Білоусов Ігор Святославович

Номер патенту: 70965

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Чепугов Олексій Павлович, Білоусов Ігор Святославович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, алмазу, вирощування, монокристалів, затравці

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом створення градієнта температури між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, що розміщені пошарово та розділені сплавом-розчинником вуглецю, при цьому градієнт температури встановлюється таким чином, щоб джерело вуглецю знаходилося в області, яку нагріто до максимальної для даного градієнта температури, а...

Номер патенту: 77918

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Марков Андрій Іванович, Івахненко Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: B01J 3/06, H05B 3/12

Мітки: високого, виготовлення, комірки, нагрівача, тиску, шихта

Формула / Реферат:

Шихта для виготовлення нагрівача комірки високого тиску, що містить порошки графіту - 5-25 мас. %, і принаймні одного оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп - 75-95 мас. %, яка відрізняється тим, що порошки графіту і оксиду(ів) з ряду перехідних металів IV-V груп мають розміри частинок 10-40 мкм, при цьому середній розмір частинок графіту в 2-4 рази менше, ніж середній розмір порошку(ів) оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп.

Номер патенту: 15221

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Марков Андрій Іванович, Білоусов Ігор Святославович, Лисаковський Валентин Володимирович

МПК: H05B 3/12, B01J 3/06

Мітки: шихта, нагрівача, тиску, високого, виготовлення, комірки

Формула / Реферат:

Шихта для виготовлення нагрівача комірки високого тиску, що містить порошки 5-25 ваг. % графіту і 75-95 ваг. % принаймні одного оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп, яка відрізняється тим, що порошки графіту і оксиду(ів) з ряду перехідних металів IV-V груп мають розміри частинок 10-40 мкм, при цьому середній розмір частинок графіту в 2-4 разів менший, ніж середній розмір порошку(ів) оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп.

Номер патенту: 8143

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Шевчук Сергій Миколайович, Марков Андрій Іванович, Заневський Олег Олексійович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: C01B 31/06

Мітки: синтезу, спосіб, монокристалів, алмазу, затравці

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці, який передбачає створення початкового перепаду температури між алмазною затравкою і джерелом вуглецю, які розділені розташованою між ними масою металічного каталізатора-розчинника, який полягає у прикладанні високого тиску і температури Т0 до розміщених пошарово в реакційній зоні джерела вуглецю, металічного каталізатора-розчинника і кристала затравки, причому алмазну затравку нагрівають до...

Номер патенту: 58198

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Виноградов Сергій Олександрович, Серга Максим Андрійович, Білоусов Ігор Святославович, Івахненко Сергій Олексійович, Заневський Олег Олексійович, Шевчук Сергій Миколайович

МПК: B01J 3/06

Мітки: високого, виготовлення, тиску, шихта, контейнера, апарата

Формула / Реферат:

Шихта для виготовлення контейнера апарата високого тиску, яка містить теплоелектроізоляційний пружно-пластичний матеріал - тальк, тугоплавкий матеріал на основі окису цирконію та зв'язуюче, яка відрізняється тим, що як зв'язуюче вона містить рідке скло при наступному співвідношенні компонентів, мас %: тальк 8-25 тугоплавкий матеріал на основі окису цирконію 70-90 ...

Номер патенту: 47797

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Івахненко Сергій Олексійович, Будяк Олександр Ананійович

МПК: C01B 31/06, B01J 3/06

Мітки: апарат, температури, високого, тиску

Формула / Реферат:

Апарат високого тиску і температури, що містить реакційний об'єм для пошарового розміщення в ньому металевого каталізатора-розчинника, джерела вуглецю і принаймні одного кристала-затравки, охоплений з усіх боків оболонкою з електро- та теплоізолюючого матеріалу, яка в свою чергу по бічній поверхні охоплена трубчастим нагрівачем, а на торцях розміщені пластинчаті нагрівачі, виконані з суміші графіту і цирконієвмісного матеріалу, а на торцях...

Номер патенту: 32284

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Новіков Микола Васильович, Будяк Олександр Ананійович

МПК: B01J 3/06

Мітки: апарат, тиску, високого, температури

Текст:

...об'єм дая пошарового розміщення в ньому металевого каталізатора-розчинника І .джерела вуглецю 2 і принаймі одного кристала-затравки 3,охоплений з усіх боків оболонкою 4 з електрота теплоІзолюючого матеріалу,яка в свою чергу по бічній поверхні охоплена трубчатим нагрівачем 5,а на торцях розміщені пластинчаті нагріва чі 6,7,пр ичому джер ело вугле цю 2 та метале вий каталізатор-розчинник І розміщені вздовж осі симетрії реакційного об'єму...

Номер патенту: 31987

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Новіков Микола Васильович, Івахненко Сергій Олексійович, Будяк Олександр Ананійович

МПК: B01J 13/06

Мітки: апарат, тиску, високого, температури

Текст:

...ів по в ин на бу ти те ж с т аб іл ьн ою ,щ о з а бе зп еч ую ть ся технологією виготовлення нагрівачів :матеріал нагрівачів спочатку розмільчується,перемішується,а потім пресується.Так як пластинчаті нагрівачі.як правило,виготовляються з графіту,а графіт майже усіх марок пресується погано,то в якості матеріалу дая пластинчатих нагрівачів можна використати суміш порошків графіта любої марки і цирконію,що пресується добре. На кресленнях,фіг.І...

Номер патенту: 6823

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Івахненко Сергій Олексійович, Будяк Олександр Ананійович, Чіпенко Георгій Володимирович

МПК: C01B 31/06

Мітки: синтезу, монокристалів, алмазу, затравці, спосіб

Формула / Реферат:

1.Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке путем создания заданного перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, разделенных массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную затравку нагревают до температуры,...

Номер патенту: 1372

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Чіпенко Георгій Володимирович, Заневський Олег Олексійович, Вітюк Віктор Іванович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, монокристалів, синтезу, алмазу

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза путем воздействия высокого давления и темпера­туры на источник углерода на основе алмазных зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и термостой­кости монокристаллов алмаза, в качестве источ­ника углерода используют алмазные зерна разме­ром не менее 100 мкм, предварительно пропитан­ные металлом или сплавом, растворяющимся в...

Номер патенту: 1374

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Чіпенко Георгій Володимирович, Будяк Олександр Ананійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: синтезу, монокристалів, алмазу, затравці, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализато­ра-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источ­ника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращива­емого...

Номер патенту: 1373

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Виноградов Сергій Олександрович, Чіпенко Георгій Володимирович, Білоусов Ігор Святославович, Івахненко Сергій Олексійович, Шульженко Олександр Олександрович

МПК: C04B 35/48, B01J 3/04

Мітки: камери, деталей, виготовлення, високого, тиску, шихта, контейнеру

Формула / Реферат:

Шихта для изготовления деталей контейнера камеры высокого давлення, включающая галогенид щелочного металла и оксид, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности давления, в реакционной ячейке контейнера и снижения потреб­ляемой мощности нагрева, она в качестве оксида со­держит стабилизированный диоксид циркония, при следующем соотношении компонентов, об. %:галогенид щелочного металла                          30—95...