Патенти з міткою «tlinse2»
Спосіб отримання фоторезисторів на основі кристалів tlinse2
Номер патенту: 116902
Опубліковано: 12.06.2017
Автори: Коровицький Андрій Михайлович, Махновець Ганна Володимирівна, Мирончук Галина Леонідівна, Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович
МПК: C30B 11/00
Мітки: основі, кристалів, отримання, спосіб, tlinse2, фоторезисторів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.