Хріновський Володимир Захарович
Спосіб електрохімічної обробки нанорозмірних об’єктів із бактерицидних металів у біологічних середовищах
Номер патенту: 114427
Опубліковано: 12.06.2017
Автори: Мусійчук Олександр Васильович, Власенко Наталія Олександрівна, Караваєва Валентина Михайлівна, Лашкарев Георгій Володимирович, Касумов Анатолий Мухтарович, Шаповал Ксенія Олегівна, Хріновський Володимир Захарович
МПК: A61L 2/03, A61L 2/238, A61L 101/02 ...
Мітки: обробки, об'єктів, спосіб, бактерицидних, біологічних, електрохімічної, металів, нанорозмірних, середовищах
Формула / Реферат:
1. Спосіб електрохімічної обробки нанорозмірних об'єктів із бактерицидних металів у біологічних середовищах, який полягає в тому, що до даних об’єктів прикладають додатний потенціал у діапазоні 0,5-8,0 В і в біологічних середовищах створюють струм у межах 0,1-1,0 мА.2. Спосіб за п. 1, який полягає в тому, що використовують бактерицидні метали Ag, Сu та Zn.3. Спосіб за п. 1, який полягає в тому, що розмір об'єктів із...
Спосіб захисту від корозії нанорозмірних металевих об’єктів
Номер патенту: 105070
Опубліковано: 10.04.2014
Автори: Касумов Анатолий Мухтарович, Микитченко Олександр Олександрович, Пазюк Віктор Леонідович, Караваєва Валентина Михайлівна, Потіпака Єгор Олексійович, Власенко Наталія Олександрівна, Хріновський Володимир Захарович, Андреєва Ася Фантинівна
МПК: C23F 15/00
Мітки: захисту, корозії, нанорозмірних, об'єктів, спосіб, металевих
Формула / Реферат:
Спосіб захисту від корозії нанорозмірних об'єктів, що включає вплив на агресивне середовище, в якому містяться дані об'єкти, електромагнітного поля, який відрізняється тим, що дане поле є перемінним та має частоту у діапазоні 200-20000 Гц, та напруженість електричної складової у межах 0,03-0,3 В/см.
Тунельний магніторезистивний елемент з від’ємним магнітоопором
Номер патенту: 100315
Опубліковано: 10.12.2012
Автори: Власенко Наталія Олександрівна, Караваєва Валентина Михайлівна, Андреєва Ася Фантинівна, Хріновський Володимир Захарович, Потіпака Єгор Олексійович, Касумов Анатолий Мухтарович
МПК: G11B 5/31, G01R 33/09, G11B 5/39 ...
Мітки: магніторезистивний, магнітоопором, тунельній, від'ємним, елемент
Формула / Реферат:
Тунельний магніторезистивний елемент з від'ємним магнітоопором, що складається з двох феромагнітних шарів і діелектричного тунельного бар'єра, який відрізняється тим, що для виготовлення шарів феромагнетика використано напівметал Fe3O4, для діелектричного тунельного бар'єра використано Y2O3, а джерело магнітного поля для орієнтації спінів електронів в шарах Fe3O4 має товщину