Патенти з міткою «метал-окисел-напівпровідниковий»
Метал-окисел-напівпровідниковий накопичувач дози іонізуючих випромінювань
Номер патенту: 47156
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ
МПК: H01L 31/00, G01T 1/00, G01T 1/24 ...
Мітки: накопичувач, випромінювань, іонізуючих, дози, метал-окисел-напівпровідниковий
Формула / Реферат:
1. Метал-окисел-напівпровідниковий (МОН) накопичувач дози іонізуючих випромінювань, що складається з кремнієвої основи, на якій сформовано два МОН транзистори з товстим шаром підзатворного діелектрика та металічними затворами, який відрізняється тим, що згадані транзистори, наприклад р-канальні, виконані за єдиною технологією та мають спільний шар згаданого діелектрика (6) і на поверхні цього діелектрика сформовані поляризаційні електроди...