Сегнетоелектричний конденсатор
Формула / Реферат
Сегнетоелектричний конденсатор для пристроїв універсальної електронної пам'яті, що містить нижній і верхній електродні шари з оксидних матеріалів, та розташований між електродними шарами сегнетоелектричний шар цирконат-титанату свинцю, який відрізняється тим, що щонайменше один з електродних шарів виготовлений з кобальт-нікелевого оксиду CoxNi1-.xOδ, де 0,5<Х<0,9, а δ>0.
Текст
Реферат: UA 87094 U UA 87094 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Корисна модель належить до галузі мікроелектроніки і може бути використана при створенні сегнетоелектричних запам'ятовуючих пристроїв (FRAM). Відомі сегнетоелектричні конденсатори на основі плівки цирконат-титанату свинцю, в яких як електроди використані плівки з платини [1,2]. Недоліком таких сегнетоелектричних конденсаторів є висока вартість платини та утворення значної кількості дефектів на границі розділу метал/сегнетоелектрик, внаслідок недосконалої кристалічної будови платинового шару. Найбільш близьким до запропонованої корисної моделі є сегнетоелектричний конденсатор [3], який містить полі кристалічний сегнетоелектричний шар цирконат-титанату свинцю (ЦТС), верхній та нижній електродні шари на основі полікристалічних оксидних плівок ІrO2, або SrRuO3. Недолік такого конденсатора полягає в необхідності використання дефіцитних елементів платинової групи для формування електродних шарів, а також значна відмінність між параметрами кристалічних ґраток електродного і сегнетоелектричного матеріалів, що призводить до погіршення електричних властивостей сегнетоелектричного конденсатора (таких, як величина заряду залишкової поляризації, значення напруги переключення поляризації, максимально можлива кількість переключень поляризації) особливо при зменшенні товщини сегнетоелектричного шару згідно з вимогами інтеграції сегнетоелектричного конденсатора в електронний пристрій обробки інформації. Задачею запропонованої корисної моделі є зменшення вартості та покращення електричних параметрів сегнетоелектричного конденсатора при малих товщинах сегнетоелектричного шару. Поставлена задача вирішується тим, що щонайменше один з електродних шарів виготовлений з кобальт-нікелевого оксиду CoxNi1-xOδ, де 0,5
ДивитисяДодаткова інформація
Автори англійськоюKletko Hennadii Ivanovych
Автори російськоюКлетко Геннадий Ивановна
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/105
Мітки: конденсатор, сегнетоелектричний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-87094-segnetoelektrichnijj-kondensator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Сегнетоелектричний конденсатор</a>
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 92332
Опубліковано: 25.10.2010
Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпак Анатолій Петрович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович
МПК: H01L 41/18
Мітки: сегнетоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
1. Сегнетоелектричний матеріал, що містить сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить сульфід германію при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 55-95 сульфід германію решта. 2. Сегнетоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що містить склоподібний сульфід германію.3. Сегнетоелектричний матеріал за...
Сегнетоелектричний резонатор для спектрометру епр
Номер патенту: 40178
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Головіна Ірина Сергіївна, Сонько Тетяна Василівна, Гейфман Ілля Натанович
МПК: H01P 11/00, H01P 7/10
Мітки: спектрометру, епр, резонатор, сегнетоелектричний
Формула / Реферат:
1. Сегнетоелектричний резонатор для спектрометру ЕПР, виконаниий з монокристалу, який відрізняється тим, що він виконаний з танталату калія, легованого літієм з вмістом 0,01-0,1 %.2. Сегнетоелектричний резонатор по п.1, який відрізняється тим, що він виконаний у прямокутній формі.3. Сегнетоелектричний резонатор по п.1 і п.2, який відрізняється тим, що він має всередині отвір для розміщення досліджуваного об'єкта, а глибина...
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам’ятовуючий пристрій з неруйнівним зчитуванням
Номер патенту: 18752
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Божко Анатолій Панасович, Мартинюк Яків Васильович, Скороход Ігор Олександрович, Клето Геннадій Іванович, Самофалов Костянтин Григорович, Верба Олександр Андрійович
МПК: G11C 11/22
Мітки: неруйнівним, запам'ятовуючий, пристрій, сегнетоелектричний, зчитуванням, енергонезалежний
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам'ятовуючий пристрій, що містить числові шини, розрядні шини, опірні шини, чутливі підсилювачі і комірки пам'яті, кожна з яких містить транзистор і сегнетоелектричний запам'ятовуючий елемент, який містить перший електрод, другий електрод і сегнетоелектричну плівку між ними, причому числові шини підключені до транзисторів, перші електроди запам'ятовуючих елементів через транзистори зв'язані з розрядними...
Сегнетоелектричний запам’ятовуючий пристрій
Номер патенту: 37367
Опубліковано: 25.11.2008
Автори: Мартинюк Яків Васильович, Верба Олександр Андрійович, Самофалов Костянтин Григорович
МПК: G11C 11/22
Мітки: сегнетоелектричний, запам'ятовуючий, пристрій
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний запам'ятовуючий пристрій, що містить числові шини, розрядні шини, матрицю сегнетоелектричних запам'ятовуючих конденсаторів, підсилювачі зчитування, числові ключі, розрядні ключі, контролер/дешифратор, причому кожен сегнетоелектричний запам'ятовуючий конденсатор включений між числовою та розрядною шинами, числові шини підключені до виходів числових ключів, входи яких зв'язані з виходами контролера/дешифратора, розрядні шини...
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам`ятовуючий пристрій
Номер патенту: 35574
Опубліковано: 25.09.2008
Автори: Мартинюк Яків Васильович, Верба Олександр Андрійович, Самофалов Костянтин Григорович
МПК: G11C 11/22
Мітки: енергонезалежний, сегнетоелектричний, пристрій, запам'ятовуючий
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам'ятовуючий пристрій, що містить числові шини, розрядні шини, опірні шини, підсилювачі зчитування та запису і комірки пам'яті, кожна з яких містить транзистор і cегнетоелектричний запам'ятовуючий елемент, який містить перший електрод, другий електрод і сегнетоелектричну плівку між ними, причому числові шини підключені до транзисторів, перші електроди запам'ятовуючих елементів через транзистори зв'язані...
Попередній патент: Каландр машинний
Наступний патент: Спосіб синтезу 2-(2′-піридил)-1,4-дигідро-5н-1,3,4-бензотриазепін-5-ону
Випадковий патент: Електронасосний агрегат