Замуруєва Оксана Валеріївна

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Коровицький Андрій Михайлович, Мирончук Галина Леонідівна, Махновець Ганна Володимирівна, Кітик Іван Васильович, Замуруєва Оксана Валеріївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, tlinse2, спосіб, фоторезисторів, кристалів, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Номер патенту: 109140

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович, Пясецький Міхал, Мирончук Галина Леонідівна

МПК: C30B 31/00, C22C 45/00, H01L 31/00 ...

Мітки: tiinse2, спосіб, індинату, халькогеніду, фотопровідності, підвищення, талію, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (TlInSe2), що включає завантаження його у ростовий контейнер, відкачку останнього, вміщення його у піч, виведення її на температурний режим та введення легуючих елементів, який відрізняється тим, що у ростовий контейнер з халькогенідом індинату талію одночасно завантажують лігатуру, до складу якої вводять елементи IV групи кремній (Si) та германій (Ge).2....