емітери підключено до шини від'ємного живлення 46, бази і колектори тринадцятого р-n-р 38 і дев'ятнадцятого n-р-n 39 біполярних транзисторів з'єднані з базами дванадцятого n-р-n 23 і вісімнадцятого р-n-р 24, базами чотирнадцятого n-р-n 43 і двадцятого р-n-р 45 біполярних транзисторів відповідно, емітери дванадцятого n-р-n 23 і вісімнадцятого р-n-р 24, а також тринадцятого n-р-n 38 і дев'ятнадцятого р-nр 39 біполярних транзисторів об'єднано відповідно, емітери чотирнадцятого n-р-n 43 і двадцятого р-n-р 20 біполярних транзисторів об'єднано і підключено до другого виводу конденсатора 34 і другого виводу резистора 35 та вихідної шини 44, колектори чотирнадцятого n-р-n 43 типу і двадцятого р-n-р 45 типу біполярних транзисторів підключено до шини додатного 42 та від'ємного 46 живлення відповідно, емітери одинадцятого р-n-р 36 і сімнадцятого n-р-n 41 біполярних транзисторів підключено до шини додатного 42 та від'ємного 46 живлення відповідно, база і колектор двадцять першого р-n-р 2 біполярного транзистора з'єднано з першим виводом джерела струму 3 і базою двадцять другого р-n-р 8 біполярного транзистора, а емітер з колектором п'ятого р-n-р 1 біполярного транзистора, емітер двадцять другого р-n-р 8 біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором четвертого р-n-р 7 біполярного транзистора, колектор двадцять другого р-n-р 8 біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять третього n-р-n 9 і базою двадцять четвертого n-р-n 17 біполярних транзисторів, емітер двадцять третього n-р-n 9 біполярного транзистора з'єднано з колектором третього n-р-n 10 біполярного транзистора, а емітер двадцять четвертого nр-n 17 з колектором і базою першого n-р-n 18 біполярного транзистора, колектор двадцять четвертого n-р-n 17 біполярного транзистора з'єднано з колектором дев'ятого р-n-р 16 і базою двадцять п'ятого р-n-р 28 біполярних транзисторів, причому колектор двадцять п'ятого р-n-р 28 біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу 29, емітер двадцять шостого р-n-р 26 біполярного транзистора підключено до шини додатного живлення 42, а базу - до бази і колектора десятого р-n-р 22 біполярного транзистора, база і колектор двадцять сьомого n-р-n 4 біполярного транзистора з'єднано з другим виводом джерела струму 3 і базою двадцять восьмого n-р-n 14 біполярного транзистора, а емітер з колектором шостого n-р-n 5 біполярного транзистора, емітер двадцять восьмого n-р-n 14 біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором сьомого n-р-n 15 біполярного транзистора, колектор двадцять восьмого n-р-n 14 біполярного транзистора з'єднано з базою і колектором двадцять дев'ятого р-n-р 13 і базою тридцятого р-n-р 20 біполярних транзисторів, емітер двадцять дев'ятого р-n-р 13 біполярного транзистора з'єднано з колектором восьмого рn-р 12 біполярного транзистора, а емітер тридцятого р-n-р 20 з колектором і базою другого р-n-р 19 біполярного транзистора, колектор тридцятого р-nр 20 біполярного транзистора з'єднано з колектором п'ятнадцятого n-р-n 21 і базою тридцять дру 46178 10 гого n-р-n 31 біполярних транзисторів, причому колектор тридцять другого n-р-n 31 біполярного транзистора підключено до шини нульового потенціалу 30, емітер тридцять першого n-р-n 33 біполярного транзистора підключено до шини від'ємного живлення 46, а базу - до бази і колектора шістнадцятого n-р-n 25 біполярного транзистора, колектори двадцять шостого р-n-р 26 і тридцять першого n-р-n 33 біполярних транзисторів з'єднано з базами одинадцятого р-n-р 36 і сімнадцятого n-рn 41 біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами тридцять третього р-n-р 27 і тридцять четвертого n-р-n 32 біполярних транзисторів відповідно, емітер двадцять п'ятого р-n-р 28 біполярного транзистора з'єднано з колектором і базою тридцять третього р-n-р 27, а також з базою тридцять п'ятого р-n-р 37 біполярних транзисторів, емітер тридцять другого n-р-n 31 біполярного транзистора з'єднано з колектором і базою тридцять четвертого n-р-n 32, а також з базою тридцять шостого n-р-n 40 біполярних транзисторів, колектори тридцять п'ятого р-n-р 37 і тридцять шостого n-р-n 40 біполярних транзисторів з'єднано з базами і колекторами тринадцятого n-р-n 38 і дев'ятнадцятого р-n-р 39 біполярних транзисторів відповідно, емітери тридцять п'ятого р-n-р 37 і тридцять шостого n-р-n 40 біполярних транзисторів з'єднано з колекторами одинадцятого р-n-р 36 і сімнадцятого n-р-n 41 біполярних транзисторів відповідно. Пристрій працює таким чином. Вхідний сигнал у вигляді струму поступає на вхідну шину 6. Якщо вхідний струм втікає у схему, то другий р-n-р 19 біполярний транзистор привідкривається, а перший n-р-n 18 біполярний транзистор призакривається. Відповідно тридцятий n-р-n 20 біполярний транзистор привідкривається, а двадцять четвертий р-n-р 17 біполярний транзистор призакривається. Відповідно сімнадцятий n-рn 41 та тридцять шостий n-р-n 40 біполярні транзистори привідкриваються, а одинадцятий р-n-р 36 та тридцять п'ятий р-n-р 37 біполярні транзистори призакриваються. При цьому потенціал точки об'єднання емітерів тринадцятого n-р-n 38 і дев'ятнадцятого р-n-р 39 біполярних транзисторів зменшується і прямує до - Еж. При цьому точка об'єднання емітерів чотирнадцятого n-р-n 43 і двадцятого р-nр 45 біполярних транзисторів, а також вихідна шина 44 відслідковує потенціал точки об'єднання емітерів тринадцятого n-р-n 38 і дев'ятнадцятого рn-р 39 біполярних транзисторів і також зменшується та наближається до - Еж. Якщо вхідний струм втікає у схему, то другий р-n-р 19 біполярний транзистор призакривається, а перший n-р-n 18 біполярний транзистор привідкривається. Відповідно тридцятий n-р-n 20 біполярний транзистор призакривається, а двадцять четвертий р-n-р 17 біполярний транзистор привідкривається. Відповідно сімнадцятий n-р-n 41 та шостий n-р-n 40 біполярні транзистори призакриваються, а одинадцятий р-n-р 36 та тридцять п'ятий р-n-р 37 біполярні транзистори привідкриваються. При цьому потенціал точки об'єднання емітерів тринадцятого n-р-n 38 і дев'ятнадцятого рn-р 39 біполярних транзисторів збільшується і прямує до + Еж. При цьому точка об'єднання емі 11 46178 терів чотирнадцятого n-р-n 43 і двадцятого р-n-р 45 біполярних транзисторів, а також вихідна шина 44 відслідковує потенціал точки об'єднання емітерів тринадцятого n-р-n 38 і дев'ятнадцятого р-n-р 39 біполярних транзисторів і також збільшується та наближається до + Еж. Джерело струму 3 та п'ятий р-n-р 1, двадцять перший р-n-р 2, двадцять сьомий n-р-n 4, шостий n-р-n 5, а також четвертий р-n-р 7, двадцять другий р-n-р 8, двадцять восьмий n-р-n 14 і сьомий nр-n 15 біполярні транзистори утворюють схему завдання режиму по постійному струму. Перший n-р-n 18, другий р-n-р 19, третій n-р-n 10, восьмий р-n-р 12, двадцять третій n-р-n 9, двадцять четвертий n-р-n 17, а також двадцять дев'ятий р-n-р 13 і тридцятий р-n-р 20 біполярні транзистори утворюють двотактний симетричний вхідний каскад. П'ятнадцятий n-р-n 21, шістнадцятий n-р-n 25, тридцять перший n-р-n 33 та тридцять четвертий n-р-n 32, а також дев'ятий р-n-р 16, десятий р-n-р 22, двадцять шостий р-n-р 26 та тридцять третій рn-р 27 біполярні транзистори являють собою відбивачі струму, які завдають струм зміщення для Комп’ютерна верстка М. Ломалова 12 двонаправленого відбивача струму, побудованого на дванадцятому n-р-n 23, тринадцятому n-р-n 38, вісімнадцятому р-n-р 24 і дев'ятнадцятому р-n-р 39 біполярних транзисторах, а також підсилювальних каскадів, що побудовані на тридцять другому n-р-n 31 і двадцять п'ятому р-n-р 28 біполярних транзисторах відповідно. Одинадцятий р-n-р 34 та тридцять п'ятий 37 рn-р біполярні транзистори, а також сімнадцятий nр-n 41 біполярний та тридцять шостий другий n-р-n 40 біполярні транзистори утворюють підсилювальні каскади. Тринадцятий n-р-n 38, дев'ятнадцятий р-n-р 39, чотирнадцятий n-р-n 43, двадцятий р-n-р 45 біполярні транзистори утворюють двотактний симетричний вихідний каскад. Коригуючий конденсатор 34 коригує АЧХ і запобігає генерації. Резистор зворотного зв'язку 35 задає коефіцієнт підсилення. Шини додатного 42 і від'ємного 46 живлення, а також шини нульового потенціалу 11, 29 та 30 забезпечують потрібний рівень напруги для живлення схеми. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601