Ковригін Володимир Іванович

Номер патенту: 102180

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Шкіренко Едуард Анатолійович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович, Перевертайло Олександр Володимирович

МПК: G02F 1/17, H01L 31/0232, G02F 1/015 ...

Мітки: світлофільтром, випромінювання, інтегрованим, детектор

Формула / Реферат:

1. Детектор УФ випромінювання з інтегрованим світлофільтром, що складається з напівпровідникової, наприклад n-кремнієвої підкладки, на якій розташований УФ фотодіод з гребінчастим анодом, та опорний фотодіод з гребінчастим анодом та світлофільтром перед ним, який відрізняється тим, що анод (2) з р+ областю (3) під ним розташований в проміжках анода (4) з р+ областю (5) опорного діода, обидва діоди мають спільний катод (7) з n+ областю (6)...

Номер патенту: 78835

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Шкіренко Едуард Анатолійович, Ковригін Володимир Іванович, Перевертайло Олександр Володимирович

МПК: G02F 1/015, H01L 31/0232, G02F 1/17 ...

Мітки: випромінювання, детектор, інтегрованим, світлофільтром

Формула / Реферат:

1. Детектор УФ випромінювання з інтегрованим світлофільтром, що містить напівпровідникову, наприклад n-кремнієву, підкладку, на якій розташований УФ фотодіод з гребінчастим анодом, опорний фотодіод з гребінчастим анодом та світлофільтром перед ним, який відрізняється тим, що анод (2) з р+ областю (3) під ним розташований в проміжках анода (4) з р+ областю (5) опорного діода, обидва діоди мають спільний катод (7) з n+ областю (6) під ним, а...

Номер патенту: 97962

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/24, G01T 1/00, G01T 1/02 ...

Мітки: дозиметр, нейтронних, гамма, полях, інтегральній, змішаних, виміру, доз, отриманих

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого МОН транзистора з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покриту шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий транзистор та згаданий діод виконані на одній напівпровідниковій, наприклад, кремнієвій...

Номер патенту: 97387

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/24, H01L 31/0352

Мітки: отримання, доз, нейтронних, гамма, змішаних, полях, інтегральній, дозиметр

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого польового транзистора типу метал-окисел-напівпровідник (МОН) з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що МОН транзистор виконаний із вбудованим каналом (МОНВК...

Номер патенту: 95107

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/24, H01L 31/117

Мітки: нейтроночутливий, керованою, чутливістю, p-і-n, діод

Формула / Реферат:

1. Нейтроночутливий P-I-N діод з керованою чутливістю, виконаний на напівпровідниковій пластині, наприклад пластинці з n-кремнію високого опору, та має протяжну базу, вкриту шаром ізолятора (8), наприклад, SiO2 для зменшення впливу поверхневих ефектів, р+ область (3) та n+ область (7) з відповідними контактними площадками, який відрізняється тим, що на обох поверхнях бази P-I-N діода сформований шар ізолятора, поверх якого розташовані...

Номер патенту: 94111

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: G01T 1/24, G01T 1/00, H01L 31/02 ...

Мітки: накопичувач, іонізуючих, випромінювань, мон, дози

Формула / Реферат:

1. МОН накопичувач дози іонізуючих випромінювань, що складається з кремнієвої основи, на якій сформовані два МОН транзистори з товстим шаром підзатворного діелектрика та затворами, який відрізняється тим, що МОН транзистори, наприклад р-канальні, виконані за єдиною технологією та мають спільний шар підзатворного діелектрика (6), а на поверхні цього шару діелектрика сформовані поляризаційні електроди. 2. МОН накопичувач за п. 1, який...

Номер патенту: 94091

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Ковригін Володимир Іванович, Бурдін Володимир Вікторович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G21K 1/02, G01T 1/00

Мітки: пучка, рентгенівського, випромінювання, полікапілярний, формувач

Формула / Реферат:

1. Полікапілярний формувач пучка рентгенівського випромінювання, що містить полікапілярну структуру, виконану із стрічки, яка складена у пакет з декількох шарів, який відрізняється тим, що полікапілярна структура має сформовані на одній стороні стрічки за допомогою фотолітографії та травлення канавки (2), глибина та ширина яких визначена поперечними розмірами капіляра, а самі канавки розташовані впоперек стрічки на всю її ширину, причому...

Номер патенту: 47274

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/02, H01L 31/00, G01T 1/24 ...

Мітки: нейтронних, змішаних, полях, дозиметр, доз, отримання, гамма, інтегральній

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого польового транзистора типу метал-окисел-напівпровідник (МОН) з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий МОН транзистор виконаний із вбудованим каналом...

Номер патенту: 47156

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: G01T 1/00, H01L 31/00, G01T 1/24 ...

Мітки: накопичувач, метал-окисел-напівпровідниковий, дози, випромінювань, іонізуючих

Формула / Реферат:

1. Метал-окисел-напівпровідниковий (МОН) накопичувач дози іонізуючих випромінювань, що складається з кремнієвої основи, на якій сформовано два МОН транзистори з товстим шаром підзатворного діелектрика та металічними затворами, який відрізняється тим, що згадані транзистори, наприклад р-канальні, виконані за єдиною технологією та мають спільний шар згаданого діелектрика (6) і на поверхні цього діелектрика сформовані поляризаційні електроди...

Номер патенту: 46015

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: G01T 1/00, G01T 1/02, G01T 1/24 ...

Мітки: полях, інтегральній, дозиметр, нейтронних, доз, отриманих, виміру, гамма, змішаних

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого МОН транзистора з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий транзистор та згаданий діод виконані на одній напівпровідниковій, наприклад, кремнієвій...

Номер патенту: 42422

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/00, H01L 31/00

Мітки: керованою, нейтроночутливий, діод, чутливістю, p-і-n

Формула / Реферат:

1. Нейтроночутливий P-I-N діод з керованою чутливістю, що виконаний на напівпровідниковій пластині, наприклад пластинці з n- кремнію високого опору, та має протяжну базу, вкриту шаром ізолятора (8), наприклад SiO2, для зменшення впливу поверхневих ефектів, р+ область (3) та n+ область (7) з відповідними контактними площадками, який відрізняється тим, що на обох поверхнях згаданої бази поверх ізолятора розташовані керуючі чутливістю металеві...

Номер патенту: 42403

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович, Бурдін Володимир Вікторович

МПК: G01T 1/00, G21K 1/00

Мітки: формувач, пучка, полікапілярний, випромінювання, рентгенівського

Формула / Реферат:

1. Полікапілярний формувач пучка рентгенівського випромінювання згідно з фіг. 1, який виконаний із скляної стрічки (1), на одній стороні якої за допомогою фотолітографії та травлення сформовано канавки (2) з глибиною і шириною, що визначають поперечні розміри капіляра, а самі канавки розташовані впоперек стрічки на всю її ширину, причому відстань між канавками дорівнює товщині стрічки в області дна канавки і згадана стрічка, що складена,...