Двотактний симетричний підсилювач струму

Двотактний симетричний підсилювач струму, який містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, п'ятнадцять n-р-n та п'ятнадцять p-n-р біполярних транзисторів, р-типу і n-типу польові транзистори, причому вхідну шину з'єднано з базами двадцять третього n-р-n і двадцять четвертого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, колектори двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого р-nр біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, емітери двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з емітерами першого np-n і другого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори п'ятого n-p-n і шостого рn-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, емітери п'ятого np-n і шостого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з емітерами двадцять дев'ятого n-p-n і тридцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори двадцять дев'ятого n-р-n і тридцятого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з базами першого n-p-n і другого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сьомого p-n-р і восьмого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, бази сьомого p-n-р і восьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з виводами джерела струму, а також з колекторами дев'ятого p-n-р і десятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери сьомого p-n-р і восьмого біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять першого p-n-р і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого p-n-р і двадцять першого p-n-р біполярних транзисторів з'єднано з шиною додат 2 (19) 1 3 53415 4 го зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з вихідною шиною, який відрізняється тим, що введено другий р-типу та другий n-типу польові транзистори, причому затвори і стоки другого ртипу та другого n-типу польових транзисторів з'єднано відповідно з затворами і стоками р-типу та nтипу польових транзисторів, а також з колектора ми п'ятнадцятого p-n-р та шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, витоки другого р-типу та другого n-типу польових транзисторів об'єднано та підключено до емітерів сімнадцятого n-p-n та вісімнадцятого p-n-р біполярних транзисторів. Корисна модель відноситься до імпульсної техніки і може бути використана в аналоговоцифрових перетворювачах і цифрових вимірювальних приладах. Відомо двотактний симетричний підсилювач струму (Патент України №23989, бюл. №8, 2007р.), який містить джерело струму, резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, чотирнадцять біполярних n-р-n та чотирнадцять біполярних p-n-р транзисторів, один р-типу та один n-типу польових транзисторів, причому вхідну шину з'єднано з емітерами двадцять третього n-р-n і двадцять четвертого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази та колектори двадцять третього n-р-n і двадцять четвертого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з емітерами першого n-р-n і другого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з з'єднано з базами п'ятого n-р-n і шостого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери п'ятого n-р-n і шостого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, колектори п'ятого n-р-n і шостого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з базами першого n-р-n і другого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сьомого р-n-р восьмого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, бази сьомого р-nр і восьмого n-р-n біполярних транзисторів з'єднано з виводами джерела струму, а також з колекторами дев'ятого р-n-р і десятого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, емітери сьомого р-n-р і восьмого біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять першого р-n-р і двадцять другого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого р-n-р і двадцять першого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери десятого n-рn і двадцять другого n-р-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, колектори першого n-p-n і другого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з колекторами третього p-n-р i четвертого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, а також з базами п'ятнадцятого p-n-р iшістнадцятого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, а також з затворами першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів відповідно, бази третього pn-р і четвертого n-р-n біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами одинадцятого pn-р і чотирнадцятого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами дванадцятого n р-n і тринадцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери третього p-n-р, одинадцятого р-n-р, п'ятнадцятого p-n-р, а також колектор дев'ятнадцятого n-р-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери четвертого n-р-n, чотирнадцятого n-р-n, шістнадцятого n-р-n, а також колектор двадцятого p-n-р біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, витоки першого р-типу i другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого p-n-р і шістнадцятого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, стоки першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами сімнадцятого n-р-n і вісімнадцятого рn-р біполярних транзисторів відповідно, а також з базами дванадцятого n-р-n і дев'ятнадцятого n-р-n та тринадцятого р-n-р і двадцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано, бази сімнадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять п'ятого n-р-n і двадцять шостого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами дванадцятого n-рn і тринадцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять п'ятого n-р-n і двадцять шостого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано, емітери дев'ятнадцятого n-р-n і двадцятого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять сьомого n-р-n і двадцять восьмого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять сьомого n-р-n і двадцять восьмого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з вихідною шиною. Недоліком прототипу є низький коефіцієнт підсилення, що обмежує галузь використання пристрою. За прототип взято двотактний симетричний підсилювач струму (Патент України №34462, бюл. №15, 2008p.), який містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, п'ятнадцять n-p-n та п'ятнадцять p-n-р біполярних транзисторів, р-типу і n-типу польові транзистори, причому вхідну шину з'єднано з базами двадцять третього n-р-n і двадцять четвертого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, колектори двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого р-n-р біполярних транзисторів об'єдна 5 но та з'єднано з шиною нульового потенціалу, емітери двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з емітерами першого n-p-n і другого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори п'ятого n-p-n і шостого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, емітери п'ятого n-p-n і шостого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з емітерами двадцять дев'ятого n-p-n і тридцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори двадцять дев'ятого n-р-n і тридцятого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з базами першого n-p-n і другого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сьомого p-n-р восьмого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, бази сьомого p-n-р і восьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з виводами джерела струму, а також з колекторами дев'ятого p-n-р і десятого np-n біполярних транзисторів відповідно, емітери сьомого p-n-р і восьмого біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять першого p-n-р і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого p-n-р і двадцять першого p-n-р біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери десятого n-p-n і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, колектори першого n-p-n і другого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з колекторами третього p-n-р і четвертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з базами п'ятнадцятого p-n-р і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з затворами першого р-типу і другого n-типу польових транзисторів відповідно, бази третього p-n-р і четвертого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами одинадцятого p-n-р і чотирнадцятого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами дванадцятого n-р-n і тринадцятого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери третього p-nр, одинадцятого p-n-р, п'ятнадцятого p-n-р, а також колектор дев'ятнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери четвертого n-p-n, чотирнадцятого n-p-n, шістнадцятого n-р-n, а також колектор двадцятого p-n-р біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, стоки р-типу і n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого p-n-р і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, витоки р-типу і n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з базами дванадцятого n-p-n і дев'ятнадцятого n-p-n та тринадцятого p-n-р і двадцятого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано, бази сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого рn-р біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять п'ятого n-p-n і двадцять шостого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами дванадцятого n-p-n і тринадцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять п'ятого n-p-n і двадцять шостого 53415 6 р-n-р біполярних транзисторів об'єднано, емітери дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого рn-р біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з вихідною шиною. Недоліком прототипу є низька швидкодія по струму, що обмежує галузь використання пристрою. В основу корисної моделі поставлено задачу створення двотактного симетричного підсилювача струму, в якому за рахунок введення нових елементів та зв'язків між ними підвищується швидкодія, це розширює галузь використання корисної моделі у різноманітних пристроях імпульсної та обчислювальної техніки, автоматики тощо. Поставлена задача досягається тим, що у двотактний симетричний підсилювач струму, який містить резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, п'ятнадцять n-p-n та п'ятнадцять р-n-р біполярних транзисторів, р-типу і n-типу польові транзистори, причому вхідну шину з'єднано з базами двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, колектори двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого р-nр біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, емітери двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з емітерами першого np-n і другого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори п'ятого n-p-n і шостого рn-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, емітери п'ятого np-n і шостого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з емітерами двадцять дев'ятого n-p-n і тридцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори двадцять дев'ятого n-p-n і тридцятого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з базами першого n-p-n і другого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сьомого р-n-р восьмого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, бази сьомого р-n-р і восьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з виводами джерела струму, а також з колекторами дев'ятого р-n-р і десятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери сьомого р-n-р і восьмого біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять першого р-n-р і двадцять другого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого р-n-р і двадцять першого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери десятого n-p-n і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, колектори першого np-n і другого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з колекторами третього р-n-р і четвертого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, а також з ба 7 зами п'ятнадцятого р-n-р і шістнадцятого n-р-n біполярних транзисторів відповідно, а також з затворами р-типу і n-типу польових транзисторів відповідно, бази третього р-n-р і четвертого n-р-n біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами одинадцятого р-n-р і чотирнадцятого nр-n біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами дванадцятого n-р-n і тринадцятого рn-р біполярних транзисторів відповідно, емітери третього р-n-р, одинадцятого р-n-р, п'ятнадцятого р-n-р, а також колектор дев'ятнадцятого n-р-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери четвертого n-р-n, чотирнадцятого n-р-n, шістнадцятого n-р-n, а також колектор двадцятого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, стоки ртипу і n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого р-n-р і шістнадцятого n-рn біполярних транзисторів відповідно, витоки ртипу і n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами сімнадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-nр біполярних транзисторів відповідно, а також з базами дванадцятого n-р-n і дев'ятнадцятого n-р-n та тринадцятого р-n-р і двадцятого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-n-р біполярних транзисторів об'єднано, бази сімнадцятого n-р-n і вісімнадцятого р-n-р біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять п'ятого n-р-n і двадцять шостого р-n-р біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами дванадцятого n-pn і тринадцятого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять п'ятого n-p-n і двадцять шостого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано, емітери дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-р біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого p-n-р біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з вихідною шиною, введено другий р-типу та другий n-типу польові транзистори, причому затвори і стоки другого р-типу та другого n-типу польових транзисторів з'єднано відповідно з затворами і стоками р-типу та n-типу польових транзисторів, а також з колекторами п'ятнадцятого p-n-р та шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, витоки другого р-типу та другого n-типу польових транзисторів об'єднано та підключено до емітерів сімнадцятого n-p-n та вісімнадцятого р-n-р біполярних транзисторів. На кресленні представлено принципову схему двотактного симетричного підсилювача струму. Пристрій містить вхідну шину 4, яку з'єднано з базами двадцять третього n-р-n 16 і двадцять четвертого р-n-р 17 біполярних транзисторів відповідно, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку 26 та коригуючого конденсатора 27, колектори двадцять третього n-р-n 16 і двадцять четвертого р-n-р 17 біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, емітери двадцять третього n-р-n 16 і двадцять четвертого р-n-р 17 біполярних транзисторів з'єдна 53415 8 но з емітерами першого n-р-n 15 і другого р-n-р 18 біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори п'ятого n-р-n 8 і шостого р-n-р 10 біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу 9, емітери п'ятого n-р-n 8 і шостого р-n-р 10 біполярних транзисторів з'єднано з емітерами двадцять дев'ятого n-р-n 7 і тридцятого р-n-р 11 біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори двадцять дев'ятого n-р-n 7 і тридцятого р-n-р 11 біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з базами першого n-р-n 15 і другого р-n-р 18 біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сьомого р-n-р 6 восьмого n-р-n 12 біполярних транзисторів відповідно, бази сьомого р-n-р 6 і восьмого n-р-n 12 біполярних транзисторів з'єднано з виводами джерела струму 2, а також з колекторами дев'ятого р-n-р 1 і десятого n-р-n 3 біполярних транзисторів відповідно, емітери сьомого р-n-р 6 і восьмого n-р-n 12 біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять першого р-n-р 5 і двадцять другого n-р-n 13 біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого р-n-р 1 і двадцять першого р-n-р 5 біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення 40, емітери десятого n-р-n 3 і двадцять другого n-р-n 13 біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення 42, колектори першого n-р-n 15 і другого р-n-р 18 біполярних транзисторів з'єднано з колекторами третього р-n-р 14 і четвертого n-р-n 19 біполярних транзисторів відповідно, а також з базами п'ятнадцятого р-n-р 28 і шістнадцятого n-р-n 33 біполярних транзисторів відповідно, а також з затворами р-типу 29 і n-типу 32 польових транзисторів відповідно, бази третього р-n-р 14 і четвертого n-р-n 19 біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами одинадцятого р-n-р 20і чотирнадцятого n-р-n 25 біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами дванадцятого n-р-n 21 і тринадцятого р-n-р 24 біполярних транзисторів відповідно, емітери третього р-n-р 14, одинадцятого р-n-р 20, п'ятнадцятого р-n- 28р, а також колектор дев'ятнадцятого n-р-n 36 біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення 40, емітери четвертого n-р-n 19, чотирнадцятого n-р-n 25, шістнадцятого n-р-n 33, а також колектор двадцятого р-n-р 39 біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення 42, стоки р-типу 29 і n-типу 32 польових транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого р-n-р 28 і шістнадцятого n-р-n 33 біполярних транзисторів відповідно, витоки р-типу 29 і n-типу 32 польових транзисторів з'єднано з колекторами сімнадцятого n-р-n 30 і вісімнадцятого р-n-р 31 біполярних транзисторів відповідно, а також з базами дванадцятого n-р-n 21 і дев'ятнадцятого n-р-n 36 та тринадцятого р-n-р 24 і двадцятого р-n-р 39 біполярних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-рn 30 і вісімнадцятого р-n-р 31 біполярних транзисторів об'єднано, бази сімнадцятого n-р-n 30 і вісімнадцятого р-n-р 31 біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять п'ятого nр-n 22 і двадцять шостого р-n-р 23 біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами дванадцятого n-р-n 21 і тринадцятого р-n-р 24 біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять п'ятого 9 n-р-n 22 і двадцять шостого р-n-р 23 біполярних транзисторів об'єднано, емітери дев'ятнадцятого n-р-n 36 і двадцятого р-n-р 39 біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять сьомого n-р-n 37 і двадцять восьмого р-n-р 38 біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять сьомого n-р-n 37 і двадцять восьмого р-n-р 38 біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку 26 та коригуючого конденсатора 27, а також з вихідною шиною 41, затвори і стоки другого р-типу 34 та другого n-типу 35 польових транзисторів з'єднано відповідно з затворами і стоками р-типу 29 та n-типу 32 польових транзисторів, а також з колекторами п'ятнадцятого р-n-р 28 та шістнадцятого n-р-n 33 біполярних транзисторів відповідно, витоки другого р-типу 34 та другого n-типу 35 польових транзисторів об'єднано та підключено до емітерів сімнадцятого n-р-n 30 та вісімнадцятого рn-р 31 біполярних транзисторів. Пристрій працює таким чином. Вхідний сигнал у вигляді струму поступає на вхідну шину 4. Якщо вхідний струм втікає у схему, то двадцять четвертий n-р-n 17 біполярний транзистор привідкривається, а двадцять третій р-n-р 16 біполярний транзистор призакривається, відповідно другий р-n-р 18 біполярний транзистор привідкривається, а перший n-р-n 15 біполярний транзистор призакривається Відповідно шістнадцятий n-р-n 33 біполярний та n-типу 32 польовий транзистори привідкриваються, а п'ятнадцятий р-n-р 28 біполярний та р-типу 29 польовий транзистори призакриваються. При цьому потенціал точки об'єднання емітерів сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого р-n-р 31 біполярних транзисторів зменшується і прямує до - Еж. При цьому вихідна шина 41 пристрою відслідковує потенціал об'єднання емітерів сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого рn-р 31 біполярних транзисторів і також зменшується та наближається до - Еж. Якщо вхідний струм витікає зі схеми, то двадцять четвертий n-p-n 17 біполярний транзистор призакривається, а двадцять третій р-n-р 16 біполярний транзистор привідкривається, відповідно другий р-n-р 18 біполярний транзистор призакривається, а перший n-p-n 15 біполярний транзистор привідкривається. Відповідно шістнадцятий n-p-n 33 біполярний та n-типу 32 польовий транзистори призакриваються, а п'ятнадцятий р-n-р 28 біполярний та р-типу 29 польовий транзистори привідкриваються. При цьому потенціал точки об'єднання емітерів сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого рn-р 31 біполярних транзисторів збільшується і 53415 10 прямує до Ew. При цьому вихідна шина 41 пристрою відслідковує потенціал об'єднання емітерів сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого р-n-р 31 біполярних транзисторів і також збільшується та наближається до Еж. Джерело струму 2 та дев'ятий 1, двадцять перший р-n-р 5, сьомий р-n-р 6, двадцять дев'ятий nр-n 7, п'ятий р-n-р 8, а також десятий n-р-n 3, двадцять другий n-р-n 13, восьмий n-р-n 12, тридцятий р-n-р 11, шостий n-р-n 10 біполярні транзистори утворюють схему завдання режиму по постійному струму. Перший n-р-n 11 та другий р-n-р 12 біполярні транзистори в поєднанні з двадцять третім р-n-р 16 і двадцять четвертим n-р-n 24 біполярними транзисторами утворюють двотактний симетричний вхідний каскад, що забезпечує збільшення коефіцієнту схеми. Третій р-n-р 14 та одинадцятий р-n-р 20, а також четвертий n-р-n 19 та чотирнадцятий n-р-n 25 біполярні транзистори являють собою відбивачі струму, які завдають струм зміщення для парафазних відбивачів струму, що побудовані на дванадцятому n-р-n 21, двадцять п'ятому n-р-n 22, сімнадцятому n-р-n 30, а також на тринадцятому р-n-р 24, двадцять шостому р-n-р 23, вісімнадцятому рn-р 31 біполярних транзисторах. П'ятнадцятий р-n-р 28 біполярний, р-типу 29 польовий, шістнадцятий n-р-n 33 біполярний, nтипу 32 польовий, а також другий р-типу 34 та другий n-типу 35 транзистори утворюють підсилювальні каскади. Використання р-типу 29 та n-типу 32 польових транзисторів у каскадному вмиканні забезпечує режим автоматичного завдання робочої точки та значно підвищує вихідний опір підсилювальних каскадів, що призводить до підвищення точності роботи схеми за умови змінений напруги живлення, а також збільшення підсилення схеми. Коригуючий конденсатор 27 коригує АЧХ і запобігає генерації. Резистор зворотного зв'язку 26 задає коефіцієнт підсилення. Сімнадцятий n-р-n 30, дев'ятнадцятий n-р-n 36 і двадцять сьомий n-р-n 37, а також вісімнадцятий р-n-р 31, двадцятий р-n-р 39 і двадцять восьмий рn-р 38 біполярні транзистори утворюють двотактний симетричний вихідний каскад. Двадцять сьомий n-р-n 37 та двадцять восьмий р-n-р 38 біполярні транзистори у діодному вмиканні забезпечують необхідний струм зміщення у вихідному каскаді. Шини додатного 40 і від'ємного 42 живлення, а також шина нульового потенціалу 9 забезпечують потрібний рівень напруги для живлення схеми. 11 Комп’ютерна верстка А. Рябко 53415 Підписне 12 Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601