Чепугов Олексій Павлович

Спосіб виготовлення зондів скануючої тунельної мікроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 89625

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Чепугов Олексій Павлович, Цисар Максим Олександрович, Шатохін Володимир Володимирович, Пащенко Євген Олександрович

МПК: G01Q 60/00

Мітки: мікроскопі, спосіб, скануючої, тунельної, зондів, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення зондів для скануючої тунельної мікроскопії, що включає виготовлення вістря зонда з використанням монокристалу алмазу, який вирощують на затравці, та його закріплення у металевому корпусі, який відрізняється тим, що для виготовлення вістря зонда використовують кристал алмазу, який має електричний опір 103÷107 Ом·м, з концентрацією домішки бору не менше ніж 1018 см-3.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється...

Спосіб виготовлення зондів скануючої тунельної мікроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 83170

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Цисар Максим Олександрович, Івахненко Сергій Олексійович, Чепугов Олексій Павлович

МПК: G01Q 60/00

Мітки: спосіб, зондів, мікроскопі, тунельної, виготовлення, скануючої

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення зондів для скануючої тунельної мікроскопії, що включає виготовлення вістря зонда з використанням монокристалу алмазу, який вирощують на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом температурного градієнта між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, який відрізняється тим, що для виготовлення вістря зонда використовують кристал алмазу, який має напівпровідникові властивості та...

Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 70965

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Чепугов Олексій Павлович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: C01B 31/06

Мітки: монокристалів, спосіб, затравці, алмазу, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом створення градієнта температури між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, що розміщені пошарово та розділені сплавом-розчинником вуглецю, при цьому градієнт температури встановлюється таким чином, щоб джерело вуглецю знаходилося в області, яку нагріто до максимальної для даного градієнта температури, а...