F27B 15/10 — обладнання повітро-або газоподводящей пристроїв
Пристрій і спосіб для поверхневої обробки газом у шахті відновного реактора
Номер патенту: 113428
Опубліковано: 25.01.2017
Автори: Вурм Йоханн, Айхінгер Георг, Відер Курт, Пум Райнхард, Бехам Карл-Хайнц, Штеррер Вольфганг
МПК: F27B 15/10, C21B 13/02, F27B 15/00 ...
Мітки: пристрій, шахті, спосіб, відновного, поверхневої, газом, обробки, реактора
Формула / Реферат:
1. Пристрій для створення губчастого металу або чавуну з металооксидовмісного кускового матеріалу із застосуванням відновного газу, який містить:- шахту (1) відновного реактора,- множину впускних трубопроводів відновного газу, що закінчуються у внутрішньому просторі шахти (1) відновного реактора, для введення відновного газу у внутрішній простір шахти (1) відновного реактора, який відрізняється тим, що- є перетинаюче...
Газорозподільна решітка топки
Номер патенту: 99646
Опубліковано: 10.09.2012
Автори: Ігнатьєв Олександр Дмитрович, Коваленко Микола Дмитрович, Прядко Наталія Сергіївна, Стрельников Геннадій Опанасович
МПК: F23C 7/00, F23C 10/20, F23H 1/00 ...
Мітки: решітка, топки, газорозподільна
Формула / Реферат:
1. Газорозподільна решітка топки, що містить умонтовані по всій площі подовжні ряди каналів для подачі газоподібного окислювача, які розділені подовжніми клиноподібними центральними тілами, яка відрізняється тим, що на вершині центрального тіла є додаткові наскрізні канали.2. Решітка за п. 1, яка відрізняється тим, що додаткові канали виконано прямокутними.3. Решітка за п. 1, яка відрізняється тим, що додаткові канали виконано...
Реактор для термічної металургійної обробки шихти
Номер патенту: 97352
Опубліковано: 10.02.2012
Автори: Шин Міоунг-Кіун, Чо Міньянг, Намкунг Вон, Цеетбауер Карл, Лі Джун Хюк, Кім Хан-Ґу, Чен Сун-Квон, Хаузенбергер Франц, Чой Наг Джун
МПК: B01J 8/24, B01J 8/44, C21B 13/02 ...
Мітки: обробки, термічної, реактор, металургійної, шихти
Формула / Реферат:
1. Реактор для термічної металургійної обробки шихти, що містить розподільну основу (1) для рівномірного введення технологічного газу, обтяженого твердими частинками з утворенням псевдозрідженого шару (2) у технологічній камері (3), розташованій над розподільною основою та утвореній стінками (4) реактора, причому розподільна основа (1) має множину отворів, який відрізняється тим, що розподільна основа має так звані прилеглі до стінки отвори...