Андреєва Ася Фантинівна

Номер патенту: 105070

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Потіпака Єгор Олексійович, Власенко Наталія Олександрівна, Микитченко Олександр Олександрович, Андреєва Ася Фантинівна, Хріновський Володимир Захарович, Караваєва Валентина Михайлівна, Касумов Анатолий Мухтарович, Пазюк Віктор Леонідович

МПК: C23F 15/00

Мітки: об'єктів, металевих, корозії, захисту, спосіб, нанорозмірних

Формула / Реферат:

Спосіб захисту від корозії нанорозмірних об'єктів, що включає вплив на агресивне середовище, в якому містяться дані об'єкти, електромагнітного поля, який відрізняється тим, що дане поле є перемінним та має частоту у діапазоні 200-20000 Гц, та напруженість електричної складової у межах 0,03-0,3 В/см.

Номер патенту: 100315

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Потіпака Єгор Олексійович, Хріновський Володимир Захарович, Власенко Наталія Олександрівна, Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна, Караваєва Валентина Михайлівна

МПК: G11B 5/39, G11B 5/31, G01R 33/09 ...

Мітки: тунельній, магніторезистивний, елемент, магнітоопором, від'ємним

Формула / Реферат:

Тунельний магніторезистивний елемент з від'ємним магнітоопором, що складається з двох феромагнітних шарів і діелектричного тунельного бар'єра, який відрізняється тим, що для виготовлення шарів феромагнетика використано напівметал Fe3O4, для діелектричного тунельного бар'єра використано Y2O3, а джерело магнітного поля для орієнтації спінів електронів в шарах Fe3O4 має товщину

Номер патенту: 85312

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Андреєва Ася Фантинівна, Крисюк Олена Ігорівна, Касумов Анатолий Мухтарович

МПК: H01L 21/00

Мітки: діелектричної, knbo3, сегнетоелектричних, підвищення, проникності, спосіб, складу, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення діелектричної проникності сегнетоелектричних плівок складу KNbO3 шляхом легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом термо- або електродифузії міді у кількості від 1 до 12 мас. %.

Номер патенту: 85311

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна

МПК: H01L 21/20, H01L 21/40

Мітки: ktaxnb1-xo3, плівок, тонких, сегнетоелектричних, одержання, складу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричних тонких плівок складу KTaxNb1-xO3, що включає одержання плівок при підвищеній температурі у вакуумі, який відрізняється тим, що одержують плівки шляхом послідовного нанесення на підкладку шарів двошарової системи Ta та Nb, у визначеному співвідношенні товщин, із наступним утворенням шару оксиду (TaxNb1-x)2O5, після чого наносять термічним випаровуванням шар їдкого калію та здійснюють відпал при температурі...

Номер патенту: 84504

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Двойненко Ольга Костянтинівна, Андреєва Ася Фантинівна, Касумов Анатолий Мухтарович

МПК: G01N 17/00

Мітки: біокорозії, металів, спосіб, дослідження

Формула / Реферат:

1. Спосіб дослідження біокорозії металу, який включає обробку металевої плівки розчином, що містить бактерії або продукти їх метаболізму, який відрізняється тим, що плівку, що має властивості, близькі до властивостей металу, що досліджують, наносять на прозору підкладку методом магнетронного розпилення мішені, що одержана з металу, що досліджують, а швидкість корозійного руйнування визначають за зміною оптичної густини плівки під впливом...

Номер патенту: 11370

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Андреєва Ася Фантинівна, Дехтярук Володимир Іванович, Гільман Ірина Яковлевна

МПК: H01C 7/04

Мітки: високотемпературний, плівковий, терморезистор

Формула / Реферат:

Высокотемпературный пленочный терморе­зистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенными на ней электродами и чувствитель­ным элементом, выполненным из материала, со­держащего оксид празеодима или оксид тербия, отличающийся тем, что, с целью расширения диа­пазона рабочих температур, в материал чувстви­тельного элемента дополнительно введен оксид иттрия при следующем соотношении компонентов, мас.%:оксид празеодима или оксид...

Номер патенту: 11371

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Дехтярук Володимир Іванович, Андреєва Ася Фантинівна, Гільман Ірина Яковлевна

МПК: H01C 7/04

Мітки: терморезистор, високотемпературний

Номер патенту: 11368

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Андреєва Ася Фантинівна, Гільман Ірина Яковлевна, Осипова Галіна Іванівна, Смолін Михайло Дмитрійович

МПК: G03F 1/00, G03C 5/00

Мітки: фотошаблон

Формула / Реферат:

Фотошаблон, содержащий прозрачную под­ложку с расположенным на ее поверхности маски­рующим слоем, в котором сформирован рисунок, отличающийся тем, что, с целью повышения каче­ства фотошаблона за счет повышения разрешаю­щей способности и улучшения спектральных характеристик, маскирующий слой выполнен из высших окислов празеодима (Рr6О11) или тербия (Tb4O7).

Номер патенту: 11369

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Андреєва Ася Фантинівна, Матусевич Едуард Іванович, Порицький Марк Львович

МПК: G03F 7/26, G03C 5/00

Мітки: спосіб, фотошаблон, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Фотошаблон, содержащий прозрачную для актиничного излучения подложку с маскирующим слоем на ее поверхности, содержащим прозрачные участки и непрозрачные, выполненные из оксида празсодима в соответствии с топологическим ри­сунком, отличающийся тем, что, с целью повыше­ния износостойкости фотошаблона и улучшения его оптических характеристик, прозрачные участ­ки маскирующего слоя выполнены из полуторного окисла празеодима.2. Способ...

Номер патенту: 11366

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Рець Віталій Кузьмич, Андреєва Ася Фантинівна, Зарембо Віталій Антонович, Глебова Лариса Іосифна, Масенко Валентин Костантинович, Лисенко Станіслав Самуілович

МПК: H01L 21/312, G03F 1/00

Мітки: оксиду, металу, спосіб, рисунку, шарі, одержання, рідкоземельного

Формула / Реферат:

Способ получения рисунка в слое оксида редкоземельного металла, включающий химиче­скую обработку поверхности слоя оксида, нанесе­ние на нее слоя фоторезиста, формирование фоторезистивной маски и перенос рисунка маски в слой оксида путем химического травления в рас­творе, содержащем серную, ортофосфорную кис­лоты и поверхностно-активное вещество, отличающийся тем, что, с целью улучшения каче­ства получаемого рисунка за счет повышения...