Клето Геннадій Іванович

Електронний пристрій для вимірювання параметрів сегнетоелектричних конденсаторів

Завантаження...

Номер патенту: 107463

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Юрійчук Іван Миколайович, Мартинюк Яків Васильович, Клето Геннадій Іванович, Савчук Андрій Йосипович, Обедзинський Олександр Юр'євич, Обедзинський Юрій Костянтинович

МПК: H01G 7/06, H03L 3/00

Мітки: пристрій, вимірювання, електронний, сегнетоелектричних, параметрів, конденсаторів

Формула / Реферат:

Електронний пристрій для вимірювання параметрів сегнетоелектричних конденсаторів складається з генератора різнополярних імпульсів, що подаються на ланку з послідовно з'єднаних сегнетоелектричного конденсатора і еталонної ємності та вимірювального блока, підключеного до еталонної ємності, який відрізняється тим, що вихідний каскад генератора різнополярних імпульсів виконаний у вигляді двох ключових елементів, що знаходяться у закритому стані...

Сегнетоелектричний конденсатор

Завантаження...

Номер патенту: 87094

Опубліковано: 27.01.2014

Автор: Клето Геннадій Іванович

МПК: H01L 21/105

Мітки: конденсатор, сегнетоелектричний

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний конденсатор для пристроїв універсальної електронної пам'яті, що містить нижній і верхній електродні шари з оксидних матеріалів, та розташований між електродними шарами сегнетоелектричний шар цирконат-титанату свинцю, який відрізняється тим, що щонайменше один з електродних шарів виготовлений з кобальт-нікелевого оксиду CoxNi1-.xOδ, де 0,5<Х<0,9, а δ>0.

Процес нанесення тонких плівок на основі оксиду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 86623

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Клето Геннадій Іванович, Савчук Андрій Йосипович, Ткачук Вікторія Іллівна

МПК: H01L 21/316

Мітки: нанесення, процес, цинку, основі, оксиду, тонких, плівок

Формула / Реферат:

Процес нанесення тонких плівок на основі оксиду цинку, що включає в себе виготовлення мішені шляхом змішування порошку оксиду цинку з легуючими компонентами, зволоження, формування та відпал мішені з наступним розпиленням її за допомогою іонно-плазмового методу, який відрізняється тим, що при виготовленні мішені до складу суміші вводять хлорид чи фторид щонайменше одного з елементів, вибраних з ряду Li, Al, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, в кількості...

Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів cdte:cl для створення на їх основі детекторів спектрометрів іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 37223

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Клето Геннадій Іванович, Ткачук Вікторія Іллівна, Ткачук Петро Миколайович, Мельничук Тетяна Аркадієвна, Савчук Андрій Йосипович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, детекторів, іонізуючого, спектрометрів, cdte:cl, монокристалів, напівізолюючих, однорідних, одержання, створення, основі, випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів іонізуючого випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтезований телурид кадмію, попередньо очищений від легколетких домішок, разом із добавкою CdCl2ּ(NCl=1018-1020 см-3) завантажують у подвійну неграфітизовану кварцову ампулу, ампулу...

Процес нанесення тонких плівок на основі оксиду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 23796

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Ткачук Вікторія Іллівна, Клето Геннадій Іванович, Савчук Андрій Йосипович

МПК: H01L 21/316

Мітки: тонких, нанесення, цинку, плівок, основі, оксиду, процес

Формула / Реферат:

Процес нанесення тонких плівок на основі оксиду цинку, що включає виготовлення мішені шляхом змішування порошку оксиду цинку з легуючими компонентами, зволоження, формування та відпалювання мішені з наступним розпиленням її за допомогою іонно-плазмового методу, який відрізняється тим, що при виготовленні мішені до складу суміші вводять галогенну сполуку (хлорид, фторид) елемента(ів) з атомним(и) номером(ами) 3, 13, 25, 26, 27, 28, 29, 30 в...

Сегнетоелектричний енергонезалежний запам’ятовуючий пристрій з неруйнівним зчитуванням

Завантаження...

Номер патенту: 18752

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Божко Анатолій Панасович, Скороход Ігор Олександрович, Верба Олександр Андрійович, Самофалов Костянтин Григорович, Клето Геннадій Іванович, Мартинюк Яків Васильович

МПК: G11C 11/22

Мітки: зчитуванням, пристрій, неруйнівним, запам'ятовуючий, сегнетоелектричний, енергонезалежний

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний енергонезалежний запам'ятовуючий пристрій, що містить числові шини, розрядні шини, опірні шини, чутливі підсилювачі і комірки пам'яті, кожна з яких містить транзистор і сегнетоелектричний запам'ятовуючий елемент, який містить перший електрод, другий електрод і сегнетоелектричну плівку між ними, причому числові шини підключені до транзисторів, перші електроди запам'ятовуючих елементів через транзистори зв'язані з розрядними...

Магнетронний пристрій іонного розпилення

Завантаження...

Номер патенту: 10770

Опубліковано: 15.11.2005

Автор: Клето Геннадій Іванович

МПК: H05B 7/00

Мітки: магнетронний, розпилення, іонного, пристрій

Формула / Реферат:

Магнетронний пристрій іонного розпилення планарного типу, що містить в собі магнітну систему, плоску мішень-катод та джерело електричного живлення, який відрізняється тим, що центральна та периферійна частини мішені-катода виготовлені з магнітного матеріалу на основі заліза, а її проміжна частина, яка розташована в магнітному зазорі магнітної системи, - з магнітного матеріалу, температура Кюрі якого не перевищує 400 °С, крім того, між...

Процес нанесення тонких плівок телуридного скла

Завантаження...

Номер патенту: 6698

Опубліковано: 16.05.2005

Автор: Клето Геннадій Іванович

МПК: H01L 21/316

Мітки: скла, плівок, телуридного, нанесення, тонких, процес

Формула / Реферат:

Процес нанесення тонких плівок телуридного скла ВЧ-катодним розпиленням, що передбачає виготовлення мішені шляхом подрібнення та змішування компонентів, формування і відпал, який відрізняється тим, що порошок телуру змішують з порошком іншого (-их) компонента (-ів) в пропорції не менше 70 ат.% Те і розміщують на поверхні пластини з монокристалічного кремнію шаром завтовшки 1-2 мм, а ВЧ-катодне розпилення проводять в окисному середовищі в...