G11B 5/66 — багатошарові носії запису
Тунельний магніторезистивний елемент з від’ємним магнітоопором
Номер патенту: 100315
Опубліковано: 10.12.2012
Автори: Потіпака Єгор Олексійович, Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна, Караваєва Валентина Михайлівна, Власенко Наталія Олександрівна, Хріновський Володимир Захарович
МПК: G11B 5/31, G11B 5/39, G01R 33/09 ...
Мітки: магніторезистивний, елемент, тунельній, магнітоопором, від'ємним
Формула / Реферат:
Тунельний магніторезистивний елемент з від'ємним магнітоопором, що складається з двох феромагнітних шарів і діелектричного тунельного бар'єра, який відрізняється тим, що для виготовлення шарів феромагнетика використано напівметал Fe3O4, для діелектричного тунельного бар'єра використано Y2O3, а джерело магнітного поля для орієнтації спінів електронів в шарах Fe3O4 має товщину