H01L 21/105 — обробка поверхні шару селену або телуру після надання йому електропровідності

Номер патенту: 87094

Опубліковано: 27.01.2014

Автор: Клето Геннадій Іванович

МПК: H01L 21/105

Мітки: конденсатор, сегнетоелектричний

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний конденсатор для пристроїв універсальної електронної пам'яті, що містить нижній і верхній електродні шари з оксидних матеріалів, та розташований між електродними шарами сегнетоелектричний шар цирконат-титанату свинцю, який відрізняється тим, що щонайменше один з електродних шарів виготовлений з кобальт-нікелевого оксиду CoxNi1-.xOδ, де 0,5<Х<0,9, а δ>0.