ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

Номер патенту: 102180

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Перевертайло Олександр Володимирович, Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Шкіренко Едуард Анатолійович

МПК: G02F 1/015, H01L 31/0232, G02F 1/17 ...

Мітки: детектор, випромінювання, інтегрованим, світлофільтром

Формула / Реферат:

1. Детектор УФ випромінювання з інтегрованим світлофільтром, що складається з напівпровідникової, наприклад n-кремнієвої підкладки, на якій розташований УФ фотодіод з гребінчастим анодом, та опорний фотодіод з гребінчастим анодом та світлофільтром перед ним, який відрізняється тим, що анод (2) з р+ областю (3) під ним розташований в проміжках анода (4) з р+ областю (5) опорного діода, обидва діоди мають спільний катод (7) з n+ областю (6)...

Номер патенту: 78835

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Ковригін Володимир Іванович, Шкіренко Едуард Анатолійович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Перевертайло Олександр Володимирович

МПК: G02F 1/015, G02F 1/17, H01L 31/0232 ...

Мітки: детектор, інтегрованим, світлофільтром, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Детектор УФ випромінювання з інтегрованим світлофільтром, що містить напівпровідникову, наприклад n-кремнієву, підкладку, на якій розташований УФ фотодіод з гребінчастим анодом, опорний фотодіод з гребінчастим анодом та світлофільтром перед ним, який відрізняється тим, що анод (2) з р+ областю (3) під ним розташований в проміжках анода (4) з р+ областю (5) опорного діода, обидва діоди мають спільний катод (7) з n+ областю (6) під ним, а...

Номер патенту: 97962

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: G01T 1/00, G01T 1/24, G01T 1/02 ...

Мітки: полях, отриманих, гамма, виміру, нейтронних, доз, інтегральній, дозиметр, змішаних

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого МОН транзистора з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покриту шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий транзистор та згаданий діод виконані на одній напівпровідниковій, наприклад, кремнієвій...

Номер патенту: 97387

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/24, H01L 31/0352

Мітки: доз, нейтронних, дозиметр, отримання, полях, інтегральній, гамма, змішаних

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого польового транзистора типу метал-окисел-напівпровідник (МОН) з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що МОН транзистор виконаний із вбудованим каналом (МОНВК...

Номер патенту: 95107

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: H01L 31/117, G01T 1/24

Мітки: діод, чутливістю, p-і-n, керованою, нейтроночутливий

Формула / Реферат:

1. Нейтроночутливий P-I-N діод з керованою чутливістю, виконаний на напівпровідниковій пластині, наприклад пластинці з n-кремнію високого опору, та має протяжну базу, вкриту шаром ізолятора (8), наприклад, SiO2 для зменшення впливу поверхневих ефектів, р+ область (3) та n+ область (7) з відповідними контактними площадками, який відрізняється тим, що на обох поверхнях бази P-I-N діода сформований шар ізолятора, поверх якого розташовані...

Номер патенту: 94111

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/24, H01L 31/02, G01T 1/00 ...

Мітки: випромінювань, накопичувач, дози, мон, іонізуючих

Формула / Реферат:

1. МОН накопичувач дози іонізуючих випромінювань, що складається з кремнієвої основи, на якій сформовані два МОН транзистори з товстим шаром підзатворного діелектрика та затворами, який відрізняється тим, що МОН транзистори, наприклад р-канальні, виконані за єдиною технологією та мають спільний шар підзатворного діелектрика (6), а на поверхні цього шару діелектрика сформовані поляризаційні електроди. 2. МОН накопичувач за п. 1, який...

Номер патенту: 94091

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Бурдін Володимир Вікторович, Ковригін Володимир Іванович

МПК: G01T 1/00, G21K 1/02

Мітки: пучка, рентгенівського, випромінювання, формувач, полікапілярний

Формула / Реферат:

1. Полікапілярний формувач пучка рентгенівського випромінювання, що містить полікапілярну структуру, виконану із стрічки, яка складена у пакет з декількох шарів, який відрізняється тим, що полікапілярна структура має сформовані на одній стороні стрічки за допомогою фотолітографії та травлення канавки (2), глибина та ширина яких визначена поперечними розмірами капіляра, а самі канавки розташовані впоперек стрічки на всю її ширину, причому...

Номер патенту: 91578

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00, H01L 21/04

Мітки: визначення, p-і-n, параметрів, генерації, рекомбінації, виготовлення, структура, процесі, діодів, тестова

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації носіїв заряду в процесі виготовлення р-і-n діодів, що має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад р+-область, розташовану на напівпровідниковій основі n-типу провідності, область керованого збіднення (3), що прилягає до р+-області (1), шар ізолятора (5), що покриває р+-область та частину напівпровідникової основи, нанесений...

Номер патенту: 91577

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/00, G01T 1/20

Мітки: детектор, рентгенівського, гамма, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Детектор гамма-, рентгенівського випромінювання, який виконаний у вигляді сцинтилятора з порошковим наповнювачем та щонайменше одним реєструючим фотодіодом Шотткі, який відрізняється тим, що як сцинтилятор (1) використаний матеріал NaJ(Tl), частки якого (2) завішені в прозорому компаунді або низькоплавкому склі, які мають коефіцієнт оптичного заломлення, близький до коефіцієнта оптичного заломлення матеріалу NaJ(Tl), реєструючий фотодіод...

Номер патенту: 91576

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00, G01T 1/00

Мітки: рентгеночутливий, гамма, шотткі, діод

Формула / Реферат:

1. Гамма-, рентгеночутливий діод Шотткі, що має основу та шар матеріалу (2), на якому розташований контактний електрод, який відрізняється тим, що основа діода Шотткі виконана з селеніду цинку, легованого телуром, а шар матеріалу (2) виконаний здатним до ефективного поглинання квантів випромінювання з довжиною хвилі lс, і його ширина забороненої зони менше або дорівнює енергії вторинних фотонів, породжених матеріалом основи, при цьому...

Номер патенту: 90932

Опубліковано: 10.06.2010

Автори: Рижиков Володимр Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01J 1/10, G01J 1/00

Мітки: ультрафіолетового, випромінювання, сенсор, реєстрації, точкових, зменшеного, розміру, виявлення, джерел

Формула / Реферат:

1. Сенсор зменшеного розміру для виявлення та реєстрації ультрафіолетового випромінювання точкових джерел, який має фотодіод (1) з додатковим світлофільтром (2), лінзу (3), який відрізняється тим, що згаданий діод є, наприклад, діодом Шотткі на основі, наприклад, селеніду цинку, розміщеним в центрі радіуса кривизни передньої поверхні згаданої лінзи, що має форму півсфери та побудована з матеріалу, що має велику дисперсію та коефіцієнт...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Шабашкевич Борис Григорович, Воронкін Євген Федорович, Добровольський Юрій Георгійович, Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Галкін Сергій Миколайович

МПК: H01L 31/0216, H01L 31/06, H01L 31/0264 ...

Мітки: спектра, чутливий, шотткі, бар'єром, ультрафіолетовому, фотодіод, діапазоні

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Номер патенту: 47274

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: G01T 1/02, G01T 1/24, H01L 31/00 ...

Мітки: нейтронних, полях, змішаних, інтегральній, доз, дозиметр, гамма, отримання

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого польового транзистора типу метал-окисел-напівпровідник (МОН) з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий МОН транзистор виконаний із вбудованим каналом...

Номер патенту: 47156

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/00, G01T 1/24, H01L 31/00 ...

Мітки: дози, накопичувач, метал-окисел-напівпровідниковий, іонізуючих, випромінювань

Формула / Реферат:

1. Метал-окисел-напівпровідниковий (МОН) накопичувач дози іонізуючих випромінювань, що складається з кремнієвої основи, на якій сформовано два МОН транзистори з товстим шаром підзатворного діелектрика та металічними затворами, який відрізняється тим, що згадані транзистори, наприклад р-канальні, виконані за єдиною технологією та мають спільний шар згаданого діелектрика (6) і на поверхні цього діелектрика сформовані поляризаційні електроди...

Номер патенту: 46015

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/24, G01T 1/02, G01T 1/00 ...

Мітки: полях, отриманих, змішаних, доз, гамма, виміру, дозиметр, нейтронних, інтегральній

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого МОН транзистора з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий транзистор та згаданий діод виконані на одній напівпровідниковій, наприклад, кремнієвій...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Воронкін Євген Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Добровольський Юрій Георгійович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/0216, H01L 31/06 ...

Мітки: фотодіод, бар'єром, чутливий, ультрафіолетовому, спектра, шотткі, діапазоні

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Номер патенту: 42422

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 31/00, G01T 1/00

Мітки: p-і-n, нейтроночутливий, чутливістю, керованою, діод

Формула / Реферат:

1. Нейтроночутливий P-I-N діод з керованою чутливістю, що виконаний на напівпровідниковій пластині, наприклад пластинці з n- кремнію високого опору, та має протяжну базу, вкриту шаром ізолятора (8), наприклад SiO2, для зменшення впливу поверхневих ефектів, р+ область (3) та n+ область (7) з відповідними контактними площадками, який відрізняється тим, що на обох поверхнях згаданої бази поверх ізолятора розташовані керуючі чутливістю металеві...

Номер патенту: 42403

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Ковригін Володимир Іванович, Бурдін Володимир Вікторович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G21K 1/00, G01T 1/00

Мітки: полікапілярний, формувач, випромінювання, рентгенівського, пучка

Формула / Реферат:

1. Полікапілярний формувач пучка рентгенівського випромінювання згідно з фіг. 1, який виконаний із скляної стрічки (1), на одній стороні якої за допомогою фотолітографії та травлення сформовано канавки (2) з глибиною і шириною, що визначають поперечні розміри капіляра, а самі канавки розташовані впоперек стрічки на всю її ширину, причому відстань між канавками дорівнює товщині стрічки в області дна канавки і згадана стрічка, що складена,...

Номер патенту: 38842

Опубліковано: 26.01.2009

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00

Мітки: тестова, процесі, структура, генерації, виготовлення, параметрів, визначення, p-і-n, діодів, рекомбінації

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації в процесі виготовлення p-i-n діодів для реєстрації зворотного струму через р-n перехід керованого полем діода, яка має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад, р+ область, розташовану на основі n-типу, область керованого збіднення (3), що примикає до області (1), шар ізолятора (5), що покриває основу зі сторони згаданої р+...

Номер патенту: 38841

Опубліковано: 26.01.2009

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/00

Мітки: детектор, рентгенівського, випромінювання, гамма

Формула / Реферат:

1. Детектор гамма-, рентгенівського випромінювання, який виконаний у вигляді сцинтилятора з порошковим наповнювачем та реєструючим фотодіодом Шотткі, який відрізняється тим, що як сцинтилятор (1) використовують матеріал NaJ(Tl), частки якого (2) зависли в прозорому компаунді або низькоплавкому склі, що мають коефіцієнт оптичного заломлення, близький до такого коефіцієнта NaJ(Tl), а як діод використовують щонайменше один діод Шотткі (4),...

Номер патенту: 38840

Опубліковано: 26.01.2009

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/00, H01L 29/872

Мітки: гамма, рентгеночутливий, діод

Формула / Реферат:

1. Гамма-, рентгеночутливий діод, який виконаний у вигляді діода, що має основу з покриттям, на якому розташований контактний електрод, який відрізняється тим, що як діод використовують щонайменше один діод Шотткі, основа якого (1) виконана з селеніду цинку, легованого телуром, а шар (2) - з матеріалу з шириною забороненої зони, меншою або рівною енергії вторинних фотонів з lс, породжених матеріалом основи, або енергетичними рівнями в...

Номер патенту: 38837

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01J 1/00

Мітки: випромінювання, розміру, джерел, сенсор, виявлення, реєстрації, точкових, ультрафіолетового, зменшеного

Формула / Реферат:

1. Пристрій зменшеного розміру для виявлення та реєстрації ультрафіолетового випромінювання точкових джерел, який має фотодіод (1) з додатковим світлофільтром (2), лінзу (3), який відрізняється тим, що згаданий діод є, наприклад, діодом Шотткі на основі, наприклад, селеніду цинку, розміщеним в центрі радіуса кривизни передньої поверхні згаданої лінзи, що має форму півсфери та побудована з матеріалу, що має велику дисперсію та коефіцієнт...

Номер патенту: 78531

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, ГАВРИЛЕНКО ВАСИЛЬ ІВАНОВИЧ

МПК: G01T 1/00, G01T 1/20

Мітки: реалізації, пристрій, вимірювання, випромінювання, спосіб, іонізуючого

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання рентгенівського, альфа-, бета- та гамма- випромінювання, при якому зчитують заряд з трьох кремнієвих р-і-n фотодіодів відповідними трьома зарядочутливими підсилювачами в залежності від типу іонізуючого випромінювання, реєструють рентгенівське випромінювання після вхідного вікна з тонкої берилієвої фольги першим кремнієвим р-i-n фотодіодом, реєструють бета-випромінювання другим кремнієвим р-i-n фотодіодом, реєструють...