Патенти з міткою «затравці»

Номер патенту: 119729

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Гуцу Ольга Сергіївна, Івахненко Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Бурченя Андрій Віталійович, Гордєєв Сергій Олексійович, Каленчук Віталій Анатолійович

МПК: B01J 3/06, C01B 32/25

Мітки: стабільності, затравці, монокристалів, вирощування, термодинамічно, області, спосіб, алмазу

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності, що включає використання металічного розчинника та джерела вуглецю, розміщення їх в ростовій комірці з системою електрорезистивного нагріву, оснащеній пристроєм для вимірювання електричного опору, який відрізняється тим, що фіксування перетворення кристалічний стан ® рідина при плавленні сплаву розчинника визначають мінімумом електричного опору...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Каленчук Віталій Анатолійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Бурченя Андрій Віталійович, Івахненко Сергій Олексійович, Гордєєв Сергій Олексійович, Гуцу Ольга Сергіївна

МПК: C30B 7/00

Мітки: високого, термодинамічно, вирощування, алмазу, затравці, тиску, пристрій, стабільності, області, монокристалів, температури

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Номер патенту: 70965

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Чепугов Олексій Павлович, Білоусов Ігор Святославович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: вирощування, затравці, монокристалів, алмазу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом створення градієнта температури між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, що розміщені пошарово та розділені сплавом-розчинником вуглецю, при цьому градієнт температури встановлюється таким чином, щоб джерело вуглецю знаходилося в області, яку нагріто до максимальної для даного градієнта температури, а...

Номер патенту: 8143

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Шевчук Сергій Миколайович, Марков Андрій Іванович, Заневський Олег Олексійович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: монокристалів, затравці, синтезу, спосіб, алмазу

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці, який передбачає створення початкового перепаду температури між алмазною затравкою і джерелом вуглецю, які розділені розташованою між ними масою металічного каталізатора-розчинника, який полягає у прикладанні високого тиску і температури Т0 до розміщених пошарово в реакційній зоні джерела вуглецю, металічного каталізатора-розчинника і кристала затравки, причому алмазну затравку нагрівають до...

Номер патенту: 6823

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Чіпенко Георгій Володимирович, Білоусов Ігор Святославович, Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, монокристалів, алмазу, затравці, синтезу

Формула / Реферат:

1.Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке путем создания заданного перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, разделенных массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную затравку нагревают до температуры,...

Номер патенту: 1374

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Чіпенко Георгій Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Будяк Олександр Ананійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: монокристалів, затравці, спосіб, синтезу, алмазу

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализато­ра-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источ­ника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращива­емого...

Номер патенту: 2

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Будяк Олександр Ананійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Новіков Микола Васильович

МПК: C01B 31/06, C30B 1/00, B01J 3/00 ...

Мітки: спосіб, монокристалів, алмазу, затравці, синтезу

Формула / Реферат:

Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий создание начального перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, которые разделены расположенной между ними массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную...