H01L 25/10 — блоки приладів з окремими корпусами

Номер патенту: 18849

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Мнухін Анатолій Григорович, Діденко Валерій Петрович, Кібрик Ісаак Соломонович

МПК: H01L 25/10

Мітки: модуль, силовий, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Силовий напівпровідниковий модуль, що містить корпус з умонтованими силовими напівпровідниковими структурами, їх вхідні та вихідні виводи, який відрізняється тим, що зовнішню поверхню корпусу, після надання їй адгезії до епоксидної композиції, оснащено шаром епоксидної композиції.

Номер патенту: 60298

Опубліковано: 15.10.2003

Автор: Стокмайер Томас

МПК: H01L 25/10

Мітки: модуль, множиною, напівпровідниковий, силовий, підмодулів

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль (10) з множиною підмодулів (1), що містять відповідно, щонайменше, один напівпровідниковий чип (5а, 5b), причому підмодулі (1) закріплені на загальній опорній платі (11), що відводить тепло, і мають електричний контакт з провідниками (12, 14, 18), що приєднуються ззовні, який відрізняється тим, що щонайменше один напівпровідниковий чип (5а, 5b) підмодуля (1) вміщений в оболонку, яка містить зовнішні...